半导体异质结构
    72.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101207016B

    公开(公告)日:2012-04-25

    申请号:CN200710199698.4

    申请日:2007-12-17

    IPC分类号: H01L29/15

    摘要: 本发明涉及一种半导体异质结构,其包括具有第一面内晶格常数的支撑衬底、在衬底上形成的顶部具有第二面内晶格常数且处于松弛状态的缓冲结构以及在缓冲结构上形成的非渐变层的多层堆叠。本发明的目的在于提供一种上述类型的具有较小表面粗糙度的半导体异质结构。一种上述类型的异质结构实现了这一目的,其中上述的非渐变层为应变层,该应变层包括至少一个半导体材料的处于松弛状态并具有第三面内晶格常数的应变平滑层,其中该第三面内晶格常数介于第一晶格常数与第二晶格常数之间。