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公开(公告)号：CN102610706B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201110026126.2
申请日：2011-01-24
申请人： 晶能光电(江西)有限公司
摘要： 本发明公开了一种铟镓铝氮基发光器件制造过程中的应力调节方法，涉及一种铟镓铝氮基半导体发光器件。该方法用于释放调节铟镓铝氮薄膜的应力，使器件的光电性能和可靠性获得提高。该方法包括：在生长衬底上形成铟镓铝氮薄膜；在铟镓铝氮薄膜上形成有呈图形化的、膨胀系数小于或者大于所述铟镓铝氮薄膜的应力调节筋，该应力调节筋减弱后续加工对铟镓铝氮薄膜产生的应力的变化趋势。本发明提出在铟镓铝氮薄膜上面制备一种图形化的应力调节筋结构，该应力调节筋附着在铟镓铝氮薄膜的表面，具有足以影响铟镓铝氮薄膜的应力的厚度。该应力调节筋所用的材料选择是根据制造的需要而选择相适应热膨胀系数的材料。
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公开(公告)号：CN102790138A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201110132423.5
申请日：2011-05-19
申请人： 易美芯光(北京)科技有限公司 , 晶能光电(江西)有限公司
摘要： 本发明公开了一种GaN基薄膜芯片的生产方法，涉及半导体发光器件的制备工艺，用于解决在剥离蓝宝石衬底时GaN薄膜损伤的问题。该生产方法包括在蓝宝石衬底上生长n型GaN层、活性层、p型GaN层，形成外延层；刻蚀外延层；在外延层上涂胶，黏附第一临时基板并固化；对蓝宝石衬底进行激光剥离；将剥离后的表面与第二临时基板键合；除掉第一临时基板和胶层，露出外延层；与永久支撑基板进行键合；腐蚀第二基板。本发明由于采用了多次转移，并且在第二次转移过程中，采取了键合的方式固定第二临时基板，可以使得第一次临时基板和相应的胶可以很顺利的腐蚀掉，使得工艺带来方便，提高了生产的良率。
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公开(公告)号：CN102610723A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201110026135.1
申请日：2011-01-24
申请人： 晶能光电(江西)有限公司
摘要： 本发明公开了一种变形的铟镓铝氮基半导体发光器件及其制造方法，涉及铟镓铝氮基半导体发光器件，其通过改善电子分布使器件的光电性能和可靠性获得提高。本发明提出变形的铟镓铝氮基半导体发光器件包括支撑衬底，以及支撑衬底上的多层半导体结构，所述多层半导体结构呈弧形曲面。本发明提出方法包括：在铟镓铝氮薄膜上制作紫外固化胶层；在紫外固化胶层上制作透紫外光支撑基板；用紫外光照射，使紫外固化胶固化，紫外固化胶固化收缩使铟镓铝氮薄膜呈现弯曲形状。增大了欧姆接触层与发光层的有效接触面积，使得发光效率得以提高。从而使器件的光电性能和可靠性得到提高。
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公开(公告)号：CN102610707A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201110026143.6
申请日：2011-01-24
申请人： 晶能光电(江西)有限公司
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L33/007 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明公开了一种缓解铟镓铝氮薄膜应力的半导体器件的制造方法，涉及半导体器件的制造方法，特别是涉及铟镓铝氮基半导体发光器件，其用于释放调节铟镓铝氮薄膜的应力，使器件的光电性能和可靠性获得提高。本发明方案包括：在生长衬底上外延铟镓铝氮薄膜；针对由于生长衬底与铟镓铝氮的热膨胀系数的差异而产生的应力，而进行至少两次将铟镓铝氮薄膜由当前衬底转移到另一个衬底上的衬底转移，该次衬底转移释放调节铟镓铝氮薄膜在生长过程中积存的应力。本发明主要用于半导体发光器件上。
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公开(公告)号：CN101378102A
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200710168024.8
申请日：2007-11-02
申请人： 晶能光电(江西)有限公司
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/0262 , H01L33/007
摘要： 本发明的一个实施例提供一种基于氮化镓(GaN)的半导体发光器件(LED)，包括：n型基于GaN的半导体层(n型层)；有源层；以及p型基于GaN的半导体层(p型层)。在生长有源层与p型层之前通过使用氨气(NH3)作为氮源来外延地生长n型层。在V族元素和III族元素之间的流速比率从初始值逐渐地减少到最终值。基于GaN的LED表现出等于或者大于60伏特的反向击穿电压。
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公开(公告)号：CN102637593B
公开(公告)日：2017-09-19
申请号：CN201210071424.8
申请日：2012-03-19
申请人： 晶能光电(江西)有限公司
IPC分类号： H01L21/324
摘要： 本发明公开了一种对外延片进行快速退火合金的方法及设备，涉及半导体外延片的退火合金工艺及其设备，用于解决现有技术存在的效率低、产品质量差的问题，本发明的技术方案。包括以下步骤：使导热板与加热板处于分离状态，将外延片放置在导热板上；使加热板的温度达到预设的温度，使导热板和加热板发生相向运动，并相接触，进行热交换；当达到工艺所需的温度和时间后，使导热板与加热板分离，导热板降温；当外延片降到所需温度后，将其取下。本发明可以实现外延片的快速降温，提高效率，并提高外延片的质量。本发明的方法和设备适合于半导体外延片的退火、合金等工艺。
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公开(公告)号：CN102067339B
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN200880130784.2
申请日：2008-08-19
申请人： 晶能光电(江西)有限公司
CPC分类号： H01L33/0079 , H01L33/007 , H01L33/382 , H01L33/44
摘要： 本发明的一个实施例提供一种制备发光二极管的方法。该方法包括在生长衬底上刻蚀凹槽，从而在所述生长衬底上形成台面。该方法进一步包括在所述每个台面上制备铟镓铝氮(InGaAlN)多层结构，该结构包括p-型层、多量子阱层、以及n-型层。此外，该方法包括在所述InGaAlN多层结构上沉积一层或多层金属衬底层。该方法还包括剥离所述生长衬底。该方法进一步包括在所述InGaAlN多层结构的两侧形成电极，从而得到垂直电极结构。
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公开(公告)号：CN102790137A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201110132402.3
申请日：2011-05-19
申请人： 晶能光电(江西)有限公司 , 易美芯光(北京)科技有限公司
IPC分类号： H01L33/00
摘要： 本发明提供一种GaN基薄膜芯片的制备方法，涉及半导体发光器件的制备工艺，用于解决在剥离蓝宝石衬底时发生的外延薄膜破裂的问题。该制备方法包括以下步骤：在蓝宝石衬底上依次生长n型GaN层、活性层、p型GaN层，形成半导体多层结构；对蓝宝石衬底进行减薄和抛光处理；在半导体多层结构和导电反射复合金属层上涂第一胶，与第一临时基板进行固化；将蓝宝石衬底进行激光剥离，在剥离面涂第二胶，并固化到第二临时基板；将第一临时基板和第一胶去掉；采用共晶键合方式将所述半导体多层结构与永久支撑基板结合；去掉第二临时基板和第二胶。本发明可以降低对氮化镓膜的损伤，可以大大提高通过这种工艺得到的GaN基薄膜芯片的良率。
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公开(公告)号：CN101271916B
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200810106851.9
申请日：2008-05-09
申请人： 晶能光电(江西)有限公司
摘要： 本发明公开了一种抗静电氮化镓发光器件及其制造方法，该发光器件具有较好的抗静电能力，在一定程度上避免静电对发光器件的损坏。该发光器件包括发光薄膜、分别形成在发光薄膜上面和下面的第一电极和第二电极，所述发光器件还包括形成在所述第一电极中或者所述第二电极中的大电子迁移率电感线圈；所述大电子迁移率电感线圈形成在所述发光薄膜的上面或下面，或者第一电极中的导电体层上面或下面，或者第二电极中的导电体层上面或下面；所述大电子迁移率电感线圈材料的电子迁移率大于与之接触导电体层材料的电子迁移率。本发明主要用于防止静电对半导体发光器件的破坏。
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公开(公告)号：CN101840967A
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN200910115324.9
申请日：2009-05-08
申请人： 晶能光电(江西)有限公司
摘要： 本发明提供一种铟镓铝氮半导体发光器件及其制备方法。该器件包括：金属衬底；位于金属衬底上的铟镓铝氮多量子阱半导体发光薄膜；位于P型掺杂层和金属衬底之间的P型欧姆接触金属层；以及与N型掺杂层相连的N型电极。铟镓铝氮多量子阱半导体发光薄膜包括P型掺杂层，位于P型掺杂层上的N型掺杂层，以及位于N型掺杂层和P型掺杂层间的多量子阱发光层。该方法包括：铟镓铝氮多量子阱半导体发光薄膜在硅生长衬底上外延生长，随后利用以下两步骤将硅生长衬底去除：机械研磨硅生长衬底以减薄衬底至2～50μm，然后应用干法刻蚀技术刻蚀掉已减薄的硅生长衬底。
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