公开(公告)号：CN106169502B

公开(公告)日：2021-11-09

申请号：CN201610149522.7

申请日：2016-03-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李珉贤 ,  金海龙 ,  申铉振 ,  南胜杰 ,  朴晟准

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本公开提供包括金属‑二维材料‑半导体接触的半导体器件。一种半导体器件包括半导体层、电接触半导体层的金属层、以及在半导体层与金属层之间并具有二维晶体结构的二维材料层。

公开(公告)号：CN113497138A

公开(公告)日：2021-10-12

申请号：CN202011501211.5

申请日：2020-12-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李珉贤 ,  薛珉洙 ,  赵连柱 ,  申铉振

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/786

Abstract: 本公开提供了场效应晶体管。一种场效应晶体管包括基板、在基板上且在第一方向上彼此间隔开的源电极和漏电极、多个沟道层、围绕所述多个沟道层中的每个的栅绝缘膜、以及围绕栅绝缘膜的栅电极。所述多个沟道层中的每个具有接触源电极和漏电极的端部。所述多个沟道层在远离基板的第二方向上彼此间隔开。所述多个沟道层包括2D半导体材料。

公开(公告)号：CN113224144A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN202011535102.5

申请日：2020-12-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李珉贤 ,  薛珉洙 ,  赵连柱 ,  申铉振

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78

Abstract: 提供一种半导体器件，其使用二维半导体材料作为沟道层。该半导体器件包括：在衬底上的栅电极；在栅电极上的栅极电介质；在栅极电介质上的沟道层；以及源电极和漏电极，可以电连接到沟道层。栅电极具有高度大于宽度的形状，并且沟道层包括二维半导体材料。

公开(公告)号：CN112750834A

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN202011177930.6

申请日：2020-10-29

Applicant: 三星电子株式会社 ,  蔚山科学技术院

Inventor： 申铉振 ,  李珉贤 ,  李昌锡 ,  卞卿溵 ,  申铉石 ,  洪锡模

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/02 ,  B82Y30/00

Abstract: 提供半导体存储器件和包括其的设备。所述半导体存储器件包括在半导体基板上在第一方向上延伸的字线；在与所述第一方向交叉的第二方向上跨越所述字线延伸的位线结构；在所述字线之间和在所述位线结构之间的接触垫结构；以及在所述位线结构和所述接触垫结构之间的间隔物。所述间隔物包括氮化硼层。

公开(公告)号：CN107547003B

公开(公告)日：2021-01-29

申请号：CN201710206465.6

申请日：2017-03-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金在瑛 ,  卞卿溵 ,  申铉振 ,  郑雅林

IPC: H02N1/04

Abstract: 示例实施方式涉及一种利用摩擦电的能量采集器，以及涉及包括该能量采集器的装置。能量采集器可以包括具有第一摩擦电材料的第一结构，具有第二摩擦电材料的第二结构，以及将第一摩擦电材料和第二摩擦电材料的摩擦表面与外部环境隔离的封闭结构。能量采集器还可以包括在封闭结构中的填充材料。填充材料可以具有电荷。填充材料可以具有粘度。封闭结构的至少一部分可以包括弹性材料。

公开(公告)号：CN112239860A

公开(公告)日：2021-01-19

申请号：CN202010679035.8

申请日：2020-07-15

Applicant: 三星电子株式会社 ,  成均馆大学校产学协力团

Inventor： 卞卿溵 ,  金亨燮 ,  朴台镇 ,  金会俊 ,  申铉振 ,  安元植 ,  M.林 ,  赵连柱

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/30 ,  H01L21/02

Abstract: 一种在衬底上形成过渡金属二硫族化物薄膜的方法包括用金属有机材料处理衬底以及在衬底周围提供过渡金属前体和硫族前体以在衬底上合成过渡金属二硫族化物。过渡金属前体可以包括过渡金属元素，硫族前体可以包括硫族元素。

公开(公告)号：CN110880447A

公开(公告)日：2020-03-13

申请号：CN201910552879.3

申请日：2019-06-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 山本薰 ,  金昌炫 ,  宋伣在 ,  申建旭 ,  申铉振 ,  安星柱 ,  李章熙 ,  李昌锡 ,  全基荣 ,  郑根吾

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32 ,  C23C16/458 ,  C23C16/513

Abstract: 提供了一种等离子体沉积方法和等离子体沉积设备，在所述等离子体沉积方法中，将基底装载到腔室内的基底台上。在与基底隔开第一距离的第一等离子体区域处产生第一等离子体。将第一工艺气体供应到第一等离子体区域以对基底执行预处理工艺。在与基底隔开与第一距离不同的第二距离的第二等离子体区域处产生第二等离子体。将第二工艺气体供应到第二等离子体区域以对基底执行沉积工艺。

公开(公告)号：CN110752204A

公开(公告)日：2020-02-04

申请号：CN201910012228.5

申请日：2019-01-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卞卿溵 ,  申建旭 ,  金勇勋 ,  申铉振 ,  宋伣在 ,  李昌锡 ,  金昌炫 ,  赵连柱

IPC: H01L23/532 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768

Abstract: 提供了一种互连结构和包括该互连结构的电子器件。该互连结构包括包含至少一个沟槽的电介质层、填充所述至少一个沟槽的内部的导电布线、以及在导电布线的至少一个表面上的盖层。盖层包括纳米晶石墨烯。纳米晶石墨烯包括纳米尺寸的晶体。

公开(公告)号：CN104617135B

公开(公告)日：2019-11-01

申请号：CN201410616370.8

申请日：2014-11-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申铉振 ,  朴晟准 ,  李载昊 ,  许镇盛

IPC: H01L29/72 ,  H01L29/772 ,  H01L29/73 ,  H01L29/861 ,  H01L31/04 ,  H01L31/08 ,  H01L31/18 ,  H01L21/335 ,  H01L21/328

Abstract: 本发明提供二维材料元件和半导体器件。根据示例实施方式，二维(2D)材料元件可以包括彼此化学地接合的第一2D材料和第二2D材料。第一2D材料可以包括第一金属硫属元素化物基材料。第二2D材料可以包括第二金属硫属元素化物基材料。第二2D材料可以接合至第一2D材料的侧面。2D材料元件可以具有PN结结构。2D材料元件可以包括具有不同带隙的多种2D材料。

公开(公告)号：CN108288625A

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201711443369.X

申请日：2017-12-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李载昊 ,  申铉振 ,  李东郁 ,  朴晟准 ,  李基荣 ,  李殷奎 ,  赵常玹 ,  许镇盛

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/0352

CPC classification number: H01L29/1606 ,  H01L27/1443 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/156 ,  H01L27/307 ,  H01L29/122 ,  H01L31/028 ,  H01L31/035218 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/09 ,  H01L31/101 ,  H01L51/0045 ,  H01L51/0579 ,  Y02E10/547 ,  H01L27/14601 ,  H01L27/14665

Abstract: 提供包括石墨烯量子点的光学传感器和图像传感器。所述光学传感器可包括石墨烯量子点层，所述石墨烯量子点层包括与第一官能团结合的多个第一石墨烯量子点且可进一步包括与不同于所述第一官能团的第二官能团结合的多个第二石墨烯量子点。可基于与相应的石墨烯量子点结合的官能团的类型和/或所述石墨烯量子点的尺寸调节所述光学传感器的吸收波长带。