公开(公告)号：CN105679757B

公开(公告)日：2020-12-15

申请号：CN201510883219.5

申请日：2015-12-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘庭均 ,  李廷骁

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 提供了一种半导体器件如下。有源鳍从衬底突出、在第一方向上延伸。第一器件隔离层设置在所述有源鳍的第一侧。第二器件隔离层设置在有源鳍的第二侧。第二器件隔离层的顶表面比第一器件隔离层的顶表面高，第二侧与第一侧相反。正常栅极在与第一方向交叉的第二方向上跨过有源鳍延伸。第一虚设栅极在第二方向上跨过有源鳍和第一器件隔离层延伸。第二虚设栅极在第二方向上跨过第二器件隔离层延伸。

公开(公告)号：CN108538836A

公开(公告)日：2018-09-14

申请号：CN201810158997.1

申请日：2018-02-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴星一 ,  朴范琎 ,  李允逸 ,  刘庭均 ,  李东勋

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/78

Abstract: 一种垂直晶体管结构包括第一晶体管和第二晶体管。第一晶体管包括连接到第二晶体管的第二上电极的第一下电极以及连接到第二晶体管的第二下电极的第一上电极。第一晶体管还包括连接到第二晶体管的栅电极的栅电极。

公开(公告)号：CN107359200A

公开(公告)日：2017-11-17

申请号：CN201710605943.0

申请日：2016-01-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘庭均 ,  朴世玩 ,  成百民 ,  郑宝哲

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 提供了半导体器件，其包括具有彼此相对的第一侧壁和第二侧壁的第一鳍形图案以及与第一鳍形图案的至少一部分接触的场绝缘薄膜。第一鳍形图案包括：与场绝缘薄膜接触的第一鳍形图案下部；不与场绝缘薄膜接触的第一鳍形图案上部；位于第一鳍形图案下部与第一鳍形图案上部之间的第一边界；以及垂直于第一边界且与第一鳍形图案上部的顶部交会的第一鳍中心线。第一鳍形图案上部的第一侧壁与第一鳍形图案上部的第二侧壁相对于第一鳍中心线不对称。

公开(公告)号：CN107170741A

公开(公告)日：2017-09-15

申请号：CN201710130993.8

申请日：2017-03-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑在烨 ,  严命允 ,  车东镐 ,  刘庭均 ,  朴起宽

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L29/7854 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/845 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/0924 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/16 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/66818 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7846 ,  H01L21/823481

Abstract: 一种集成电路(IC)器件包括：彼此邻近的一对鳍形有源区，在其间有鳍分离区，所述一对鳍形有源区延伸成一行；以及在鳍分离区中的鳍分离绝缘结构，其中所述一对鳍形有源区包括第一鳍形有源区，第一鳍形有源区具有限定部分的鳍分离区的第一拐角，并且其中鳍分离绝缘结构包括：下绝缘图案，覆盖所述一对鳍形有源区的侧壁；以及上绝缘图案，在下绝缘图案上以覆盖第一拐角的至少部分，上绝缘图案具有在比所述一对鳍形有源区的每个的顶表面高的水平处的顶表面。

公开(公告)号：CN107068671A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201610950591.8

申请日：2016-10-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金奇奂 ,  朴起宽 ,  刘庭均 ,  申东石 ,  金辰昱

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L29/7848 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823871 ,  H01L21/823878 ,  H01L23/535 ,  H01L27/0924 ,  H01L27/1104 ,  H01L27/1116 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66636 ,  H01L27/0207 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体装置包括从基板向上突出的第一和第二有源图案、交叉第一和第二有源图案且在第一方向上延伸的栅电极、在第一有源图案上且在栅电极的至少一侧的第一源极/漏极区域、以及在第二有源图案上且在栅电极的至少一侧的第二源极/漏极区域。第一和第二源极/漏极区域具有彼此不同的导电类型，并且第二源极/漏极区域具有与所述第二有源图案的顶表面接触的底表面，并且第二源极/漏极区域的底表面的高度低于第一源极/漏极区域的与第一有源图案的顶表面接触的底表面。第一有源图案具有小于第二有源图案的第二宽度的第一宽度。

公开(公告)号：CN106024784A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610149440.2

申请日：2016-03-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹彰燮 ,  刘庭均 ,  朴永俊 ,  李廷骁

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/762

Abstract: 提供了包括场效应晶体管的半导体装置。所述半导体装置包括：第一器件隔离层，在基底上限定沿着第一方向彼此分隔开的多个有源区；第二器件隔离层，在每个有源区中限定从基底突出的有源图案，第二器件隔离层在第一方向上延伸并且在与第一方向交叉的第二方向上彼此分隔开以连接到第一器件隔离层；以及栅极结构，在有源区之间的第一器件隔离层上沿着第二方向延伸，第二器件隔离层的顶表面低于有源图案的顶表面，第一器件隔离层的顶表面高于有源图案的顶表面，并且栅极结构的底表面的至少一部分高于有源图案的顶表面。

公开(公告)号：CN105826384A

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201610028951.9

申请日：2016-01-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘庭均 ,  朴世玩 ,  成百民 ,  郑宝哲

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823481 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/7853 ,  H01L29/7854 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7855

Abstract: 提供了半导体器件，其包括具有彼此相对的第一侧壁和第二侧壁的第一鳍形图案以及与第一鳍形图案的至少一部分接触的场绝缘薄膜。第一鳍形图案包括：与场绝缘薄膜接触的第一鳍形图案下部；不与场绝缘薄膜接触的第一鳍形图案上部；位于第一鳍形图案下部与第一鳍形图案上部之间的第一边界；以及垂直于第一边界且与第一鳍形图案上部的顶部交会的第一鳍中心线。第一鳍形图案上部的第一侧壁与第一鳍形图案上部的第二侧壁相对于第一鳍中心线不对称。

公开(公告)号：CN105762148A

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：CN201511021210.X

申请日：2015-12-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李炯宗 ,  许伟华 ,  刘庭均 ,  李忠浩

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/08

CPC classification number: H01L27/0924 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823871 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/535 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/665 ,  H01L29/78 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00 ,  H01L27/0928

Abstract: 本发明涉及具有双硅化物的半导体器件及其制造方法。具有双硅化物的半导体器件包括位于衬底上的具有N型杂质的第一鳍和具有P型杂质的第二鳍。第一栅电极和第一源极/漏极区位于第一鳍上。第二栅电极和第二源极/漏极区位于第二鳍上。刻蚀停止层位于第一源极/漏极区和第二源极/漏极区上。绝缘层位于刻蚀停止层上。连接至第一源极/漏极区的第一插件以及连接至第二源极/漏极区的第二插件被形成为穿过绝缘层和刻蚀停止层。第一金属硅化物层位于第一源极/漏极区中。第二金属硅化物层位于第二源极/漏极区中，第二金属硅化物层具有与第一金属硅化物层的材料不同的材料，并且具有比第一金属硅化物层的厚度更小的厚度。