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公开(公告)号：CN107123670A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201710100429.1
申请日：2017-02-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/08 , H01L29/423 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/7848 , H01L21/02236 , H01L21/823431 , H01L21/823468 , H01L21/823481 , H01L27/0886 , H01L29/66795 , H01L29/785 , H01L29/7855 , H01L29/0847 , H01L29/42364
Abstract: 描述一种鳍式场效应晶体管，其包括衬底、至少一个栅极结构、间隔件以及应变源极和漏极区。至少一个栅极结构设置在衬底上方以及隔离结构上。间隔件设置在至少一个栅极结构的侧壁上。第一阻挡材料层设置在间隔件上。应变源极和漏极区设置在至少一个栅极结构的两个相对侧上。第二阻挡材料层设置在应变源极和漏极区上。第一阻挡材料层和第二阻挡材料层包括富氧氧化物材料。本发明实施例还提供一种用于形成鳍式场效应晶体管的方法。
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公开(公告)号：CN106816390A
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201610911666.1
申请日：2016-10-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L21/76834 , H01L21/56 , H01L21/76828 , H01L23/291 , H01L23/295 , H01L23/3114 , H01L23/3192 , H01L23/5328 , H01L23/5329 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L2224/02313 , H01L2224/0401 , H01L2224/05022 , H01L2224/05124 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05164 , H01L2224/05181 , H01L2224/05548 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05684 , H01L2224/10125 , H01L2224/10126 , H01L2224/11462 , H01L2224/1191 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13184 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2224/11019 , H01L2224/13
Abstract: 一种形成晶圆级芯片尺寸包装互连件的方法包括：在衬底上形成后钝化互连(PPI)层；在PPI层上形成互连件；并且在衬底上释放模塑料，流动模塑料以横向密封部分互连件。本发明实施例涉及晶圆级芯片尺寸封装互连件及其制造方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106409902A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201510811422.1
申请日：2015-11-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/423 , H01L21/28
Abstract: 半导体器件包括半导体鳍、第一氮化硅基层、衬垫氧化物层、第二氮化硅基层和栅极氧化物层。半导体鳍具有顶面、邻近顶面的第一侧表面和设置在第一侧表面下方并且邻近第一侧表面的第二侧表面。第一氮化硅基层外围包围半导体鳍的第二侧表面。衬垫氧化物层设置为与第一氮化硅基层共形。第二氮化硅基层设置为与衬垫氧化物层共形。栅极氧化物层设置为与半导体鳍的顶面和第一侧表面共形。本发明的实施例还涉及形成FinFET栅极氧化物的方法。
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公开(公告)号：CN103489884B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201310175434.0
申请日：2013-05-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L21/8238
CPC classification number: H01L31/02164 , H01L27/14623 , H01L27/14632 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14687 , H01L27/148 , H01L51/4273
Abstract: 一种包含半导体衬底的图像传感器器件，该半导体衬底包括阵列区和暗电平校正区。该阵列区包含多个辐射感应像素。该暗电平校正区包含一个或多个参考像素。该衬底具有正面和背面。该图像传感器器件包括在衬底背面上形成的第一压缩应变层。该第一压缩应变层包含氧化硅，且带有负电荷。该第二压缩应变层包含氮化硅，且带有负电荷。在暗电平校正区的至少一部分上方形成金属屏蔽件。图像传感器器件包括在金属屏蔽件上和在第二压缩应变层上形成的第三压缩应变层。该第三压缩应变层包含氧化硅。通过该第三压缩应变层保护金属屏蔽件的侧壁。本发明提供具有压缩层的图像传感器。
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公开(公告)号：CN103094290B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201210207827.0
申请日：2012-06-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L21/02129 , H01L21/223 , H01L21/2255 , H01L21/76224 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14685 , H01L31/09
Abstract: 本发明提供了一种半导体图像传感器器件。该图像传感器器件包括衬底。该图像传感器器件包括设置在衬底中的第一像素和第二像素。第一和第二像素是相邻的像素。该图像传感器器件包括设置在衬底中以及第一和第二像素之间的隔离结构。该图像传感器器件包括设置在衬底中以及第一和第二像素之间的掺杂隔离器件。该掺杂隔离器件以共形方式围绕隔离结构。本发明还提供了一种采用共形掺杂的图像传感器沟槽隔离。
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公开(公告)号：CN103378117A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201310129824.4
申请日：2013-04-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 具有负电荷层的半导体图像传感器器件包括具有p型区域的半导体衬底，接近半导体衬底的正面位于p型区域中的多个辐射感应区域和接近多个辐射感应区域邻接p型区域的负电荷层。负电荷层可以是富氧氧化硅、高k金属氧化物或氮化硅，形成为浅沟槽隔离部件中的衬垫、晶体管栅极的侧壁间隔件或偏移间隔件、自对准硅化物阻挡层、位于自对准硅化物阻挡层下面的缓冲层、背表面层或它们的组合。
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公开(公告)号：CN103378116A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201310119820.8
申请日：2013-04-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L31/0216 , H01L31/18
CPC classification number: H01L27/14625 , H01L27/14609 , H01L27/1462 , H01L27/14627 , H01L27/1464 , H01L27/14685 , H01L31/02168
Abstract: 一种形成图像传感器件的方法，包括在硅衬底的前面处形成光感测区和在光感测区上方形成图案化的金属层。此后，该方法包括在衬底的第一表面上沉积金属氧化物抗反射叠层。该金属氧化物抗反射叠层包括在光电二极管上方堆叠的一个或多个薄金属氧化物的复合层。每个复合层都包括两个或更多个的金属氧化层：一个金属氧化物是高能带隙金属氧化物而另一个金属氧化物是高折射率金属氧化物。本发明还提供了用于背照式图像传感器的抗反射层。
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