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公开(公告)号：CN102533148B
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201110354111.9
申请日：2011-11-10
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C09J7/02 , C09J133/08 , C09J163/00 , C09J175/04 , C09J175/14 , H01L21/68 , H01L21/58
CPC classification number: H01L24/27 , H01L21/6836 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2224/83191 , H01L2924/01012 , H01L2924/01029 , H01L2924/3512 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了切割芯片粘合膜、用于切割芯片粘合膜的组合物和半导体装置，且所述切割芯片粘合膜包括邻接基膜的第一表面(A)和邻接半导体晶片的第二表面(B)，其中所述第二表面具有高于所述第一表面的剥离强度，并具有0.2N/25mm或更高的剥离强度。所述切割芯片粘合膜与所述基膜接触的表面顺利分离，而不是与所述晶片接触的表面分离，从而表现出优异的拾取性能。
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公开(公告)号：CN102432841B
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201110306447.8
申请日：2007-12-31
Applicant: 第一毛织株式会社
CPC classification number: G03F7/091 , C08G61/02 , C08G61/10 , G03F7/11 , Y10S438/952
Abstract: 提供了萘主链聚合物和含有该萘主链聚合物的抗反射硬掩模组合物以及材料层的图案化方法。所述硬掩模组合物含有有机溶剂、引发剂、和由式B表示的萘主链聚合物，这些在说明书中有描述。本发明的硬掩模组合物可以用于提供以很高的纵横比图案化的多层薄膜，并且可以将良好的图像转移至下层。另外，通过旋转涂覆技术可以很容易地施覆组合物。
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公开(公告)号：CN103261348A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201180060456.1
申请日：2011-03-25
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C09J11/06 , C09J7/02 , C09J163/00 , H01L21/58
CPC classification number: H01L24/83 , C08K5/09 , C09J7/10 , C09J9/02 , C09J11/06 , C09J163/00 , C09J2203/326 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/92 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/16146 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/29386 , H01L2224/32145 , H01L2224/73104 , H01L2224/81011 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/81447 , H01L2224/8181 , H01L2224/81815 , H01L2224/83191 , H01L2224/83203 , H01L2224/8385 , H01L2224/9211 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/0102 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/01072 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/00014 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/00
Abstract: 提供了一种高流动性的半导体用粘合剂组合物，其中该组合物：包含具有特定结构的助焊活性固化剂；允许满足隆起-芯片电连接的可靠性需要并去除在焊料和Cu隆起上作为隆起-芯片接触层的任何氧化膜的助焊过程；在通过热压缩焊接的芯片焊接过程中确保焊料和隆起之间充分的相互接触。还提供了一种含该组合物的粘合剂膜和使用该组合物的半导体封装。
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公开(公告)号：CN103184016A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201210584747.7
申请日：2012-12-28
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C09J7/00 , C09J163/00 , C09J11/04 , C09J9/02
CPC classification number: H01L23/538 , C08G59/226 , C08G59/245 , C08K2201/001 , C08K2201/011 , C09J9/02 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L2224/16225 , H01L2224/2929 , H01L2224/29324 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29355 , H01L2224/29364 , H01L2224/29366 , H01L2224/29371 , H01L2224/29386 , H01L2224/2939 , H01L2224/29393 , H01L2224/29439 , H01L2224/29444 , H01L2224/29447 , H01L2224/29455 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2924/07802 , H01L2924/07811 , H01L2924/15788 , H01L2924/00 , C08L63/00 , C08K3/36 , C08K3/10
Abstract: 本文公开了一种各向异性导电膜组合物、各向异性导电膜和半导体装置。所述组合物包含含多环芳环的环氧树脂、芴环氧树脂和纳米二氧化硅以改善预压性质。
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公开(公告)号：CN103173143A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201210567731.5
申请日：2012-12-24
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C09J7/00 , C09J171/12 , C09J163/10 , C09J175/14 , H01L23/488
CPC classification number: H01L23/4828 , C09J7/00 , C09J7/10 , C09J9/02 , C09J2201/602 , C09J2201/61 , C09J2433/00 , C09J2463/00 , H01L24/29 , H01L2224/2929 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29355 , H01L2224/2939 , H01L2224/29393 , H01L2224/29439 , H01L2224/29444 , H01L2224/29455 , H01L2224/32225 , H01L2924/07811 , H01L2924/15788 , H01L2924/00014 , H01L2924/0665 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种各向异性导电膜和半导体器件。所述膜使用了阴离子可固化化合物的芴取代生成物和实质上同阴离子可固化化合物可混合的自由基可固化化合物的芴取代生成物，从而实现了芴取代生成物的可混合性。更确切地说，所述各向异性导电膜包含了芴取代的苯氧树脂和同芴取代的苯氧树脂可混合的芴取代的丙烯酸酯，显示了低温下的快速固化性能以及高储能模量，实现了高可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103160219A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201210544591.X
申请日：2012-12-14
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C09J7/00 , C09J9/02 , C09J163/00 , H01L23/488
CPC classification number: H01B1/20 , C08K3/08 , C08K5/41 , C08K9/02 , C09J7/10 , C09J9/02 , C09J2201/602 , C09J2203/326 , C09J2205/102 , C09J2463/00 , H01B1/22 , H01L23/5328 , H01L24/29 , H01L2224/2929 , H01L2224/29316 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29355 , H01L2224/2939 , H01L2224/29393 , H01L2224/29439 , H01L2224/29444 , H01L2224/29455 , H01L2224/32225 , H01L2924/07802 , H01L2924/07811 , H01L2924/15788 , H01L2924/0665 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本申请公开了一种各向异性导电膜组合物和包含该组合物的各向异性导电膜以及半导体装置，所述组合物包含由式1表示的氢化双酚A型环氧单体或由式2表示的氢化双酚A型环氧低聚物；该组合物呈现了优异的防潮性和耐热性并在低温下可快速固化。[式1][式2]其中n为1至50的整数。
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公开(公告)号：CN101490621B
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN200780025924.5
申请日：2007-11-21
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: G03F7/004
CPC classification number: C08G77/50 , C08L83/14 , G03F7/11 , G03F7/2022 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/0271 , H01L21/31144 , H01L21/3122
Abstract: 本发明提供了一种用于加工抗蚀剂下层膜的硬掩模组合物。该硬掩模组合物包含有机硅聚合物和溶剂或溶剂混合物，其中有机硅聚合物是在酸催化剂存在下，通过缩聚由以下式1、2和3表示的化合物的水解产物而制备的：[R1O]3Si-X(1)，其中X是含有至少一个取代或未取代芳环的C6-C30官能团，而R1是C1-C6烷基；[R2O]3Si-R3(2)，其中R2是C1-C6烷基，而R3是C1-C12烷基；以及[R4O]3Si-Y-Si[OR5]3(3)，其中R4和R5每一个独立地是C1-C6烷基，而Y是选自由取代或未取代的芳环、直链或支链C1-C20亚烷基、含有芳环的C1-C20亚烷基、杂环、主链中的脲基或异氰尿酸酯基和含有至少一个多重键的C2-C20烃基组成的组中的连接基团。该硬掩模组合物表现出优异的膜特性和良好的储存稳定性，并且由于其令人满意的硬掩模特性而可以将良好图案转移到材料层。另外，该硬掩模组合物具有对O2等离子体气体在用于图案化的后续蚀刻的改善的蚀刻抗性。该硬掩模组合物可用来形成高度亲水性薄膜，因而可以有效改善薄膜与覆盖抗反射涂层的界面相容性。本发明还提供了一种使用该硬掩模组合物来生产半导体集成电路器件的方法。
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公开(公告)号：CN101759669B
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN200910250729.3
申请日：2009-12-09
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: C07D303/16
CPC classification number: C07D303/16 , C09K19/56 , G02F1/133711 , G02F1/133723 , G02F1/133788 , Y10T428/1005 , Y10T428/1018 , Y10T428/1023
Abstract: 本发明公开了一种用于液晶光取向剂的环氧化合物、液晶光取向剂和液晶光取向膜。所述环氧化合物由以下化学通式1表示：[化学通式1]在以上化学通式1中，每个取代基与说明书中定义的一致。因为根据本发明实施方式的环氧化合物通过简单制造工艺制备，所以可提供一种既经济又具有优异的基板适印性和可靠性以及极好的光电特性的液晶光取向剂和液晶光取向膜。
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