公开(公告)号：CN105655433A

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201610232185.8

申请日：2016-04-13

Applicant: 黄广明

Inventor： 黄广明

IPC: H01L31/078 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/20

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/078 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/202

Abstract: 本发明公开了一种晶体硅\非晶硅双节太阳能电池及其制造方法，所述太阳能电池从上而下依次为：电池的正极1、减反射膜2、透明导电前电极3、非晶硅P层4、非晶硅本征层5、微晶硅N层6、微晶硅P层7、非晶硅I层8、N型硅衬底9、非晶硅I层10、非晶硅N层11、透明导电背电极12、电池的负极13。本发明充分利用太阳的光谱，制备出了高效的太阳电池。

公开(公告)号：CN102655185B

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201110213675.0

申请日：2011-07-28

Applicant: 王立康 ,  江苏艾德太阳能科技有限公司

Inventor： 谢芳吉 ,  王立康

IPC: H01L31/0747 ,  H01L31/078 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0747 ,  H01L31/078 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种异质接面太阳能电池，其在硅晶基板上镀制一层本质非晶硅薄膜，然后置于扩散炉内形成P-N接面，以制作具有异质接面的太阳能电池，其至少包括含有电性掺杂的硅晶基板、本质非晶硅薄膜、透明导电层、前电极及背电极所构成；于另一较佳实施例，系先在硅晶基板上以化学溶液生成法生长一层二氧化硅薄膜，然后镀制一层本质非晶硅薄膜，其后置于扩散炉内形成P-N接面，以制作具有异质接面的太阳能电池，其至少包括含有电性掺杂的硅晶基板、二氧化硅薄膜、本质非晶硅薄膜、透明导电层、前电极及背电极所构成。本发明不仅在制程设备上较为经济，且兼容于目前批量生产化制程而易于批量生产。

公开(公告)号：CN105513670A

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201510688545.0

申请日：2009-08-27

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 荒井将英 ,  山崎和彦 ,  小川怜子 ,  林年治

IPC: H01B1/20 ,  H01B1/22 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/042 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/078 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/1884 ,  H01B1/20 ,  H01B1/22 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/043 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/078 ,  Y02E10/544 ,  H01L31/042

Abstract: 本发明的目的在于提供一种透明导电膜，其能够满足在用于多接合型太阳能电池时所需要的良好的透光性、高导电性、低折射率等各要素，同时通过不使用真空成膜法而进行制作，可以实现运行成本的降低。本发明的太阳能电池用透明导电膜设置在多接合型太阳能电池的光电转换层之间，是对使用湿式施涂法进行涂布而形成的微粒的涂膜进行烧成而得到的，其特征在于，在构成导电膜的母材中，导电性成分以5~95质量%的范围存在，导电膜的厚度在5~200nm的范围内。

公开(公告)号：CN104157716A

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：CN201310175899.6

申请日：2013-05-13

Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

Inventor： 赵勇明 ,  董建荣 ,  李奎龙 ,  孙玉润 ,  曾徐路 ,  于淑珍 ,  赵春雨 ,  杨辉

IPC: H01L31/0687 ,  H01L31/0312 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/544 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/078 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明揭示了一种SiGe支撑三结级联太阳电池的制作方法。基于晶片键合工艺，突破了晶格常数的限制，通过采用GeSi合金作为1.0eV子电池与支撑衬底，在GeSi合金表面键合薄层GaAs作为生长GaInP和GaAs子电池的衬底，然后生长GaAs与GaInP子电池，实现带隙分别为1.89/1.42/1.0eV的三结太阳电池。本发明提出的三结太阳电池，不但减少GaAs衬底的消耗，同时还有效解决了生长三结级联太阳电池材料的晶格失配问题，可获得比GaInP/GaAs/Ge三结电池高的开路电压，有利于转换效率的提高。

公开(公告)号：CN103928539A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201410010911.2

申请日：2014-01-09

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·W·比德尔 ,  B·赫克玛特绍塔巴里 ,  D·K·萨达那 ,  G·G·沙希迪 ,  D·沙赫莉亚迪

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0725 ,  H01L31/0735 ,  H01L31/078 ,  Y02E10/50 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明涉及多结III-V太阳能电池及其制造方法。一种多结太阳能电池结构包括包含III-V半导体材料的顶部光伏电池和硅基底部光伏电池。薄的富锗硅锗缓冲层设于所述顶部和底部电池之间。还提供了在硅衬底上制造与锗晶格匹配或者对于锗是赝晶的多结III-V太阳能电池结构的制造技术。所述硅电池的开路电压可以通过局部背表面场结构、局部背接触或基于非晶硅的异质结背接触来增强。

公开(公告)号：CN101499495B

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN200810171863.X

申请日：2008-11-12

Applicant: 昂科公司

Inventor： 马克·A·斯坦 ,  阿瑟·科恩费尔德

IPC: H01L31/0725 ,  H01L31/0735 ,  H01L31/078 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/078 ,  H01L31/06875 ,  H01L31/0693 ,  H01L31/0735 ,  Y02E10/544

Abstract: 本发明涉及倒置变形多结太阳能电池中的异质结子电池。一种倒置变形多结太阳能电池及其制作方法，所述太阳能电池包括上部子电池、中部子电池和下部子电池，所述方法包括：提供第一衬底以用于半导体材料的外延生长；在所述衬底上形成上部第一太阳能子电池，其具有第一带隙；在所述第一太阳能子电池上方形成中部第二太阳能子电池，其具有小于所述第一带隙的第二带隙；在所述第二子电池上方形成分级夹层，所述分级夹层具有大于所述第二带隙的第三带隙；以及在所述分级夹层上方形成下部第三太阳能子电池，其具有小于所述第二带隙的第四带隙，使得所述第三子电池相对于所述第二子电池晶格失配，其中所述太阳能子电池中的至少一者具有异质结基极-发射极层。

公开(公告)号：CN103531654A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201310284409.6

申请日：2013-07-08

Applicant: 立那工业股份有限公司

Inventor： 俞荣浚 ,  穆尼布·沃贝尔

IPC: H01L31/075 ,  H01L31/054 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/075 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/03926 ,  H01L31/046 ,  H01L31/0465 ,  H01L31/0543 ,  H01L31/056 ,  H01L31/068 ,  H01L31/072 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/547 ,  Y02E10/548 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/0725 ,  H01L31/076 ,  H01L31/078 ,  H01L31/08 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明涉及多结光伏装置。本文揭示一种可操作以将光转化为电力的光伏装置，其包括衬底、基本上垂直于所述衬底的一个或一个以上结构，和安置在所述衬底上的反射层，以及共形安置在所述一个或一个以上结构上的一个或一个以上结。

公开(公告)号：CN103403876A

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201280010920.0

申请日：2012-01-26

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： O·古纳万 ,  金志焕 ,  D·B·米茨 ,  D·K·萨达那 ,  T·K·托多洛夫

IPC: H01L31/0256

CPC classification number: H01L31/0326 ,  C23C14/34 ,  C25D7/12 ,  H01L31/076 ,  H01L31/078 ,  H01L31/18 ,  H01L31/20 ,  Y02E10/548

Abstract: 一种光敏器件和方法包括具有N型层、P型层和它们之间的顶部本征层的顶部电池（102）。底部电池（104）包括N型层、P型层和它们之间的底部本征层。所述底部本征层包括含Cu-Zn-Sn的硫族化物（116）。

公开(公告)号：CN101884117B

公开(公告)日：2013-10-02

申请号：CN200880110967.8

申请日：2008-06-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 詹姆斯·费兰札 ,  安东尼·J·罗特费尔德

IPC: H01L31/078

CPC classification number: H01L31/0384 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L31/043 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/078 ,  H01L31/1852 ,  H01L31/1892 ,  Y02E10/50 ,  Y02E10/544

Abstract: 太阳能电池结构包括多个子电池，该子电池结合了可具有不同晶格常数的不同材料。在一些实施例中，太阳能电池元件包括多个光伏结。

公开(公告)号：CN101884117A

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN200880110967.8

申请日：2008-06-26

Applicant: 琥珀波系统公司

Inventor： 詹姆斯·费兰札 ,  安东尼·J·罗特费尔德

IPC: H01L31/078

CPC classification number: H01L31/0384 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L31/043 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/078 ,  H01L31/1852 ,  H01L31/1892 ,  Y02E10/50 ,  Y02E10/544

Abstract: 太阳能电池结构包括多个子电池，该子电池结合了可具有不同晶格常数的不同材料。在一些实施例中，太阳能电池元件包括多个光伏结。