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公开(公告)号：CN105355730B
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201510905411.X
申请日：2015-12-10
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/00 , H01L21/324
Abstract: 一种提高深紫外发光二极管P型激活效率的方法，涉及发光二极管的生产技术领域，在衬底上外延形成缓冲层、非故意掺杂层、第一型导电层、有源层、电子阻挡层、第二型导电层和欧姆接触层的外延材料，在关闭反应室的MO源材料后，在反应室内进行分段退火，本发明主要在外延生长过程，通过规律性地提高和降低反应室温度来反复达到激活空穴的状态，大量地打断Mg‑H键，有效地提高P型掺杂的空穴激活效率。增加了发光二极管的欧姆接触层的有效P型掺杂浓度，明显地降低了工作电压，明显提高发光二极管的发光效率。
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公开(公告)号：CN105118908B
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201510570377.5
申请日：2015-09-09
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/46
Abstract: 本发明公开一种可提高发光二极管发光效率的微光学传输系统的制作方法，包括以下步骤：外延衬底上分别外延形成缓冲层、第一型导电层、有源层、第二型导电层和电极布拉格反射层；在焊台电极制作区域内保留电极布拉格反射层及经过掩膜并腐蚀形成复数个圆柱状孔洞；在所述电极布拉格反射层上及孔洞内形成图形制作层；在所述图形制作层表面的焊台电极制作区域形成复数个圆弧台型立体反射器；在焊台电极制作区域形成焊台电极；在所述外延衬底下方形成背面电极，裂片得到发光二极管芯片。本发明能够避免光再次被有源层或外延衬底吸收，有效地把焊台电极下部有源层发出的光有效地传输至外延层表面，增加焊台电极遮光处光的萃取率。
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公开(公告)号：CN106784219A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710053445.X
申请日：2017-01-22
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/145 , C23C14/22 , H01L33/0075
Abstract: 本发明公开了一种LED及其制作方法，所述制作方法包括：提供衬底；在所述衬底表面形成缓冲层；在所述缓冲层背离所述衬底的一侧形成N型半导体层；在所述N型半导体层背离所述缓冲层的一侧形成多量子阱层；通过PVD工艺在所述多量子阱层背离所述N型半导体层的一侧形成电子阻挡层，所述电子阻挡层为AlN层；在所述电子阻挡层背离所述多量子阱层的一侧形成P型半导体层。本发明技术方案在一次外延长完多量子阱层后，用PVD长一层较薄的AlN层，作为电子阻挡层，然后再二次外延生长P型半导体层，较薄的电子阻挡层即可较好的阻挡电子溢流效果，能够有效提高发光效率，同时可以降低LED的工作电压，进而降低功耗。
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公开(公告)号：CN106784182A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611169132.2
申请日：2016-12-16
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/22 , H01L33/0075 , H01L33/0079
Abstract: 本发明公开一种发光二极管的衬底剥离结构，在临时衬底表面形成SiO2图形层，在SiO2图形层上形成倒梯形孔洞，倒梯形孔洞贯穿至临时衬底的表面而裸露临时衬底；在SiO2图形层上、倒梯形孔洞侧壁及裸露的临时衬底上蒸镀AlN缓冲层；在AlN缓冲层上外延发光二极管的外延结构。本发明还公开发光二极管的衬底剥离结构的制作方法及发光二极管的衬底剥离方法。本发明使得衬底剥离不被损坏，获得较高的剥离良率。
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公开(公告)号：CN104377288B
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201410551543.2
申请日：2014-10-17
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种具有电极出光的发光二极管制作方法：在外延衬底上外延形成外延发光结构，在外延发光结构上形成透光通道制作层；采用掩膜、ICP蚀刻工艺在透光通道制作层的电极区域，形成若干规则的透光通道，且ICP蚀刻深度至露出外延发光结构表面；在裸露的外延发光结构表面蒸镀透光材料直至填满透光通道，形成透光柱体；腐蚀去除透光通道制作层，留下透光柱体，且露出外延发光结构；外延发光结构表面形成焊台电极，且厚度超过透光柱体高度；采用ICP蚀刻作为焊台电极的第一电极或第二电极表面直至露出透光柱体的上表面；在外延发光结构上形成背电极，裂片形成发光二极管芯片。本发明可以减少焊台电极挡光面积，提高发光二极管的外量子效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104409465B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201410666659.0
申请日：2014-11-20
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明一种高发光效率的高压发光二极管制作方法，通过芯片制作工艺把n个独立发光结构的子级发光二极管串联连接，形成一体的芯片模块，其中，第一子级发光二极管上设置第一电极，第n子级发光二极管上设置第二电极。本发明可以增加有源区的出光面积，提高发光效率。
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公开(公告)号：CN104319330B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201410551820.X
申请日：2014-10-17
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种具有高质量InGaN/GaN有源层的LED外延结构生长方法，其中，InxGa1-xN/GaN有源层的生长步骤：在主载气为H2的氛围下，通入Ga源和NH3生长8-15nm的GaN垒层；切换主载气为N2，通入Ga源、In源和NH3，生长2-5nm的InxGa1-xN阱层；关闭Ga源和In源，保持NH3正常通入，停顿InxGa1-xN生长；打开Ga源，生长1-5nm的GaN保护层；切换主载气为H2，通入Ga源和NH3生长8-15nm的GaN垒层；重复二至五的生长步骤1至20个周期。本发明可以获得高质量InGaN/GaN有源层，提高LED发光效率。
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公开(公告)号：CN104393136B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201410599879.6
申请日：2014-10-31
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种提高发光效率的GaN基LED外延片制备方法，包括以下步骤：在衬底上依次生长缓冲层、非故意掺杂层、第一N型掺杂层、第二N型掺杂层、InGaN/GaN多量子阱有源层、电子阻挡层、P型掺杂层及接触层；生长完第一N型掺杂层之后，关闭有机源，减小或者停止NH3通入反应室，在H2或者N2氛围下停顿生长10-200s，获得表面粗糙的第一N型掺杂层。本发明可以同时提高LED内量子效率与外量子效率，且制备方法简单，制备成本较低。
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公开(公告)号：CN106206893A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610557361.5
申请日：2016-07-15
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/14 , H01L33/0075
Abstract: 本发明公开一种提高ITO电流扩展的发光二极管，衬底上形成外延层，外延层上形成欧姆接触层，欧姆接触层上形成ITO电流扩展层，该ITO电流扩展层由低面阻值ITO层和高面阻值ITO层构成；欧姆接触层上生长底层低面阻值ITO层，在底层低面阻值ITO层上循环生长高面阻值ITO层、低面阻值ITO层，最顶层为低面阻值ITO层，最顶层的低面阻值ITO层连接P型电极；低面阻值ITO层和高面阻值ITO层由SnO2和In2O3构成。本发明还公开一种提高ITO电流扩展的发光二极管制作方法。本发明有效提高ITO电流扩展效果，减小电极的遮光面积，提高有源区光的萃取率，提高芯片可靠性。
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公开(公告)号：CN106206865A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610557039.2
申请日：2016-07-15
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/0016 , H01L33/0075 , H01L33/02
Abstract: 本发明公开一种高压发光二极管，衬底上设置非故意掺杂层，非故意掺杂层上设置第一外延结构的n型接触层，第一外延结构的n型接触层分别设置隧穿结和第一外延结构的有源层，第一外延结构的有源层上由下至上依次设置p型接触层、p型欧姆接触层和p型电极；隧穿结上由下至上依次设置第二外延结构的p型接触层、有源层、n型接触层、n型欧姆接触层和n型电极；第一外延结构与第二外延结构之间设置绝缘层；第一外延结构的p型欧姆接触层的高度与第二外延结构的n型欧姆接触层高度相同，位于同一水平面内。本发明还公开高压发光二极管的制作方法。本发明解决高压发光二极管电极桥接提高发光功率时，电极桥接存在高度差造成工艺难度大及成品率低的问题。
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