公开(公告)号：CN119360989A

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202411385595.7

申请日：2024-09-30

Applicant: 上海大学 ,  张江国家实验室

Inventor： 任伟 ,  苏哲 ,  陈帅 ,  李东栋 ,  李永昌 ,  高瑞灵

IPC: G16C10/00 ,  H10D1/68

Abstract: 本发明涉及一种基于第一性原理计算预测二维氧化铪介电性的方法，具体步骤包括：S1，利用晶体结构建模软件切出氧化铪的不同表面，并在c方向添加真空层，得到二维氧化铪薄膜结构；S2，使用密度泛函理论软件计算不同二维结构的表面能，确定能量最低的稳定表面构型；S3，沿稳定晶面构建不同厚度的薄膜结构，使用密度泛函微扰理论方法计算静态和光学介电常数矩阵，分析薄膜厚度对介电常数的影响；S4，手动调整输入文件中的晶格常数a与b，评估晶格畸变对介电性的影响；S5，构建氧化铪与氧化锆生长界面的结构模型，考察界面应力对介电性的影响。与现有技术相比，本发明结合动态随机存储器的器件结构，为提升其电容器性能提供前瞻性的解决方案。

公开(公告)号：CN119571280A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202411677025.5

申请日：2024-11-22

Applicant: 上海交通大学 ,  张江国家实验室

Inventor： 李秀妍 ,  崔天宁 ,  司梦维 ,  李东栋 ,  孔帅 ,  吕丹

IPC: C23C14/58 ,  C23C16/56 ,  C23C16/455 ,  C23C14/35 ,  C23C14/28 ,  C23C14/54 ,  C23C16/52 ,  C23C14/08 ,  C23C16/40 ,  H01L21/3105

Abstract: 本发明提供一种铪基薄膜晶体结构的调控方法，包括：提供一衬底；在所述衬底上制备铪基薄膜，通过控制铪基薄膜的制备参数，改变铪基薄膜的应变；对薄膜结构进行热退火，基于铪基薄膜的温度‑应变相图，通过控制退火温度调控铪基薄膜的晶体结构。本发明通过调控铪基薄膜制备过程中的参数向薄膜中引入不同大小的应变，进而通过协同控制退火过程中的温度和铪基薄膜的应变，达到有效、精细调节铪基薄膜的晶体结构的目的，能够实现对材料性能的优化，本发明的调控方法比传统的单一温度或薄膜参数控制更为精确且有效。