公开(公告)号：CN119209185B

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202411709701.2

申请日：2024-11-27

Applicant: 中国科学院上海高等研究院 ,  张江国家实验室

Inventor： 齐争 ,  郭俊杰 ,  刘波 ,  冯冽 ,  肖诚成 ,  王震 ,  冯超

IPC: H01S3/09 ,  H01S4/00

Abstract: 本发明提供一种基于常温加速器的双脉冲自由电子激光产生装置，包括依次排布的用于产生双脉冲驱动激光的驱动激光系统、用于产生双脉冲电子束团的光阴极电子枪系统、用于加速双脉冲电子束团的常温直线加速器系统、以及用于辐射出双脉冲自由电子激光的波荡器系统。本发明还提供相应的基于常温加速器的双脉冲自由电子激光产生方法。本发明的基于常温加速器的双脉冲自由电子激光产生装置通过产生双脉冲驱动激光，在光阴极电子枪中产生双脉冲电子束团，再在平顶脉冲微波中实现双脉冲电子束团能量加速，最终在波荡器中实现双脉冲自由电子激光产生，来提高装置运行的重复频率。

公开(公告)号：CN118335133B

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202311828686.9

申请日：2023-12-27

Applicant: 张江国家实验室

Inventor： 蒋海军 ,  陈卓熙 ,  杨建国

IPC: G11C11/22

Abstract: 本公开提供一种基于铁电存储器的读写均衡电路、方法及铁电存储器，能够抑制铁电存储器的电滞回线漂移，提高可靠性。包括：读电路；写电路；感测器件；控制电路；以及预读检测电路，在铁电存储器的原始逻辑状态是第一逻辑状态且要对铁电存储器进行第一写入操作的情况下，由预读检测电路控制写电路进行第二写入操作后，由控制电路控制写电路进行第一写入操作，从而对铁电存储器写入与第一逻辑状态对应的数据。

公开(公告)号：CN119360989A

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202411385595.7

申请日：2024-09-30

Applicant: 上海大学 ,  张江国家实验室

Inventor： 任伟 ,  苏哲 ,  陈帅 ,  李东栋 ,  李永昌 ,  高瑞灵

IPC: G16C10/00 ,  H10D1/68

Abstract: 本发明涉及一种基于第一性原理计算预测二维氧化铪介电性的方法，具体步骤包括：S1，利用晶体结构建模软件切出氧化铪的不同表面，并在c方向添加真空层，得到二维氧化铪薄膜结构；S2，使用密度泛函理论软件计算不同二维结构的表面能，确定能量最低的稳定表面构型；S3，沿稳定晶面构建不同厚度的薄膜结构，使用密度泛函微扰理论方法计算静态和光学介电常数矩阵，分析薄膜厚度对介电常数的影响；S4，手动调整输入文件中的晶格常数a与b，评估晶格畸变对介电性的影响；S5，构建氧化铪与氧化锆生长界面的结构模型，考察界面应力对介电性的影响。与现有技术相比，本发明结合动态随机存储器的器件结构，为提升其电容器性能提供前瞻性的解决方案。

公开(公告)号：CN119342675A

公开(公告)日：2025-01-21

申请号：CN202411541047.9

申请日：2024-10-31

Applicant: 中国科学院上海高等研究院 ,  张江国家实验室

Inventor： 刘永芳 ,  刘波 ,  冯超 ,  袁启兵 ,  王震 ,  李涉英 ,  张捷 ,  齐争 ,  蒋轶周

IPC: H05H7/04 ,  H05H7/00 ,  H05H7/08 ,  H01F7/06

Abstract: 本发明涉及一种冲击磁铁系统及双束团分离系统，冲击磁铁系统包括真空室和固定于所述真空室内的冲击磁铁，所述冲击磁铁包括磁芯、线圈和外框，所述磁芯固定在所述外框内，所述磁芯具有窗口，所述线圈设于所述窗口内；所述线圈的第一端上连接有第一接头，所述线圈的第二端上设有第二接头，所述第一接头和所述第二接头延伸至所述外框之外；所述真空室上设有真空穿墙件电极接口，所述第一接头和所述第二接头分别与所述真空穿墙件电极接口电连接；所述真空室上还设有束流出口和束流进口，所述束流进口、所述窗口和所述束流出口依次连通。

公开(公告)号：CN119149111A

公开(公告)日：2024-12-17

申请号：CN202411063806.5

申请日：2024-08-05

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,  张江国家实验室

Inventor： 陈静 ,  肖寒 ,  赵瑞勇 ,  刘玉兰 ,  刘源祯

IPC: G06F9/38 ,  G06F9/30 ,  G06F9/312

Abstract: 本发明提供了一种采用存算一体仲裁器实现支持存算一体缓存的RISC‑VCPU架构，包括顺序流水线处理器、存算一体数据缓存、指令缓存、存算一体仲裁器。本发明通过采用传统顺序流水结构的顺序流水线处理器，并设计存算一体仲裁器，配合指令缓存以及存算一体数据缓存对顺序流水线处理器进行优化，合并能够合并的指令，从而提高流水线处理效率，并降低能耗，从而实现更加高性能低功耗的RISC‑V CPU。

公开(公告)号：CN118699545A

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202310310133.8

申请日：2023-03-27

Applicant: 张江国家实验室

Inventor： 何飞 ,  请求不公布姓名 ,  请求不公布姓名 ,  请求不公布姓名

IPC: B23K26/0622 ,  B23K26/70

Abstract: 本发明提供一种基于飞秒激光制备的柔性神经电极及方法，将MEMS工艺与飞秒激光加工制造相结合，可无掩膜形成高密度、线路长的导线，以得到高加工精度、高成品率、高密度、高通量、具有三维结构的柔性神经电极，可消除MEMS工艺的局限性，扩大柔性神经电极的应用。

公开(公告)号：CN118630078A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202310214574.8

申请日：2023-03-07

Applicant: 张江国家实验室

Inventor： 万景 ,  熊诗圣 ,  唐诗航

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/18 ,  H01L21/308

Abstract: 本公开涉及一种器件制备方法和半导体器件。其中，器件制备方法包括：提供待处理组件，其中，所述待处理组件包括功能材料层；在所述待处理组件上方沉积共聚物材料层，其中，所述共聚物材料层包括第一聚合物和第二聚合物；基于第一聚合物和第二聚合物的微相分离形成图案化的第一聚合物层；以及至少以所述图案化的第一聚合物层为掩模，对所述功能材料层进行刻蚀，直至所述功能材料层的至少一部分形成为包含具有目标刻蚀深度的目标微结构的功能部。

公开(公告)号：CN118476813A

公开(公告)日：2024-08-13

申请号：CN202310099548.5

申请日：2023-02-10

Applicant: 张江国家实验室 ,  中国科学院上海光学精密机械研究所

Inventor： 何飞 ,  师亚洲 ,  刘岳圻 ,  马浩然

IPC: A61B5/25 ,  A61N1/05

Abstract: 本申请提供一种柔性神经电极及柔性神经电极植入系统，涉及电极技术领域。其中的柔性神经电极，包括：电极本体，所述电极本体包括沿沿平行于所述电极本体的轴线的第一方向依次布设的第一部分和第二部分，其中，所述电极本体的尖端位于所述第一部分；所述电极本体的尾端位于所述第二部分；磁性涂层，所述磁性涂层包覆在所述第一部分；当对所述柔性神经电极施加磁场时，所述磁性涂层带动所述电极本体移动，使所述电极本体移动到目标神经组织区域。该柔性神经电极，可以实现电极更灵活的植入路径选择，可以灵活的绕开血管并且实现跨越多个神经组织区域的神经记录与调控，提升神经电极植入的灵活性。

公开(公告)号：CN118448249A

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202410607208.3

申请日：2024-05-15

Applicant: 张江国家实验室

Inventor： 熊诗圣 ,  张艳 ,  陶莎 ,  吴智勇

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/033

Abstract: 本发明涉及一种用于半导体工艺的图案化方法，其利用PTD光刻胶来来代替NTD光刻胶，通过刻蚀工艺将光刻胶引导图形转移至平坦化涂层，然后在平坦化涂层的开口中进行DSA图形微缩工艺，修饰平坦化涂层的关键尺寸，并将图案直接转移到硬掩模上。

公开(公告)号：CN118363259A

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202310079641.X

申请日：2023-01-17

Applicant: 张江国家实验室

Inventor： 张哲炜 ,  杨海波 ,  黄河 ,  刘鹏 ,  徐怀宇

IPC: G03F7/00 ,  G03F7/16 ,  G02B6/13

Abstract: 本发明提供一种纳米压印模板制备方法及光波导制备方法，其中，纳米压印模板制备方法包括如下步骤：提供表面形成有氧化硅层的衬底；对所述氧化硅层进行图形化处理，使得所述氧化硅层形成图形结构，所述图形结构具有微纳米级的尺寸；以及对形成了所述图形结构的所述衬底进行热处理，制备得到纳米压印模板。本发明的光波导制备方法利用上述纳米压印模板进行纳米压印，从而制得低损耗的光波导。