公开(公告)号：CN119360989A

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202411385595.7

申请日：2024-09-30

Applicant: 上海大学 ,  张江国家实验室

Inventor： 任伟 ,  苏哲 ,  陈帅 ,  李东栋 ,  李永昌 ,  高瑞灵

IPC: G16C10/00 ,  H10D1/68

Abstract: 本发明涉及一种基于第一性原理计算预测二维氧化铪介电性的方法，具体步骤包括：S1，利用晶体结构建模软件切出氧化铪的不同表面，并在c方向添加真空层，得到二维氧化铪薄膜结构；S2，使用密度泛函理论软件计算不同二维结构的表面能，确定能量最低的稳定表面构型；S3，沿稳定晶面构建不同厚度的薄膜结构，使用密度泛函微扰理论方法计算静态和光学介电常数矩阵，分析薄膜厚度对介电常数的影响；S4，手动调整输入文件中的晶格常数a与b，评估晶格畸变对介电性的影响；S5，构建氧化铪与氧化锆生长界面的结构模型，考察界面应力对介电性的影响。与现有技术相比，本发明结合动态随机存储器的器件结构，为提升其电容器性能提供前瞻性的解决方案。