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公开(公告)号：CN107195547B
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201710312284.1
申请日：2017-05-05
Applicant: 清华大学 , 天津华海清科机电科技有限公司
IPC: H01L21/321 , H01L21/66 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种在线改良晶圆表面平坦度的方法。其中方法应用于旋转型CMP设备上，CMP设备包括抛光头及其压力在线调节控制系统，抛光头包括多个压力分区，方法包括：确定晶圆表面材料层上的基准区；获取多个压力分区对应的晶圆表面分区的材料层厚度值；根据基准区的材料层厚度值与其余各分区的材料层厚度值，获取各压力分区新的压力值；根据各压力分区新的压力值，控制抛光头对晶圆表面进行材料去除。由此，通过改变抛光头各压力分区所施加的压力大小，可以实时调节晶圆表面相应分区的材料去除率，从而实现可控平坦化，进而实现在线改良晶圆表面平坦度的目的。
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公开(公告)号：CN107344327B
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201710311999.5
申请日：2017-05-05
Applicant: 清华大学 , 天津华海清科机电科技有限公司
IPC: B24B37/005 , H01L21/306
Abstract: 本发明公开了一种在线改良晶圆表面平坦度的方法。其中方法应用于旋转型CMP设备上，CMP设备包括抛光头及其压力在线调节控制系统，抛光头包括多个压力分区，所述方法包括：确定晶圆表面材料层上的基准区；获取多个压力分区对应的晶圆表面分区的材料层厚度值；根据基准区的材料层厚度值与其余各分区的材料层厚度值，对各压力分区的压力值进行调整；根据各压力分区调整后的压力值，控制抛光头对晶圆表面进行材料去除。由此，通过改变抛光头各压力分区所施加的压力大小，可以实时调节晶圆表面相应分区的材料去除率，从而实现可控平坦化，进而实现在线改良晶圆表面平坦度的目的。
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公开(公告)号：CN107344327A
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：CN201710311999.5
申请日：2017-05-05
Applicant: 清华大学 , 天津华海清科机电科技有限公司
IPC: B24B37/005 , H01L21/306
Abstract: 本发明公开了一种在线改良晶圆表面平坦度的方法。其中方法应用于旋转型CMP设备上，CMP设备包括抛光头及其压力在线调节控制系统，抛光头包括多个压力分区，所述方法包括：确定晶圆表面材料层上的基准区；获取多个压力分区对应的晶圆表面分区的材料层厚度值；根据基准区的材料层厚度值与其余各分区的材料层厚度值，对各压力分区的压力值进行调整；根据各压力分区调整后的压力值，控制抛光头对晶圆表面进行材料去除。由此，通过改变抛光头各压力分区所施加的压力大小，可以实时调节晶圆表面相应分区的材料去除率，从而实现可控平坦化，进而实现在线改良晶圆表面平坦度的目的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107195547A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710312284.1
申请日：2017-05-05
Applicant: 天津华海清科机电科技有限公司 , 清华大学
IPC: H01L21/321 , H01L21/66 , H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种在线改良晶圆表面平坦度的方法。其中方法应用于旋转型CMP设备上，CMP设备包括抛光头及其压力在线调节控制系统，抛光头包括多个压力分区，方法包括：确定晶圆表面材料层上的基准区；获取多个压力分区对应的晶圆表面分区的材料层厚度值；根据基准区的材料层厚度值与其余各分区的材料层厚度值，获取各压力分区新的压力值；根据各压力分区新的压力值，控制抛光头对晶圆表面进行材料去除。由此，通过改变抛光头各压力分区所施加的压力大小，可以实时调节晶圆表面相应分区的材料去除率，从而实现可控平坦化，进而实现在线改良晶圆表面平坦度的目的。
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公开(公告)号：CN106409713A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610860560.3
申请日：2016-09-28
Applicant: 天津华海清科机电科技有限公司 , 清华大学
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明公开了一种多点测量晶圆表面铜层厚度的在线计算方法，其中，方法包括以下步骤：根据XY模式和全局模式定义两组二维变量；将每个测量点所在局部测量区间内的所有采样点的平均值作为该测量点的输出值，并补偿每段测量半径或者测量圆的第1测量点和最后1测量点的采样点数；通过多点标定算法利用预设的标定表进行厚度值计算；在厚度值计算结束后，将全部计算结果顺次与各测量坐标一一匹配，并将测量结果输出到指定文件中。该方法可以多点测量晶圆铜层厚度，从而对晶圆表面铜层厚度进行准确有效的计算，进而为后续的工艺参数优化提供可靠依据，提高了测量的准确度，简单便捷。
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公开(公告)号：CN106409713B
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201610860560.3
申请日：2016-09-28
Applicant: 清华大学 , 天津华海清科机电科技有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明公开了一种多点测量晶圆表面铜层厚度的在线计算方法，其中，方法包括以下步骤：根据XY模式和全局模式定义两组二维变量；将每个测量点所在局部测量区间内的所有采样点的平均值作为该测量点的输出值，并补偿每段测量半径或者测量圆的第1测量点和最后1测量点的采样点数；通过多点标定算法利用预设的标定表进行厚度值计算；在厚度值计算结束后，将全部计算结果顺次与各测量坐标一一匹配，并将测量结果输出到指定文件中。该方法可以多点测量晶圆铜层厚度，从而对晶圆表面铜层厚度进行准确有效的计算，进而为后续的工艺参数优化提供可靠依据，提高了测量的准确度，简单便捷。
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公开(公告)号：CN110044249A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910365388.8
申请日：2019-04-30
Applicant: 清华大学 , 天津华海清科机电科技有限公司
IPC: G01B7/06 , B24B37/005 , B24B37/04
Abstract: 本发明适用于化学机械抛光技术领域，提供了一种膜厚测量方法、系统及化学机械抛光装置，其中方法包括：获取膜厚传感器的输出信号与晶圆膜厚的映射关系；利用所述映射关系，将所述膜厚传感器在线测量时输出的信号值转换为膜厚值。实现了快速而准确的在线膜厚测量。
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公开(公告)号：CN110044249B
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN201910365388.8
申请日：2019-04-30
Applicant: 清华大学 , 华海清科股份有限公司
IPC: G01B7/06 , B24B37/005 , B24B37/04
Abstract: 本发明适用于化学机械抛光技术领域，提供了一种膜厚测量方法、系统及化学机械抛光装置，其中方法包括：获取膜厚传感器的输出信号与晶圆膜厚的映射关系；利用所述映射关系，将所述膜厚传感器在线测量时输出的信号值转换为膜厚值。实现了快速而准确的在线膜厚测量。
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