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公开(公告)号：CN106449454B
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201610875764.4
申请日：2016-09-29
Applicant: 清华大学 , 天津华海清科机电科技有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明公开了一种晶圆表面铜层厚度多点测量系统，包括：机械臂；晶圆转盘，用于吸附晶圆并带动晶圆旋转；电涡流传感器，传感器探头设置于机械臂上，以随机械臂直线运动；控制模块，用于根据XY模式或全局模式控制晶圆的旋转运动与传感器探头的直线运动相互配合，以完成晶圆表面铜层的多点测量。该测量系统可以通过电涡流检测方法多点测量晶圆铜层厚度，从而对晶圆表面铜层厚度进行准确有效的测量，进而为后续的工艺参数优化提供可靠依据，提高了测量的准确度。
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公开(公告)号：CN106289040B
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201610872138.X
申请日：2016-09-30
Applicant: 清华大学 , 天津华海清科机电科技有限公司
IPC: G01B7/06
Abstract: 本发明提出一种用于晶圆铜层厚度多点测量的标定系统，包括：电涡流传感器；数据采集装置，采集电涡流传感器输出的采样信号；数据库模块，用于存储计算铜层厚度所需的多点标定表；上层控制系统，用于存储标定数据库，并接收数据采集装置传输的采样信号，并对采样信号进行数据处理后，根据选定的多点标定表计算晶圆表面铜层多点的厚度测量值，并对在计算完成后，上层控制系统根据测量点序，进行测量值与测量点坐标的一一匹配，并将匹配结果按照预设格式进行保存。本发明可以很好地消除测量过程中提离高度波动所造成的测量误差，从而保证测量准确度，同时具有简单可靠的优点。
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公开(公告)号：CN110379734A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201910517944.9
申请日：2019-06-14
Applicant: 清华大学 , 天津华海清科机电科技有限公司
Abstract: 本发明涉及化学机械抛光后处理技术领域，公开了一种晶圆后处理系统和方法，系统包括：晶圆提升装置，用于从清洗液中提拉浸入清洗液的晶圆；气体喷射装置，用于在晶圆从清洗液中提升的过程中，向晶圆表面附着的清洗液的弯液面区域喷射第一温度的干燥气体，以使晶圆表面的附着物按照与提升方向相反的方向从晶圆表面剥离；液面监测装置，与气体喷射装置连接，用于检测弯液面区域的位置以使气体喷射装置喷射的干燥气体对准该弯液面三相接触线区域。
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公开(公告)号：CN106312780B
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201610859516.0
申请日：2016-09-28
Applicant: 清华大学 , 天津华海清科机电科技有限公司
CPC classification number: B24B29/02 , B24B55/00 , H01L21/67092
Abstract: 本发明公开了一种抛光设备，包括：抛光装置，所述抛光装置包括：抛光盘以及位于所述抛光盘上表面的抛光垫，所述抛光装置沿所述抛光垫的中心轴线方向旋转；清洗装置，所述清洗装置位于所述抛光装置的上方，所述清洗装置设有至少一个向所述抛光垫喷射水的喷水孔，所述喷水孔的喷射方向与竖直方向呈一定夹角且与所述抛光装置的旋转方向相对。根据本发明实施例的抛光设备，喷水孔的喷射方向与竖直方向呈一定夹角且与抛光装置的旋转方向相对，从而提高了清洗装置的清洗效果，避免了晶片被刮伤，提高了晶片的产品质量。
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公开(公告)号：CN108956958A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201810781667.8
申请日：2018-07-17
Applicant: 清华大学 , 天津华海清科机电科技有限公司
IPC: G01N33/30
Abstract: 本发明公开了一种用于润滑剂参数测量系统的防护装置，包括：外围防护组件，所述外围防护组件包括横向设置的底板和从所述底板竖向向上延伸的上围壁，所述底板上设有透光孔和排泄口，所述透光孔的孔壁竖向向上延伸且超出所述底板的上表面；测试盘组件，所述测试盘组件包括测试盘和密封设置在所述测试盘的外周壁上的隔离圈，所述隔离圈的上顶面高于所述测试盘的上表面；所述测试盘组件位于所述底板上方且位于所述上围壁中。使用该防护装置，可以持续向测试盘组件中供给润滑剂进行测量，测量稳定性高，同时，还能有效地防止了润滑剂污染测量系统。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108908063A
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201810806550.0
申请日：2018-07-20
Applicant: 清华大学 , 天津华海清科机电科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种根据耗材生命周期调整抛光压力的控制方法和控制系统，该控制方法包括：根据抛光垫的使用寿命设定多个抛光次数区间，并设定根据所述多个抛光次数区间和所述抛光头的压力分区确定压力调整系数的压力调整系数明细表；在使用所述抛光头进行抛光时，根据所述抛光垫的当前抛光次数所属的抛光次数区间和使用所述抛光头的压力分区对所述压力调节表进行查表得到当前抛光的压力调整系数；根据所述当前抛光的压力调整系数、所述抛光垫的当前抛光次数和使用所述抛光头的压力分区调整所述抛光头的压力。本发明具有如下优点：对抛光头的压力控制稳定性高，可以降低抛光垫的磨损影响。
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公开(公告)号：CN106625207B
公开(公告)日：2018-11-20
申请号：CN201610854420.5
申请日：2016-09-27
Applicant: 天津华海清科机电科技有限公司 , 清华大学
IPC: B24B37/34 , B24B55/00 , H01L21/677
Abstract: 本发明公开了一种晶圆片的卸片方法、辅助装置、装置和具有其的CMP设备，所述晶圆片的卸片方法包括以下步骤：将所述晶圆片运载至卸载面的上方；释放所述晶圆片以使所述晶圆片朝向所述卸载面运动，并在所述晶圆片运动的过程中朝所述晶圆片的下表面喷射液体以提供所述晶圆片运动的缓冲力。根据本发明实施例的晶圆片的卸片方法,能够防止晶圆片在卸片时被划伤和摔碎，从而可以提高晶圆片的良率，提高产能和效率，减少停机维护的次数，降低成本。
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公开(公告)号：CN106482881B
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201610857556.1
申请日：2016-09-28
Applicant: 清华大学 , 天津华海清科机电科技有限公司
IPC: G01L5/00
CPC classification number: G01L5/0061
Abstract: 本发明公开了一种测量润滑剂摩擦力的装置，包括：安装平台；盘轴系统，盘轴系统可旋转地设置于安装平台；玻璃盘，玻璃盘设在盘轴系统上，盘轴系统带动玻璃盘旋转；立柱，立柱设有沿立柱轴向方向延伸的外套，外套的外壁设有凸块，立柱与玻璃盘相对设置；球轴系统，球轴系统与外套连接，球轴系统包括：球轴和用于驱动球轴旋转的球轴驱动组件，球轴的一端设置于球轴驱动组件内，球轴的另一端的端部设有钢球，钢球与玻璃盘的上表面接触，凸块距离立柱中心轴线的水平距离大于钢球距离立柱中心轴线的水平距离；测力系统，测力系统与凸块的侧壁接触用于测量润滑剂摩擦力。根据本发明实施例的测量润滑剂摩擦力的装置测量准确性高。
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公开(公告)号：CN106323152B
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201610802034.1
申请日：2016-09-05
Applicant: 清华大学 , 天津华海清科机电科技有限公司
IPC: G01B7/06
Abstract: 本发明公开了一种CMP金属膜厚测量数据的离线分段处理方法和处理系统，该方法包括：读取晶圆表面金属膜厚变化数据；如果最终金属膜厚度的采样信号幅值大于干扰信号幅值，设定第一幅度阈值；根据第一幅度阈值从膜厚数据中获取测量信号段的上升沿和下降沿；根据测量信号段的上升沿和下降沿确定测量信号段的中心位置；根据测量信号段的中心位置取测量信号段中心区间内所有点的平均值作为相应测量信号段的测量值。本发明可有效消除干扰信号的影响，进而计算出实际工艺过程中晶圆表面金属层的厚度变化。
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公开(公告)号：CN105470177B
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201610010190.4
申请日：2016-01-05
Applicant: 清华大学 , 天津华海清科机电科技有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种晶圆清洗干燥装置，晶圆清洗干燥装置包括：转盘，晶圆适于固定在转盘上；第一流体盘，第一流体盘设置在转盘和晶圆之间；第二流体盘，第二流体盘与第一流体盘关于晶圆相对设置，其中，第一流体盘和第二流体盘的朝向晶圆的表面上均设置有适于喷射流体的多个喷孔，流体包括氮气。通过设置第一流体盘和第二流体盘，第一流体盘内的流体可以通过相应的喷孔喷射在晶圆的下表面上，第二流体盘内的流体可以通过相应的喷孔喷射在晶圆的上表面上，从而可以有效清洗晶圆。当第一流体盘和第二流体盘内喷出的流体为氮气时，可以有效干燥晶圆的上表面和下表面，而且氮气可以有效去除晶圆的上表面和下表面上的残留水痕。
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