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公开(公告)号:CN102432841A
公开(公告)日:2012-05-02
申请号:CN201110306447.8
申请日:2007-12-31
Applicant: 第一毛织株式会社
CPC classification number: G03F7/091 , C08G61/02 , C08G61/10 , G03F7/11 , Y10S438/952
Abstract: 提供了萘主链聚合物和含有该萘主链聚合物的抗反射硬掩模组合物以及材料层的图案化方法。所述硬掩模组合物含有有机溶剂、引发剂、和由式B表示的萘主链聚合物,这些在说明书中有描述。本发明的硬掩模组合物可以用于提供以很高的纵横比图案化的多层薄膜,并且可以将良好的图像转移至下层。另外,通过旋转涂覆技术可以很容易地施覆组合物。
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公开(公告)号:CN101198907B
公开(公告)日:2011-08-31
申请号:CN200580050080.0
申请日:2005-11-22
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: G03F7/11
CPC classification number: G03F7/091 , G03F7/0387 , Y10S430/115
Abstract: 提供了一种用于平版印刷工艺的具有增透特性的硬掩膜组合物及其使用方法和用该方法制成的半导体装置。本发明提供的增透硬掩膜组合物含有:(a)含有第一聚合物和第二聚合物的聚合物混合物,该第一聚合物含有一种或多种如说明书中所述的单体单元,该第二聚合物含有芳基;(b)交联组分:和(c)酸催化剂。
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公开(公告)号:CN101042533A
公开(公告)日:2007-09-26
申请号:CN200710007513.5
申请日:2007-01-30
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: G03F7/075 , G03F7/004 , G03F7/20 , G03F7/26 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供了硬掩模组合物,该组合物含有通过一种或多种式(I)化合物的反应所制备的有机硅烷聚合物,其中,R1、R2和R3可以各自独立地为烷基、乙酰氧基或肟;且R4可以是氢、烷基、芳基或芳烷基;并且其中有机硅烷聚合物具有大约1.1至大约2的多分散性。Si(OR1)(OR2)(OR3)R4(I)
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公开(公告)号:CN102060981B
公开(公告)日:2012-11-21
申请号:CN201010566229.3
申请日:2007-12-20
Applicant: 第一毛织株式会社
Abstract: 本发明提供了说明书中描述的式3的含芳环的聚合物。本发明还提供了一种具有增透特性的硬掩膜组合物,该组合物含有所述含芳环的聚合物。该硬掩膜组合物适用于平版印刷工艺并且具有优异的光学特性和机械特性。另外,该组合物易于通过旋转涂布技术施用。特别地,该组合物对干蚀刻有很高的抗蚀性。因此,该组合物可用于提供形成高纵横比图案的多层薄膜。
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公开(公告)号:CN101198907A
公开(公告)日:2008-06-11
申请号:CN200580050080.0
申请日:2005-11-22
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: G03F7/11
CPC classification number: G03F7/091 , G03F7/0387 , Y10S430/115
Abstract: 提供了一种用于平版印刷工艺的具有增透特性的硬掩膜组合物及其使用方法和用该方法制成的半导体装置。本发明提供的增透硬掩膜组合物含有:(a)含有第一聚合物和第二聚合物的聚合物混合物,该第一聚合物含有一种或多种如说明书中所述的单体单元,该第二聚合物含有芳基;(b)交联组分:和(c)酸催化剂。
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