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公开(公告)号：CN115128000A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210271897.6
申请日：2022-03-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 株式会社堀场STEC
IPC: G01N21/01 , G01N21/3518
Abstract: 本发明提供一种即使是由吸收光谱重叠的DCR气体与CO气体构成的混合气体，也能够仅分离DCR气体的吸光度而计算出其浓度的DCR气体用吸光分析装置，DCR气体用吸光分析装置具备：DCR用滤光器(31)，其使包含DCR气体的吸收峰的第一波数范围的光透过；CO用滤光器(32)，其使处于CO气体的吸收波数范围且与所述第一波数范围不同的第二波数范围的光透过；以及DCR气体量计算器(4)，其基于利用透过了所述DCR用滤光器(31)的光而测定的第一吸光度(A1)、以及利用透过了所述CO用滤光器(32)的光而测定的第二吸光度(AC2)，计算出所述DCR气体的量。
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公开(公告)号：CN109690292A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201780056159.7
申请日：2017-09-14
Applicant: 株式会社堀场STEC
Abstract: 得到一种吸光光度计，该吸光光度计在检测高温的样品气体的情况下，即使不延长从光源部至光接收部为止的距离，也能够保护光源部和/或光接收部免受样品气体的热的侵害，能够保持高检测精度。其具备：具有容纳样品气体的容纳空间(11)的样品容纳部(10)、将光照射到容纳空间(11)内的光源部(20)、接收从容纳空间(11)内射出的光的光接收部(30)、与样品容纳部(10)的光源部(20)侧邻接而设置的第一隔热部(40a)和与样品容纳部(10)的光接收部(30)侧邻接而设置的第二隔热部(40b)、以及与第一隔热部(40a)邻接而设置的第一冷却部(50a)和与第二隔热部(40b)邻接而设置的第二冷却部(50b)。
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公开(公告)号：CN116465848A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310071740.3
申请日：2023-01-17
Applicant: 株式会社堀场STEC
IPC: G01N21/3504 , G01N21/01 , G01L9/12
Abstract: 本发明提供一种气体分析装置，其具备：气室，其被导入气体；温度调节块，其对气室进行温度调节；以及压力传感器，其测定气室内部的压力，压力传感器内置于温度调节块和/或气室。
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公开(公告)号：CN101724828B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN200910208803.5
申请日：2009-10-29
Applicant: 株式会社堀场制作所 , 株式会社堀场STEC
IPC: C23C16/52
CPC classification number: G05D11/132 , Y10T137/0396 , Y10T137/2499 , Y10T137/2509 , Y10T137/2708
Abstract: 一种材料气体浓度控制系统，用于材料气化系统中，所述材料气化系统包括收纳材料的贮槽、将使所收纳的材料气化的载气导入至所述贮槽内的导入管、以及将气化而成的材料气体及所述载气的混合气体从所述贮槽内导出的导出管，所述材料气体浓度控制系统包括设置于所述导出管上的第1阀、测量所述混合气体中的材料气体的浓度的浓度测量部、以及对所述第1阀的开度进行控制，以使所述浓度测量部所测量的材料气体的测量浓度达到预定的设定浓度的浓度控制部。
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公开(公告)号：CN101724828A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910208803.5
申请日：2009-10-29
Applicant: 株式会社堀场制作所 , 株式会社堀场STEC
IPC: C23C16/52
CPC classification number: G05D11/132 , Y10T137/0396 , Y10T137/2499 , Y10T137/2509 , Y10T137/2708
Abstract: 一种材料气体浓度控制系统，用于材料气化系统中，所述材料气化系统包括收纳材料的贮槽、将使所收纳的材料气化的载气导入至所述贮槽内的导入管、以及将气化而成的材料气体及所述载气的混合气体从所述贮槽内导出的导出管，所述材料气体浓度控制系统包括设置于所述导出管上的第1阀、测量所述混合气体中的材料气体的浓度的浓度测量部、以及对所述第1阀的开度进行控制，以使所述浓度测量部所测量的材料气体的测量浓度达到预定的设定浓度的浓度控制部。
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公开(公告)号：CN117747492A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311223043.1
申请日：2023-09-21
Applicant: 株式会社堀场STEC
Abstract: 本发明提供一种气体分析装置、流体控制系统、存储有气体分析用程序的存储介质、气体分析方法。气体分析装置具备：第一浓度计算部，计算工艺气的浓度；第二浓度计算部，计算至少在与生成工艺气的主反应不同的反应即副反应中生成的副产气体的浓度；比较部，将由第一浓度计算部计算出的工艺气的浓度即第一实际浓度与主反应理想地进行的情况下的工艺气的浓度即第一理想浓度进行比较，并且将由第二浓度计算部计算出的副产气体的浓度即第二实际浓度与主反应理想地进行的情况下的工艺气的浓度即第二理想浓度进行比较；以及输出部，基于比较部的比较结果，判断并输出对构成流体控制系统的设备设定的参数中的、应该变更设定值的参数即变更对象参数。
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公开(公告)号：CN116569022A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202180080365.8
申请日：2021-11-22
Applicant: 株式会社堀场STEC , 株式会社堀场制作所
IPC: G01N21/3504
Abstract: 本发明能够高精度地测定半导体制造工艺所用的材料气体或因半导体制造工艺所产生的副生成气体所含的卤化物的浓度或分压，气体分析装置对半导体制造工艺所用的材料气体或因半导体制造工艺而产生的副生成气体所含的卤化物的浓度或分压进行分析，并具备：气体池，其导入有材料气体或副生成气体；激光光源，其向气体池照射经波长调制的激光；光检测器，其检测透过气体池的激光；以及信号处理部，其使用由光检测器的输出信号所得的光吸收信号来计算出卤化物的浓度或分压，气体池减压至比大气压小的预定的压力，激光光源在包含卤化物的光吸收信号的特征部在内的波长调制范围对所述激光进行波长调制。
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公开(公告)号：CN116448673A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310042152.7
申请日：2023-01-12
Applicant: 株式会社堀场STEC
Abstract: 本发明提供光学测定用池、光学分析装置、窗形成部件及光学测定用池的制造方法。在通过原子扩散接合制造满足气密性和/或耐热性等所要求的各种性能的光学测定用池的基础上，为了防止窗体构件的破裂，光学测定用池(2)具有供光透过的透光窗(W1、W2)，且在内部被导入试样，该光学测定用池(2)具备形成透光窗(W1、W2)的窗体构件(221)、以及隔着金属薄膜(M)接合有窗体构件(221)的法兰部件(222)，法兰部件(222)的热膨胀系数与窗体构件(221)的热膨胀系数的比率为0.5倍以上且1.5倍以下。
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公开(公告)号：CN109715851B
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN201780048644.X
申请日：2017-07-26
Applicant: 株式会社堀场STEC
IPC: C23C16/448 , C23C16/52 , H01L21/205
Abstract: 在对载气的流量进行调节以对混合气体中的材料气体的流量进行控制的气体控制系统中，避免长时间置于所述控制极限状况下。气体控制系统向收容有材料的槽罐(10)内导入载气，并将该材料气化后的材料气体与所述载气一起从所述槽罐(10)导出，其包括：流量控制部(71)，利用对导入所述槽罐(10)的载气的流量进行调节，从而对从所述槽罐(10)导出的材料气体的流量进行控制；以及控制极限检测部(72)，检测控制极限状况，并输出该意旨，该控制极限状况是无法利用该流量控制部(71)对载气的流量调节，来确保所述材料气体的规定性能下的流量控制的状况。
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公开(公告)号：CN108570659A
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201810178323.8
申请日：2018-03-05
Applicant: 株式会社堀场STEC
IPC: C23C16/448 , C23C16/52
Abstract: 本发明涉及气体控制系统、成膜装置、存储介质和气体控制方法，容易控制从容器导出的材料气体的总量。所述气体控制系统向收容有材料的容器(10)导入载气，并且将所述材料气化后的材料气体与所述载气一起从所述容器(10)导出，该气体控制系统具有控制部(60)，所述控制部(60)控制所述载气的流量，使浓度指标值接近预先确定的目标浓度指标值，该浓度指标值直接或间接表示测量从所述容器(10)导出的混合气体而得到的所述混合气体中的材料气体浓度，所述控制部(60)在进行控制所述载气的流量以规定变化率变化的第一控制后进行第二控制，该第二控制基于所述浓度指标值和所述目标浓度指标值的偏差来控制所述载气的流量。
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