发明公开
- 专利标题: 衬底结构及其制造方法
- 专利标题(英): Substrate structures and methods of manufacturing the same
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申请号: CN201010256572.8申请日: 2010-08-17
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公开(公告)号: CN101997071A公开(公告)日: 2011-03-30
- 发明人: 金峻渊 , 洪贤基 , 卓泳助 , 李在原 , 丁亨洙
- 申请人: 三星电子株式会社
- 申请人地址: 韩国京畿道
- 专利权人: 三星电子株式会社
- 当前专利权人: 三星电子株式会社
- 当前专利权人地址: 韩国京畿道
- 代理机构: 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 冯玉清
- 优先权: 75733/09 2009.08.17 KR
- 主分类号: H01L33/20
- IPC分类号: H01L33/20 ; H01L33/00
摘要:
本发明涉及衬底结构及其制造方法。通过在缓冲层之下形成衬底的突出区域以及在缓冲层上形成半导体层而制造衬底结构,由此在除了在形成突出部的区域以外的区域将衬底与缓冲层分开。不与衬底接触的缓冲层上的半导体层具有独立特性,可以减少或防止位错或裂纹。
公开/授权文献
- CN101997071B 衬底结构及其制造方法 公开/授权日:2015-06-10
IPC分类: