公开(公告)号：CN1796620A

公开(公告)日：2006-07-05

申请号：CN200510073150.6

申请日：2005-05-31

Applicant: MEMC电子材料有限公司

Inventor： M·R·西克瑞斯特 ,  G·M·威尔逊 ,  R·W·斯坦德利

IPC: C30B29/00 ,  C30B29/06 ,  C30B29/08 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种异质外延半导体晶片，其包括一形成该晶片的正面的异质外延层，该异质外延层包含一种其晶体结构与该晶片的主要材料不同的次要材料。该异质外延层基本上没有缺陷。一表面层包含该主要材料而不含该次要材料。该表面层与该异质外延层邻接。一主体层包含该主要材料而不含该次要材料。该主体层与该表面层邻接并延伸通过该中心平面。本发明公开了一种SOI晶片和一种制造晶片的方法。

公开(公告)号：CN101410977A

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200780011360.X

申请日：2007-01-26

Applicant: MEMC电子材料有限公司

Inventor： M·R·西克瑞斯特

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/36 ,  H01L31/0352

CPC classification number: H01L21/30608 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/22 ,  H01L21/2253 ,  H01L27/14601 ,  H01L27/1464 ,  H01L29/02 ,  H01L29/36 ,  H01L31/03529

Abstract: 本发明一般涉及一种外延硅半导体晶片，其具有增加了的热导率，以将热量从器件层传递走，同时还具有对例如闩锁失效和辐射效应失效的常见失效机理的抵抗力。所述半导体晶片包括轻掺杂器件层、高掺杂保护层以及轻掺杂衬底。本发明还涉及一种形成这种外延硅晶片的方法。

公开(公告)号：CN101273449A

公开(公告)日：2008-09-24

申请号：CN200680035335.0

申请日：2006-08-01

Applicant: MEMC电子材料有限公司

Inventor： M·R·西克瑞斯特 ,  L·菲

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/30604 ,  H01L21/76254

Abstract: 本发明总体上涉及应变绝缘体上硅(SSOI)结构，以及用于制造该结构的方法。该方法包括SSOI结构的高温热退火以提高应变硅层的结晶度，同时保持其中存在的应变。