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公开(公告)号：CN101724828B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN200910208803.5
申请日：2009-10-29
Applicant: 株式会社堀场制作所 , 株式会社堀场STEC
IPC: C23C16/52
CPC classification number: G05D11/132 , Y10T137/0396 , Y10T137/2499 , Y10T137/2509 , Y10T137/2708
Abstract: 一种材料气体浓度控制系统，用于材料气化系统中，所述材料气化系统包括收纳材料的贮槽、将使所收纳的材料气化的载气导入至所述贮槽内的导入管、以及将气化而成的材料气体及所述载气的混合气体从所述贮槽内导出的导出管，所述材料气体浓度控制系统包括设置于所述导出管上的第1阀、测量所述混合气体中的材料气体的浓度的浓度测量部、以及对所述第1阀的开度进行控制，以使所述浓度测量部所测量的材料气体的测量浓度达到预定的设定浓度的浓度控制部。
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公开(公告)号：CN101724828A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910208803.5
申请日：2009-10-29
Applicant: 株式会社堀场制作所 , 株式会社堀场STEC
IPC: C23C16/52
CPC classification number: G05D11/132 , Y10T137/0396 , Y10T137/2499 , Y10T137/2509 , Y10T137/2708
Abstract: 一种材料气体浓度控制系统，用于材料气化系统中，所述材料气化系统包括收纳材料的贮槽、将使所收纳的材料气化的载气导入至所述贮槽内的导入管、以及将气化而成的材料气体及所述载气的混合气体从所述贮槽内导出的导出管，所述材料气体浓度控制系统包括设置于所述导出管上的第1阀、测量所述混合气体中的材料气体的浓度的浓度测量部、以及对所述第1阀的开度进行控制，以使所述浓度测量部所测量的材料气体的测量浓度达到预定的设定浓度的浓度控制部。
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公开(公告)号：CN111272655A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201911155732.7
申请日：2019-11-22
Applicant: 株式会社堀场STEC
Abstract: 本发明提供一种能够直接测定流入到腔室等容器内或在腔室等容器内产生的分析对象气体，且能够防止由于水分的凝结引起的测定误差的吸光分析装置。该吸光分析装置具备：光射出模块，以遮盖流入或产生分析对象气体的容器的第一开口的方式安装，并将光向所述容器内射出；以及光检测模块，检测从所述光射出模块射出并通过了所述容器内的光，所述光射出模块具备：底座凸缘，在所述容器的外表面安装于所述第一开口的周围；窗口材料，其外侧面相对于与所述容器内接触的内侧面倾斜预定角度；密封部件，被夹在所述底座凸缘与所述窗口材料的内侧面之间；以及按压体，具备固定于所述底座凸缘的固定面和将所述窗口材料的外侧面向所述底座凸缘侧按压的倾斜面。
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公开(公告)号：CN108570659A
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201810178323.8
申请日：2018-03-05
Applicant: 株式会社堀场STEC
IPC: C23C16/448 , C23C16/52
Abstract: 本发明涉及气体控制系统、成膜装置、存储介质和气体控制方法，容易控制从容器导出的材料气体的总量。所述气体控制系统向收容有材料的容器(10)导入载气，并且将所述材料气化后的材料气体与所述载气一起从所述容器(10)导出，该气体控制系统具有控制部(60)，所述控制部(60)控制所述载气的流量，使浓度指标值接近预先确定的目标浓度指标值，该浓度指标值直接或间接表示测量从所述容器(10)导出的混合气体而得到的所述混合气体中的材料气体浓度，所述控制部(60)在进行控制所述载气的流量以规定变化率变化的第一控制后进行第二控制，该第二控制基于所述浓度指标值和所述目标浓度指标值的偏差来控制所述载气的流量。
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公开(公告)号：CN102541101A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110444164.X
申请日：2011-12-27
Applicant: 株式会社堀场STEC
Inventor： 林大介
IPC: G05D11/08
Abstract: 本发明提供一种材料气体控制装置、控制方法、控制程序及控制系统，可以防止即使材料大量剩余，阀也过早地成为完全打开等而成为不能控制的状态。所述材料气体控制装置包括：第一阀，设置在导出管上；浓度测量机构，测量混合气体中的材料气体的浓度；第一阀控制部，控制第一阀的开度，使得由浓度测量机构测量出的材料气体的测量浓度成为预先设定的设定浓度；第二阀，设置在导入管上；以及第二阀控制部，对第二阀的开度进行控制，使得当第一阀的开度成为阈值开度时，在规定时间内使第二阀的开度成为变更后开度，阈值开度比完全打开的开度小第一规定值，变更后开度比第一阀的开度成为阈值开度时的变更前开度大第二规定值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102541101B
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201110444164.X
申请日：2011-12-27
Applicant: 株式会社堀场STEC
Inventor： 林大介
IPC: G05D11/08
Abstract: 本发明提供一种材料气体控制装置、控制方法、控制程序及控制系统，可以防止即使材料大量剩余，阀也过早地成为完全打开等而成为不能控制的状态。所述材料气体控制装置包括：第一阀，设置在导出管上；浓度测量机构，测量混合气体中的材料气体的浓度；第一阀控制部，控制第一阀的开度，使得由浓度测量机构测量出的材料气体的测量浓度成为预先设定的设定浓度；第二阀，设置在导入管上；以及第二阀控制部，对第二阀的开度进行控制，使得当第一阀的开度成为阈值开度时，在规定时间内使第二阀的开度成为变更后开度，阈值开度比完全打开的开度小第一规定值，变更后开度比第一阀的开度成为阈值开度时的变更前开度大第二规定值。
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公开(公告)号：CN118412298A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410091898.1
申请日：2024-01-23
Applicant: 株式会社堀场STEC
Abstract: 本发明提供晶片温度控制装置、晶片温度控制方法及存储介质。本发明提供一种晶片温度控制装置，通过调整气体的压力来控制晶片的温度，预测将来的晶片温度，将晶片温度控制为目标温度，在被温度调整后的板载置晶片，向板与晶片之间供给气体，对晶片的温度进行控制，具备：压力调整器，调整气体的压力；附近温度传感器，测定晶片的附近温度；以及压力控制部，基于由附近温度传感器测定的附近温度和晶片的目标温度，通过模型预测控制对向压力调整器输入的压力操作量进行控制，压力控制部使用根据气体的压力求出的板与晶片之间的热传递率作为变量的模型，作为模型预测控制的预测模型。
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公开(公告)号：CN111272655B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN201911155732.7
申请日：2019-11-22
Applicant: 株式会社堀场STEC
Abstract: 本发明提供一种能够直接测定流入到腔室等容器内或在腔室等容器内产生的分析对象气体，且能够防止由于水分的凝结引起的测定误差的吸光分析装置。该吸光分析装置具备：光射出模块，以遮盖流入或产生分析对象气体的容器的第一开口的方式安装，并将光向所述容器内射出；以及光检测模块，检测从所述光射出模块射出并通过了所述容器内的光，所述光射出模块具备：底座凸缘，在所述容器的外表面安装于所述第一开口的周围；窗口材料，其外侧面相对于与所述容器内接触的内侧面倾斜预定角度；密封部件，被夹在所述底座凸缘与所述窗口材料的内侧面之间；以及按压体，具备固定于所述底座凸缘的固定面和将所述窗口材料的外侧面向所述底座凸缘侧按压的倾斜面。
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公开(公告)号：CN117917757A
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN202311310939.3
申请日：2023-10-10
Applicant: 株式会社堀场STEC
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供晶片温度控制装置、晶片温度控制方法和存储介质。在通过调整热传递气体的压力来控制晶片的温度的晶片温度控制装置中，能以足够的精度推定晶片温度并将晶片温度控制在目标温度，晶片温度控制装置包括：压力调整器(43)，调整热传递气体的压力；附近温度传感器(5)，测定晶片(W)的附近温度；温度推定观测器(10)，根据由附近温度传感器(5)测定的附近温度、以及输入压力调整器(43)的压力操作量或由压力调整器调整的压力，推定晶片(W)的温度；以及控制器(11)，根据设定温度和由温度推定观测器(10)推定的推定晶片温度，控制压力操作量。
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公开(公告)号：CN117730292A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202280052970.9
申请日：2022-08-02
Applicant: 株式会社堀场STEC
IPC: G05D23/19
Abstract: 为了提供一种即便在对冷却器输入的冷却操作量受到变更的情况下也可以以充分的精度来推测晶圆温度并将晶圆温度控制为目标温度的晶圆温度控制装置，而包括：加热器(1)，根据所输入的加热操作量来对晶圆(W)进行加热；冷却器(2)，根据所输入的冷却操作量来对所述晶圆(W)进行冷却；附近温度测定器(3)，测定所述晶圆(W)的附近温度；温度推测观测器(4)，基于所述附近温度测定器(3)所测定的所述附近温度、以及对所述冷却器(2)输入的冷却操作量或所述冷却器所输出的冷却量，来推测晶圆温度；以及温度控制器(5)，控制所述冷却操作量，以使设定温度与所推测出的所述晶圆温度的温度偏差变小。
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