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公开(公告)号：CN100530575C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200580025879.4
申请日：2005-07-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/56 , B29C65/02 , G06K19/077 , G06K19/07 , B42D15/10
CPC classification number: H01L27/1266 , B32B37/0053 , B32B37/226 , B32B2425/00 , G06K19/077 , G06K19/07718 , H01L24/86 , H01L27/1214 , H01L2224/7965 , H01L2924/01002 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01041 , H01L2924/01042 , H01L2924/01049 , H01L2924/01056 , H01L2924/0106 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/04953 , H01L2924/09701 , H01L2924/14 , H01L2924/15787 , H01L2924/19041 , H01L2924/00
Abstract: 从衬底上剥离薄膜集成电路，并且为了提高制造产量有效地密封剥离的薄膜集成电路。本发明提供一种层压系统，包括：传送装置，用于传送提供有多个薄膜集成电路的衬底；第一剥离装置，用于将薄膜集成电路的第一表面结合到第一薄片构件，以从该衬底剥离该薄膜集成电路；第二剥离装置，用于将薄膜集成电路的第二表面结合到第二薄片构件，以从第一薄片构件剥离薄膜集成电路；和密封装置，用于在第二薄片构件和第三薄片构件之间插入该薄膜集成电路，以用第二薄片构件和第三薄片构件密封该薄膜集成电路。
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公开(公告)号：CN100437308C
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200410069693.6
申请日：2004-07-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/136 , H01L29/786 , H05B33/00 , G09F9/00
CPC classification number: G09G3/3266 , G02F1/1368 , G09G3/3648 , G09G3/3677 , G09G2300/0408 , G09G2300/0417 , G09G2300/0426 , G09G2300/0842 , G09G2300/0861 , G09G2310/04 , G09G2320/0223 , G09G2320/043 , G09G2330/021
Abstract: 当像素和信号线驱动器电路由半-非晶TFT组成时，驱动像素的幅度需要变得更大，并且需要高的电源电压。高的电源电压增加了局部驱动时的功耗。根据本发明，为了减少功耗，栅信号线驱动器电路存储每个栅信号线是否用于显示图象的数据，因此停止驱动不需要被驱动的栅信号线。
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公开(公告)号：CN101210723A
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200710300498.3
申请日：2007-12-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: B01D46/442 , B01D46/46 , Y10S55/34
Abstract: 本发明的目的在于在进入建筑物之前除去附着在身体上的花粉等的粉尘，以保持居室内的洁净。此外，本发明的目的在于经济地提供除去花粉等过敏源物质的服务。本发明之一是一种防止成为花粉过敏症的原因的过敏源物质通过外来体被带入人居住或活动的生活空间的空气吹淋装置。该空气吹淋装置包括：吸入外界空气的引入单元；将引入了的空气以一定的风量送风的送风机；具有从被送风的空气中除去包含花粉的粉尘来进行洁净化的过滤器的送风单元；以及从由具有送风单元的空气吹淋室排放的空气中聚集包含花粉的粉尘的集尘单元。另外，所述空气吹淋装置还配备有根据飞散在外界空气中的花粉量而控制送风机的送风量的风量控制单元。
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公开(公告)号：CN101202300A
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200810003150.2
申请日：2002-01-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/32
CPC classification number: H01L21/02672 , G02F1/13454 , H01L21/2022 , H01L21/3226 , H01L27/12 , H01L27/1248 , H01L27/1277 , H01L27/1288 , H01L27/3246 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L29/78621 , H01L51/5253 , H01L51/56
Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。本发明特征在于，在通过使用催化元素经过阻挡层获得的结晶半导体膜上，形成含稀有气体元素的半导体膜，并通过热处理将催化元素从结晶半导体膜迁移到含稀有气体元素的半导体膜。而且，在第一n－沟道TFT的半导体层中在栅极外形成的第一杂质区域和第二杂质区域。在第二n－沟道TFT的半导体层中形成的第三杂质区域设置成与栅极部分重叠。第三杂质区域设在栅极外。在p－沟道TFT的半导体层中形成的第四杂质区域设置成与栅极部分重叠。第五杂质区域设在栅极外。
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公开(公告)号：CN100373620C
公开(公告)日：2008-03-05
申请号：CN02105264.6
申请日：2002-01-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L21/02672 , G02F1/13454 , H01L21/2022 , H01L21/3226 , H01L27/12 , H01L27/1248 , H01L27/1277 , H01L27/1288 , H01L27/3246 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L29/78621 , H01L51/5253 , H01L51/56
Abstract: 本发明特征在于，在通过使用催化元素经过阻挡层获得的结晶半导体膜上，形成含稀有气体元素的半导体膜，并通过热处理将催化元素从结晶半导体膜迁移到含稀有气体元素的半导体膜。而且，在第一n-沟道TFT的半导体层中在栅极外形成的第一杂质区域和第二杂质区域。在第二n-沟道TFT的半导体层中形成的第三杂质区域设置成与栅极部分重叠。第三杂质区域设在栅极外。在p-沟道TFT的半导体层中形成的第四杂质区域设置成与栅极部分重叠。第五杂质区域设在栅极外。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1320599C
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200410100105.0
申请日：2002-01-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/00 , H01L21/336 , H01L21/8234 , G02F1/133
CPC classification number: H01L21/02672 , G02F1/13454 , H01L21/2022 , H01L21/3226 , H01L27/12 , H01L27/1248 , H01L27/1277 , H01L27/1288 , H01L27/3246 , H01L29/42384 , H01L29/4908 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L29/78621 , H01L51/5253 , H01L51/56
Abstract: 本发明涉及一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在一个衬底上形成第一半导体岛区和第二半导体岛区；在第一和第二半导体岛区上形成栅绝缘膜；在第一半导体岛区之上形成第一和第二栅电极，在第二半导体岛区之上形成第三栅电极，所述第一、第二和第三栅电极都包括第一导电膜和第二导电膜；使用上述第一、第二以及第三栅电极作为掩膜，向上述第一和第二半导体岛区掺入第一杂质元素；使用分别覆盖上述第一和第二栅电极的第一和第二光刻胶掩膜和上述第三栅电极作为掩膜，向上述第一和第二半导体岛区掺入第二杂质元素；和在上述第一和第二栅电极以及第三栅电极上形成一个绝缘膜。
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公开(公告)号：CN1842745A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200480024785.0
申请日：2004-08-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G03F7/16 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L27/12 , H01L27/1292 , H01L29/66765
Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管及其制造方法以及一种采用此薄膜晶体管的显示器件的制造方法，借助于简化制造工艺，能够以更低的成本和更高的成品率来制造这种薄膜晶体管。根据本发明，利用滴珠喷射方法来形成用于图形化工艺的图形。借助于选择性地喷射包含有机树脂的组分来形成图形。利用此图形，导电材料、绝缘体、或构成半导体元件的半导体，被简单的工艺图形化成所需的形状。
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公开(公告)号：CN1781184A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200480011134.8
申请日：2004-04-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/288 , H01L21/3205 , H01L29/786 , H01L21/027 , B05D1/26 , B05C5/00
CPC classification number: H01L21/76877 , H01L21/288 , H01L21/76838 , H01L27/12 , H01L27/1285 , H01L27/1292 , H01L29/66757 , H01L29/66765
Abstract: 在本发明中提供了一种能够对从液滴排出装置排出的液滴滴落至衬底后的位置控制进行改善的图案的制作方法。此外，提供一种能够对滴落后的液滴位置精度进行改善的液滴排出装置。进而，提供一种使用本发明的液滴排出装置的半导体装置的制造方法。本发明的特征在于：对从排出部排出的液滴或滴落液滴的衬底照射激光，控制液滴的滴落位置。通过本发明，不使用光刻工序便能够形成图案。
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公开(公告)号：CN1734776A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200510091032.8
申请日：2005-08-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明提供了一种显示器件的制造方法，所述显示器件具有能够在较小阈值电压改变的情况下高速操作的TFT，其中高效率使用所述材料并且需要少量光掩模。本发明的显示器件包括形成在绝缘表面上的栅电极层和像素电极层、形成在栅电极层上的栅绝缘层、形成在栅绝缘层上的晶体半导体层、形成得与晶体半导体层相接触的具有一种导电类型的半导体层、形成得与具有一种导电类型的半导体层相接触的源电极层和漏电极层、稍后形成在源电极层、漏电极层和像素电极层上的绝缘层、形成在绝缘层中以到达源电极层或漏电极层的第一开口、形成在栅绝缘层和绝缘层中以到达像素电极层的第二开口、以及形成在第一开口和第二开口中以便于将源电极层或漏电极层与像素电极层电连接的配线层。
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公开(公告)号：CN1734736A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200510091030.9
申请日：2005-08-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/84
CPC classification number: H01L27/1277 , H01L27/1214 , H01L27/124 , H01L27/1251 , H01L27/1288
Abstract: 本发明提供不易发生阈值偏离、具有能够高速运转的逆交错型TFT的半导体器件的制作方法。另外，还提供以减少原料来削减成本、且成品率高的半导体器件的制作方法。本发明用耐热性高的材料形成栅电极后，形成非晶半导体膜，在该非晶半导体膜上掺杂催化剂元素并加热形成结晶性半导体膜，在该结晶性半导体膜上形成具有施主型元素或稀有气体元素的层，并加热，将催化剂元素从结晶性半导体膜中除去后，用该结晶性半导体膜的一部分形成半导体区域，形成与该半导体区域通电的源电极和漏极电极，且形成与栅电极连接的栅布线，形成逆交错型的TFT，从而制成半导体器件。
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