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公开(公告)号：CN110993524A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201910276267.6
申请日：2019-04-08
申请人： 清华大学 , 天津华海清科机电科技有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明涉及化学机械抛光后处理技术领域，公开了一种基板后处理装置和方法，该装置包括：用于旋转基板的承载单元、向基板喷射流体的供给单元、流体收集单元以及环状挡板组件。挡板组件围绕承载单元设置且挡板组件内壁与基板边缘的距离设置成使得从该基板溅射至该挡板组件内壁的流体不会反溅至该基板表面。从而避免了从基板表面飞散的流体反溅而再次沾染基板造成的二次污染，改善了清洗效果。
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公开(公告)号：CN110977750A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201910414517.8
申请日：2019-05-18
申请人： 清华大学 , 天津华海清科机电科技有限公司
IPC分类号： B24B37/005 , B24B37/30 , B24B37/34 , B24B53/017 , B24B49/00
摘要： 本发明涉及化学机械抛光技术领域，公开了一种压力控制装置和化学机械抛光装置。压力控制装置包括压力控制模块和第一压力传感器，压力控制模块中集成有正压控制单元和负压控制单元；正压控制单元的输入端连接正压供给源，负压控制单元的输入端连接负压供给源，正压控制单元的输出端与负压控制单元的输出端共同连接终端元件；第一压力传感器连接在终端元件的气路端口处；正压控制单元、负压控制单元和第一压力传感器分别与控制器连接；控制器获取第一压力传感器采集的终端元件的端口压力，并控制正压控制单元和/或负压控制单元的开关，以使端口压力稳定在预设目标压力。化学机械抛光装置包括与承载头内的压力腔室气路连接的压力控制装置。
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公开(公告)号：CN110970323A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201910214994.X
申请日：2019-03-15
申请人： 天津华海清科机电科技有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 一种基板处理装置，包括抛光单元、清洗单元以及传输机构，所述抛光单元设置在所述基板处理装置下部，所述清洗单元设置在所述抛光单元之上位于所述基板处理装置上部，所述传输机构设置在所述抛光单元侧面以将基板从所述抛光单元移动至所述清洗单元。
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公开(公告)号：CN108956958B
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201810781667.8
申请日：2018-07-17
申请人： 清华大学 , 天津华海清科机电科技有限公司
IPC分类号： G01N33/30
摘要： 本发明公开了一种用于润滑剂参数测量系统的防护装置，包括：外围防护组件，所述外围防护组件包括横向设置的底板和从所述底板竖向向上延伸的上围壁，所述底板上设有透光孔和排泄口，所述透光孔的孔壁竖向向上延伸且超出所述底板的上表面；测试盘组件，所述测试盘组件包括测试盘和密封设置在所述测试盘的外周壁上的隔离圈，所述隔离圈的上顶面高于所述测试盘的上表面；所述测试盘组件位于所述底板上方且位于所述上围壁中。使用该防护装置，可以持续向测试盘组件中供给润滑剂进行测量，测量稳定性高，同时，还能有效地防止了润滑剂污染测量系统。
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公开(公告)号：CN107195547B
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201710312284.1
申请日：2017-05-05
申请人： 清华大学 , 天津华海清科机电科技有限公司
IPC分类号： H01L21/321 , H01L21/66 , H01L21/768
摘要： 本发明公开了一种在线改良晶圆表面平坦度的方法。其中方法应用于旋转型CMP设备上，CMP设备包括抛光头及其压力在线调节控制系统，抛光头包括多个压力分区，方法包括：确定晶圆表面材料层上的基准区；获取多个压力分区对应的晶圆表面分区的材料层厚度值；根据基准区的材料层厚度值与其余各分区的材料层厚度值，获取各压力分区新的压力值；根据各压力分区新的压力值，控制抛光头对晶圆表面进行材料去除。由此，通过改变抛光头各压力分区所施加的压力大小，可以实时调节晶圆表面相应分区的材料去除率，从而实现可控平坦化，进而实现在线改良晶圆表面平坦度的目的。
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公开(公告)号：CN110561201A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910905009.X
申请日：2019-09-24
申请人： 天津华海清科机电科技有限公司
IPC分类号： B24B1/00 , B24B37/005 , B24B49/04
摘要： 本发明提供了一种控制抛光工艺的方法和化学机械抛光装置，其中装置包括：抛光盘，其覆盖有用于对晶圆进行抛光的抛光垫；承载头，用于保持晶圆并将晶圆按压在所述抛光垫上；测量模块，用于利用在线测量工具获取晶圆抛光的测量数据；以及，控制模块，用于根据工艺前后的测量数据来修正工艺参数以提高抛光均匀性。
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公开(公告)号：CN106439197B
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201610859497.1
申请日：2016-09-27
申请人： 天津华海清科机电科技有限公司 , 清华大学
摘要： 本发明提出一种模块化总线式电磁阀组的互锁装置，模块化总线式电磁阀组包括总线耦合器、电磁阀阀座及集成在电磁阀阀座上的多个电磁阀，互锁装置包括：输入接口，输入接口与总线耦合器相连，以接收总线耦合器传输的电磁阀控制指令；输出接口，输出接口与通过电磁阀阀座与多个电磁阀相连；控制器，控制器用于根据电磁阀控制指令从多个电磁阀中确定目标电磁阀，并控制目标电磁阀进行互锁。本发明能按照实际需求对目标电磁阀个体进行互锁，实现了指定电磁阀的互锁功能，从而能够满足不同的工艺需求。本发明还提出了一种模块化总线式电磁阀组。
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公开(公告)号：CN107717718B
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201710911999.9
申请日：2017-09-29
申请人： 清华大学 , 天津华海清科机电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种化学机械抛光设备及其操作方法，化学机械抛光设备包括夹片组件，夹片组件上安装有抛光件；保持环，保持环设在夹片组件上，抛光件位于保持环内；抛光盘，抛光盘设在保持环和抛光件的下方；其特征在于，还包括：保持环调节装置，保持环调整装置包括：调节装置，调节装置包括向上调节保持环的拉杆和向下调节保持环的压杆；压力分布检测装置，压力分布检测装置设在抛光盘上以用于检测保持环与抛光盘以及抛光件与抛光盘之间的压力分布，调节装置根据压力分布检测装置的检测信息调节保持环。根据本发明的化学机械抛光设备，能够保证抛光件抛光后的面形精度，提高抛光效果。
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公开(公告)号：CN107336126B
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201710776053.6
申请日：2017-08-31
申请人： 清华大学 , 天津华海清科机电科技有限公司
IPC分类号： B24B37/005
摘要： 本发明公开了一种抛光设备的抛光压力控制方法、装置和抛光设备，该方法包括以下步骤：对抛光设备所加工的晶圆的多个施压区域分别施加对应的抛光压力以进行抛光处理；获取多个施压区域中每个施压区域的抛光厚度，并获取抛光时间；根据每个施压区域的抛光厚度和抛光时间计算每个施压区域的去除速率；在抛光预设数量的晶圆后，根据获取的每个施压区域的预设数量的去除速率计算每个施压区域的平均去除速率；根据每个施压区域的平均去除速率对每个施压区域的抛光压力进行调整。根据本发明的抛光设备的抛光压力控制方法，可以延长抛光垫的使用周期、提高抛光设备的使用效率、降低生产成本、提高晶圆的良品率，且简单有效、稳定性高。
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公开(公告)号：CN107378747B
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201710561848.5
申请日：2017-07-11
申请人： 天津华海清科机电科技有限公司 , 清华大学
摘要： 本发明公开了一种用于MEMS器件的化学机械抛光工艺，所述化学机械抛光工艺包括：S1：提供一待抛光MEMS器件晶圆；S2：固定待抛光MEMS器件晶圆；S3：对所述MEMS器件晶圆进行粗抛光；S4：对所述MEMS器件晶圆进行水抛光；S5：循环步骤S3、S4达n次或达到预设时间t；S6：对所述对MEMS器件晶圆进行精抛光；S7：冲洗抛光盘及晶圆，完成抛光。根据本发明实施例的用于MEMS器件的化学机械抛光工艺步骤简单、可以减少抛光过程中的蝶形坑或粗糙度大等问题、保证器件的可靠性。
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