公开(公告)号：CN1307653A

公开(公告)日：2001-08-08

申请号：CN99806946.9

申请日：1999-10-13

Applicant: MEMC电子材料有限公司

Inventor： L·穆勒斯塔格诺 ,  L·菲 ,  J·C·霍尔泽 ,  H·W·科博 ,  R·J·法尔斯特

IPC: C30B15/00 ,  C30B29/06

CPC classification number: C30B29/06 ,  C30B15/203 ,  C30B15/206 ,  Y10T117/1004

Abstract: 本发明的目的与一组安装在硅片盒、硅片舟或其他硅片载体内的外延硅片有关。每个硅片包括一片单晶硅衬底,该衬底含有一个以硅自－填隙原子为主要本征点缺陷、且基本无聚集填隙原子缺陷的轴对称区;还包含一层外延层,该外延层淀积于该衬底表面、且基本不含有因生长外延层的衬底表面存在聚集硅自－填隙原子缺陷而形成的生长缺陷。

公开(公告)号：CN101273449A

公开(公告)日：2008-09-24

申请号：CN200680035335.0

申请日：2006-08-01

Applicant: MEMC电子材料有限公司

Inventor： M·R·西克瑞斯特 ,  L·菲

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/30604 ,  H01L21/76254

Abstract: 本发明总体上涉及应变绝缘体上硅(SSOI)结构，以及用于制造该结构的方法。该方法包括SSOI结构的高温热退火以提高应变硅层的结晶度，同时保持其中存在的应变。

公开(公告)号：CN1313651C

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：CN99806946.9

申请日：1999-10-13

Applicant: MEMC电子材料有限公司

Inventor： L·穆勒斯塔格诺 ,  L·菲 ,  J·C·霍尔泽 ,  H·W·科博 ,  R·J·法尔斯特

IPC: C30B15/00 ,  C30B29/06

CPC classification number: C30B29/06 ,  C30B15/203 ,  C30B15/206 ,  Y10T117/1004

Abstract: 本发明的目的与一组安装在硅片盒、硅片舟或其他硅片载体内的外延硅片有关。每个硅片包括一片单晶硅衬底，该衬底含有一个以硅自-填隙原子为主要本征点缺陷、且基本无聚集填隙原子缺陷的轴对称区；还包含一层外延层，该外延层淀积于该衬底表面、且基本不含有因生长外延层的衬底表面存在聚集硅自-填隙原子缺陷而形成的生长缺陷。