公开(公告)号：CN101238413B

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN200580051272.3

申请日：2005-12-09

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 吴昌一 ,  鱼东善 ,  金到贤 ,  李镇国 ,  南伊纳 ,  尹熙灿 ,  金钟涉

IPC: G03F7/004

CPC classification number: G03F7/091

Abstract: 提供了一种用于平版印刷工艺的具有增透特性的硬掩膜组合物及其使用方法和用该方法制成的半导体装置。本发明提供的增透硬掩膜组合物含有：(a)含有至少一种具有如说明书中所述的式(I)单体单元的聚合物的聚合物组分；(b)交联组分：和(c)酸催化剂。

公开(公告)号：CN101238414B

公开(公告)日：2011-03-09

申请号：CN200580051275.7

申请日：2005-12-09

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 吴昌一 ,  鱼东善 ,  金到贤 ,  李镇国 ,  南伊纳 ,  尹熙灿 ,  金钟涉

IPC: G03F7/004

CPC classification number: G03F7/091

Abstract: 提供了用于平版印刷工艺的具有增透特性的硬掩膜组合物及其使用方法和用该方法制成的半导体装置。本发明提供的增透硬掩膜组合物含有：(a)含有至少一种具有如说明书中所述的式(I)单体单元的聚合物的聚合物组分；(b)交联组分；和(c)酸催化剂。

公开(公告)号：CN101641390A

公开(公告)日：2010-02-03

申请号：CN200780052470.0

申请日：2007-12-31

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 金旼秀 ,  鱼东善 ,  吴昌一 ,  尹敬皓 ,  邢敬熙 ,  李镇国 ,  金钟涉 ,  田桓承 ,  南伊纳 ,  纳塔利娅·托克列娃

IPC: C08G61/12

CPC classification number: G03F7/091

Abstract: 本发明提供了一种具有抗反射性能的硬掩模组合物。该硬掩模组合物适合于光刻，提供了良好的光学和机械性能，并且表现出高蚀刻选择性。此外，该硬掩模组合物可以容易地通过旋涂(spin-on)施加技术而施用。有利地，该硬掩模组合物可用于短波长光刻并具有最小的残留酸含量。

公开(公告)号：CN103309162B

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201310071714.7

申请日：2013-03-06

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 李昌珉 ,  崔承集 ,  权智慧 ,  南伊纳 ,  朴镇晟 ,  李连洙 ,  河京珍

IPC: G03F7/075 ,  G03F7/004 ,  H01L51/52

CPC classification number: C09D183/06 ,  C08G77/20 ,  C08L83/06 ,  C08L2312/06 ,  C09D143/04 ,  Y10T428/23

Abstract: 本文披露了一种光固化组合物和包括含有其的阻挡层的封装装置，该光固化组合物包含（A）光固化单体和（B）含硅单体或其低聚物，其中，含硅单体由式1表示。

公开(公告)号：CN101641390B

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN200780052470.0

申请日：2007-12-31

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 金旼秀 ,  鱼东善 ,  吴昌一 ,  尹敬皓 ,  邢敬熙 ,  李镇国 ,  金钟涉 ,  田桓承 ,  南伊纳 ,  纳塔利娅·托克列娃

IPC: C08G61/12

CPC classification number: G03F7/091

Abstract: 本发明提供了一种具有抗反射性能的硬掩模组合物。该硬掩模组合物适合于光刻，提供了良好的光学和机械性能，并且表现出高蚀刻选择性。此外，该硬掩模组合物可以容易地通过旋涂(spin-on)施加技术而施用。有利地，该硬掩模组合物可用于短波长光刻并具有最小的残留酸含量。

公开(公告)号：CN101449207B

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN200680054744.5

申请日：2006-12-29

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 尹熙灿 ,  金相均 ,  林相学 ,  鱼东善 ,  金钟涉 ,  李镇国 ,  吴昌一 ,  金旼秀 ,  邢敬熙 ,  南伊纳

IPC: G03F7/004

Abstract: 本发明披露了一种抗反射硬掩膜组合物，其具有对于光刻工艺有用的抗反射性能。该硬掩膜组合物提供了优异的光学性能、优异的机械性能以及高的蚀刻选择性。另外，该硬掩膜组合物可以通过旋涂技术容易地施用。有利地，该硬掩膜组合物适用于短波长光刻工艺，并具有最小的剩余酸含量。

公开(公告)号：CN101370854A

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200780002634.9

申请日：2007-01-15

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 尹熙燦 ,  金相均 ,  林相学 ,  鱼东善 ,  金钟涉 ,  李镇国 ,  吴昌一 ,  金旼秀 ,  尹敬皓 ,  南伊纳

IPC: C08G77/00 ,  C08G77/02 ,  C08G77/08 ,  C08G77/06

CPC classification number: H01L21/31144 ,  C08G77/20 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/091 ,  H01L21/3121

Abstract: 根据本发明的一些实施方式，本发明提供了有机硅烷聚合物，该有机硅烷聚合物是通过使含有(a)至少一种式(I)的化合物Si(OR1)(OR2)(OR3)R4，其中R1、R2和R3可以各自独立地为烷基，且R4可以为－(CH2)nR5，其中R5为芳基或取代的芳基，且n可以为0或正整数；和(b)至少一种式(II)的化合物Si(OR6)(OR7)(OR8)R9，其中R6、R7和R8可以各自独立地为烷基或芳基，且R9可以为烷基的有机硅烷化合物反应而制备得到的。还提供了含有本发明实施方式的有机硅烷化合物或其水解产物的硬掩模组合物。还提供了使用本发明实施方式的硬掩模组合物制备半导体装置的方法，和由该硬掩模组合物制成的半导体装置。

公开(公告)号：CN101238413A

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN200580051272.3

申请日：2005-12-09

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 吴昌一 ,  鱼东善 ,  金到贤 ,  李镇国 ,  南伊纳 ,  尹熙灿 ,  金钟涉

IPC: G03F7/004

CPC classification number: G03F7/091

Abstract: 提供了一种用于平版印刷工艺的具有增透特性的硬掩膜组合物及其使用方法和用该方法制成的半导体装置。本发明提供的增透硬掩膜组合物含有：(a)含有至少一种具有如说明书中所述的式(I)单体单元的聚合物的聚合物组分；(b)交联组分：和(c)酸催化剂。

公开(公告)号：CN103309162A

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN201310071714.7

申请日：2013-03-06

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 李昌珉 ,  崔承集 ,  权智慧 ,  南伊纳 ,  朴镇晟 ,  李连洙 ,  河京珍

IPC: G03F7/075 ,  G03F7/004 ,  H01L51/52

CPC classification number: C09D183/06 ,  C08G77/20 ,  C08L83/06 ,  C08L2312/06 ,  C09D143/04 ,  Y10T428/23

Abstract: 本文披露了一种光固化组合物和包括含有其的阻挡层的封装装置，该光固化组合物包含（A）光固化单体和（B）含硅单体或其低聚物，其中，含硅单体由式1表示。

公开(公告)号：CN102486984A

公开(公告)日：2012-06-06

申请号：CN201110238281.0

申请日：2011-08-18

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 李吉成 ,  金兑中 ,  南伊纳 ,  郑名成 ,  河京珍

IPC: H01J17/04 ,  H01J11/22 ,  H01J9/02 ,  H01J17/49 ,  H01J11/10 ,  C09J125/08 ,  C09J131/02 ,  C09J133/26 ,  C09J133/14 ,  C09J133/10 ,  C09J133/02

Abstract: 本发明公开一种胶版印刷用电极组合物，本发明还公开了一种形成电极的方法，以及包括该电极的等离子体显示面板。该电极组合物包括导电性材料、有机粘结剂、玻璃粉和溶剂，其中，所述有机粘结剂是以下组分的共聚物：a)新癸酸酯单体、b)具有酰胺基的单体、以及c)乙烯性不饱和单体。该电极组合物包括单体(作为有机粘结剂)的特定组合的共聚物。该电极组合物具有良好的可转移性，能连续印刷至少300次，且能以改进的速度形成精美的电极图形。