公开(公告)号：CN104695007A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201410741299.6

申请日：2014-12-05

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 新谷尚史 ,  滨口优 ,  山形则男 ,  美浓轮武久

IPC: C30B11/00 ,  C30B29/36

CPC classification number: C30B13/02 ,  C30B9/10 ,  C30B11/08 ,  C30B13/14 ,  C30B15/02 ,  C30B15/10 ,  C30B15/206 ,  C30B17/00 ,  C30B19/04 ,  C30B29/36

Abstract: 本发明的利用溶液法的碳化硅的晶体生长方法中，作为Si-C溶液的收容部，使用以SiC为主要成分的坩埚。通过加热该SiC坩埚，例如形成坩埚内的等温线呈向下侧凸出的温度分布，使源自作为该坩埚的主要成分的SiC的Si和C从与Si-C溶液接触的坩埚表面的高温区域向Si-C溶液内溶出，抑制与Si-C溶液接触的坩埚表面的SiC多晶的析出。从坩埚的上部使SiC籽晶与这种状态的Si-C溶液接触，从而使SiC单晶在该SiC籽晶上生长。通过使用以SiC为主要成分的坩埚，Si-C溶液的组成变动少，还抑制了在坩埚的内壁析出的多晶、添加金属元素M与碳C结合而形成的金属碳化物的产生。

公开(公告)号：CN104347395A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410381875.0

申请日：2014-08-05

Applicant: 环球晶圆日本股份有限公司

Inventor： 荒木浩司 ,  青木龙彦 ,  须藤治生 ,  仙田刚士

IPC: H01L21/322 ,  C30B29/06

CPC classification number: H01L21/02008 ,  C30B15/206 ,  C30B29/06 ,  C30B33/02 ,  H01L21/3225 ,  H01L21/324 ,  Y10T428/24488 ,  Y10T428/31

Abstract: 本发明提供一种抑制半导体器件形成工序中的热处理时的滑移位错的产生，且减少器件形成区域的COP、氧析出核等晶体缺陷，并且主体部的氧析出核在面内径向被均匀控制的硅晶片及其制造方法。对从利用切克劳斯基法培养的硅单晶锭切片得到的晶片实施在含氧气氛中、最高到达温度1300～1380℃的范围内保持3～60秒的迅速升降温热处理后，将晶片的器件形成面(1)除去利用下述式(1)～(3)算出的X的值以上。X[μm]＝a[μm]+b[μm]…(1)；a[μm]＝(0.0031×最高到达温度[℃]-3.1)×6.4×降温速度-0.4[℃/秒]…(2)；b[μm]＝a/(氧固溶限[atoms/cm3]/基板氧浓度[atoms/cm3])…(3)。

公开(公告)号：CN103510153A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201210489256.4

申请日：2012-11-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 薛森鸿 ,  陈步芳 ,  王祥保

IPC: C30B15/00 ,  C30B15/04

CPC classification number: C30B15/04 ,  C30B15/00 ,  C30B15/203 ,  C30B15/206 ,  C30B15/22 ,  C30B29/06 ,  C30B31/02 ,  C30B31/04 ,  C30B31/165 ,  C30B33/00 ,  H01L21/0201 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3225 ,  H01L21/76224 ,  H01L29/365 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供了一种用于为半导体晶圆提供支承的系统和方法。实施例包括从半导体晶锭分离半导体晶圆之前，在半导体晶锭形成期间引入空位增强原料。空位增强原料在半导体晶锭内以高密度形成空位，并且所述空位在诸如退火的高温度工艺期间在半导体晶圆内形成体微缺陷。这些体微缺陷有助于在后续工艺期间提供支承和增强半导体晶圆并且有助于减少或者消除可能出现的指纹覆盖。本发明还提供了半导体结构和方法。

公开(公告)号：CN101522961B

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN200780035269.1

申请日：2007-09-21

Applicant: 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司

Inventor： V·塔塔拉切科 ,  C·D·琼斯 ,  S·A·扎内拉 ,  J·W·洛切 ,  F·普拉纳迪

IPC: C30B15/34 ,  C30B29/20

CPC classification number: C30B15/206 ,  C30B15/14 ,  C30B15/34 ,  C30B29/20 ,  Y10T117/1092 ,  Y10T428/23986

Abstract: 本发明揭示了一种用来制备C-平面单晶蓝宝石的方法和设备。所述方法和设备可以使用边缘限制的膜进料生长技术来制备具有低多晶性和/或低位错密度的单晶材料。

公开(公告)号：CN101070621B

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN200710089120.3

申请日：1998-04-09

Applicant: MEMC电子材料有限公司

Inventor： R·法尔斯特 ,  S·A·马克格拉夫 ,  S·A·麦克奎德 ,  J·C·侯泽 ,  P·穆提 ,  B·K·约翰逊 ,  M·科纳拉 ,  D·甘巴罗 ,  M·欧默

IPC: C30B33/02 ,  C30B29/06

CPC classification number: C30B29/06 ,  C30B15/00 ,  C30B15/14 ,  C30B15/203 ,  C30B15/206 ,  C30B33/00 ,  H01L21/3225 ,  Y10T117/1004 ,  Y10T428/21

Abstract: 一种单晶硅晶片，在基本上任何电子器件制造工艺的热处理周期中将形成理想的非均匀深度分布的氧沉淀。该晶片的特征在于，具有非均匀分布的晶格空位，本体层中空位的浓度大于表面层中空位的浓度，空位的浓度分布为空位的峰值密度处于或靠近中心平面，该浓度一般在晶片正面方向从峰值密度下降。在一个实施例中，晶片的特征还在于，具有第一轴对称区，其中空位为主要本征点缺陷，且基本上没有聚集的本征点缺陷，其中第一轴对称区包括中心轴或其宽度至少为约15mm。在另一实施例中，晶片的特征还在于，具有基本上没有聚集本征点缺陷的轴对称区，该轴对称区从晶片的周边径向向内延伸，从周边径向向中心轴测量其宽度至少为晶片半径长度的约40％。

公开(公告)号：CN102031557A

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN201010510963.8

申请日：2010-10-08

Applicant: 硅电子股份公司

Inventor： 中居克彦 ,  T·米勒 ,  碇敦 ,  W·冯阿蒙 ,  M·韦伯

IPC: C30B15/04 ,  H01L21/02

CPC classification number: C30B29/06 ,  C30B15/02 ,  C30B15/04 ,  C30B15/20 ,  C30B15/206 ,  Y10T428/12528

Abstract: 本发明的目的是在其中加入氢的情况下，抑制并防止由硅基底晶片的空隙产生的外延层缺陷。上述问题通过包括以下步骤的制备外延晶片的方法解决：通过切克劳斯基方法生长硅晶体的步骤，包括加入氢和氮到硅熔体中，并且从硅熔体生长氮浓度为3×1013cm-3-3×1014cm-3的硅晶体的步骤；机械加工所述硅晶体制备硅基底的步骤；以及在硅基底表面上形成外延层的步骤。

公开(公告)号：CN101522961A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200780035269.1

申请日：2007-09-21

Applicant: 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司

Inventor： V·塔塔拉切科 ,  C·D·琼斯 ,  S·A·扎内拉 ,  J·W·洛切 ,  F·普拉纳迪

IPC: C30B15/34 ,  C30B29/20

CPC classification number: C30B15/206 ,  C30B15/14 ,  C30B15/34 ,  C30B29/20 ,  Y10T117/1092 ,  Y10T428/23986

Abstract: 本发明揭示了一种用来制备C－平面单晶蓝宝石的方法和设备。所述方法和设备可以使用边缘限制的膜进料生长技术来制备具有低多晶性和/或低位错密度的单晶材料。

公开(公告)号：CN101187058A

公开(公告)日：2008-05-28

申请号：CN200710153492.8

申请日：2007-09-20

Applicant: 硅电子股份公司

Inventor： 中居克彦 ,  W·v·阿蒙 ,  福岛圣 ,  H·施密特 ,  M·韦伯

IPC: C30B29/06 ,  C30B33/02 ,  H01L21/02 ,  H01L21/322

CPC classification number: H01L21/3225 ,  C30B15/206 ,  C30B29/06 ,  C30B33/00 ,  Y10T428/24992

Abstract: 本发明提供其中滑移位错及翘曲均被抑制得极小且适合于直径增大的高品质硅晶片及其制造方法。获得存在于与硅晶片表面的距离等于或大于20μm的深位置处的尺寸为20nm至40nm的BMD的密度在5×1011/cm3至5×1013/cm3的范围内且尺寸为300nm或更大的BMD的密度等于或小于1×107/cm3的硅晶片。

公开(公告)号：CN1313651C

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：CN99806946.9

申请日：1999-10-13

Applicant: MEMC电子材料有限公司

Inventor： L·穆勒斯塔格诺 ,  L·菲 ,  J·C·霍尔泽 ,  H·W·科博 ,  R·J·法尔斯特

IPC: C30B15/00 ,  C30B29/06

CPC classification number: C30B29/06 ,  C30B15/203 ,  C30B15/206 ,  Y10T117/1004

Abstract: 本发明的目的与一组安装在硅片盒、硅片舟或其他硅片载体内的外延硅片有关。每个硅片包括一片单晶硅衬底，该衬底含有一个以硅自-填隙原子为主要本征点缺陷、且基本无聚集填隙原子缺陷的轴对称区；还包含一层外延层，该外延层淀积于该衬底表面、且基本不含有因生长外延层的衬底表面存在聚集硅自-填隙原子缺陷而形成的生长缺陷。

公开(公告)号：CN1936112A

公开(公告)日：2007-03-28

申请号：CN200610139268.9

申请日：1998-04-09

Applicant: MEMC电子材料有限公司

Inventor： R·法尔斯特 ,  J·C·霍尔泽

IPC: C30B29/06 ,  C30B15/00

CPC classification number: C30B29/06 ,  C30B15/00 ,  C30B15/14 ,  C30B15/203 ,  C30B15/206 ,  C30B33/00 ,  H01L21/3225 ,  Y10T117/1004 ,  Y10T428/21

Abstract: 本发明涉及具有不含聚集本征点缺陷轴对称区的单晶硅(硅棒或硅片形式)及其制备工艺。这种生长单晶硅棒的工艺包括在自－填隙原子很活跃的温度范围内控制生长条件，如生长速度V、瞬时轴向温度梯度G0以及冷却速度，以避免这类聚集缺陷的形成。在晶棒形式下，从晶棒的圆周边径向朝中心轴测得的轴对称区宽度至少约为晶棒半径长度的30％，沿中心轴测得的轴对称区长度至少约为晶棒恒定直径段长度的20％。