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公开(公告)号：CN114114825A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202210096861.9
申请日：2022-01-27
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院 , 澳芯集成电路技术(广东)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种掩模版优化方法及晶体管栅极制作工艺方法，该方法基于OPC修正模型实现，其特征在于，掩模版优化步骤包括：提供一目标版图；基于目标版图获取待成型的掩模版图型，掩模版图型包括栅极图型；判断栅极图型的宽度尺寸是否符合预先设定的阈值，若是，则进入下一步骤；获取辅助图型，将辅助图型作为预补值，基于预补值构建OPC修正模型；通过OPC修正模型对交界区域的栅极图型进行自动修正，获得优化掩模版。
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公开(公告)号：CN118899321A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410978471.3
申请日：2024-07-19
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院 , 张江国家实验室
IPC: H01L27/12
Abstract: 本申请提供一种晶圆结构，包括衬底，以及衬底上的多个半导体器件组，每个半导体器件组包括至少一个半导体器件，半导体器件包括埋氧层、埋氧层上的沟道层和沟道层上的栅极结构，栅极结构包括从沟道层向上依次层叠的高k介质层、N型功函数层和金属间隙填充层，多个半导体器件组包括第一器件组和第二器件组，第一器件组和第二器件组中的半导体结构还包括P型功函数层。第一器件组中的半导体器件和第二器件组中的半导体器件中P型功函数层的厚度不同，和/或，第一器件组中的半导体器件和第二器件组中的半导体器件下方的衬底的掺杂状态不同，可以实现在同一晶圆上制造不同阈值电压的器件，易于实施，提高了器件的制造效率。
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公开(公告)号：CN118899265A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410978479.X
申请日：2024-07-19
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院 , 张江国家实验室
Abstract: 本申请提供一种晶圆结构的制造方法，包括提供衬底，以及在衬底上形成多个半导体器件组，每个半导体器件组包括至少一个半导体器件，半导体器件包括埋氧层、埋氧层上的沟道层和沟道层上的栅极结构，栅极结构包括从沟道层向上依次层叠的高k介质层、N型功函数层和金属间隙填充层，多个半导体器件组包括第一器件组和第二器件组，第一器件组和第二器件组中的半导体结构还包括P型功函数层。第一器件组中的半导体器件和第二器件组中的半导体器件中P型功函数层的厚度不同，和/或，第一器件组中的半导体器件和第二器件组中的半导体器件下方的衬底的掺杂状态不同，这样可以实现在同一晶圆上制造不同阈值电压的器件，易于实施，提高了器件的制造效率。
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公开(公告)号：CN118173144A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410346643.5
申请日：2024-03-25
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
Abstract: 本申请公开了一种实现同或逻辑运算的电路及系统，可应用于集成电路设计技术领域，该电路包括：第一存储单元以及第二存储单元；所述第一存储单元和所述第二存储单元串联；所述第一存储单元的输入电压和所述第二存储单元的输入电压互补。如此，利用两个晶体管栅极电压互补的存储单元串联来实现同或逻辑运算，从而只需要一条位线连接，两个存储单元初始化时也不需要独立写入，进而降低了电路的复杂度，提高了同或逻辑运算的电路的初始化效率。
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公开(公告)号：CN114361012B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202111678019.8
申请日：2021-12-31
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院 , 锐立平芯微电子(广州)有限责任公司
IPC: H01L21/027 , H01L21/033 , H01L21/311
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制作方法，通过第二光阻层和硬掩膜层共同作为掩膜以对待刻蚀层进行刻蚀，相较于仅仅通过第二光阻层为掩膜来刻蚀待刻蚀层的方式，本发明能够得到线宽尺寸更小的第二沟槽。本发明优化了半导体器件的制作方法，实现半导体器件中更微小尺寸的组成结构的制备。
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公开(公告)号：CN117560007A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311502740.0
申请日：2023-11-10
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
Abstract: 本申请实施例公开了一种逐次逼近型模数转换器，涉及电路技术领域。本申请实施例公开的一种逐次逼近型模数转换器包括：采样电路、电容型数模转换器、电压比较器和逐次逼近逻辑电路；电压比较器的输入端分别连接采样电路和电容型数模转换器，电压比较器的输出端连接逐次逼近逻辑电路，逐次逼近逻辑电路的输出端连接电容型数模转换器的输入端。由于逐次逼近逻辑电路是先从数字控制码的中位信号向高位信号进行高位部分逐次逼近，再从数字控制码的中位信号向低位信号进行低位部分逐次逼近，来得到数字量化结果，所以可以减少单次量化过程中的电压比较器工作次数，并避免高比特位电容在每次量化过程中都需要进行充放电，从而可以有效降低能量损耗。
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公开(公告)号：CN117560003A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311661672.2
申请日：2023-12-05
Applicant: 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
Abstract: 一种比较器失调校准装置及模数转换器。所述比较器失调校准装置校准逻辑控制单元、校准DAC单元及比较器控制单元；其中：所述校准逻辑控制单元，与待校准比较器连接，用于在所述待校准比较器失调时，生成校准码并存储；所述校准DAC单元，与所述逻辑控制单元连接，用于获取所述逻辑控制单元生成的校准码，并基于所述校准码产生校准信号，利用所述校准信号对所述待校准比较器进行校准；所述比较器控制单元，与所述校准逻辑控制单元连接，用于实时检测是否满足预设校准结束条件，并在满足所述预设校准结束条件时，生成检测结果信号，以关闭所述比较器校准装置。采用上述方案，可以降低校准功耗。
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公开(公告)号：CN114326339B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202210033157.9
申请日：2022-01-12
Applicant: 锐立平芯微电子(广州)有限责任公司 , 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
Abstract: 本申请实施例公开了一种提高透镜套刻精度的方法及装置，该方法包括：获取第一光罩图形，第一光罩图形用于在晶圆表面套刻生成预设图形；确定第一光罩图形中至少两条遮光条的遮光位置以及遮光间距；在至少两条遮光条的遮光间距内引入工艺增强辅助(dummy)图形和光学增强辅助(scattering bar)，生成第二光罩图形，第二光罩图形用于在晶圆表面套刻生成实际图形，以便光源通过投影透镜实现晶圆套刻，其中，dummy图形以及scattering bar用于减少光源对投影透镜的曝光，降低镜头受热。通过引入dummy图形和scattering bar的方式，可以有效减少光束对投影透镜造成的受热效应，提高投影透镜套刻精度。
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公开(公告)号：CN115881610A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211562114.6
申请日：2022-12-07
Applicant: 锐立平芯微电子(广州)有限责任公司 , 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院
IPC: H01L21/683 , F15B21/08 , H01L21/67
Abstract: 本申请公开了一种控制顶升机构运动速度的方法和装置，涉及半导体技术领域，方法包括：在双作用气缸的各个高压气流分支管路分别设置有调压阀和针阀；双作用气缸用于托举设静电吸盘，静电吸盘上方用于放置晶圆；在双作用气缸的主管路通入高压气体，并通过测试机台检测和收集顶升机构的运动速度；根据收集的顶升机构的运动曲线和针阀的实时数据，控制双作用气缸的进气量和针阀旋钮，将顶升机构的运动速度调节至目标范围内。本申请通过在静电吸盘下方设置多组顶升机构和双作用气缸，并在各分支高压气流分支管路上设置调压阀和针阀，实现气压和气流量的自由调节，避免晶圆抬升和下降过程出现震荡和偏移，延长静电吸盘的使用寿命。
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