公开(公告)号：CN101884117A

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN200880110967.8

申请日：2008-06-26

Applicant: 琥珀波系统公司

Inventor： 詹姆斯·费兰札 ,  安东尼·J·罗特费尔德

IPC: H01L31/078

CPC classification number: H01L31/0384 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L31/043 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/078 ,  H01L31/1852 ,  H01L31/1892 ,  Y02E10/50 ,  Y02E10/544

Abstract: 太阳能电池结构包括多个子电池，该子电池结合了可具有不同晶格常数的不同材料。在一些实施例中，太阳能电池元件包括多个光伏结。

公开(公告)号：CN100437970C

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200480010167.0

申请日：2004-03-05

Applicant: 琥珀波系统公司

Inventor： M·T·柯里 ,  A·J·洛赫特费尔德

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/10

CPC classification number: H01L29/66628 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823878 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明涉及一种包括晶体管和沟槽结构的结构，其中，沟槽结构只引起晶体管的槽道区域的一部分应变。

公开(公告)号：CN101268547A

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN200680032320.9

申请日：2006-07-26

Applicant: 琥珀波系统公司

Inventor： 安东尼·J·洛赫特费尔德 ,  马修·T·柯里 ,  程志渊 ,  詹姆斯·菲奥里扎

IPC: H01L21/8238 ,  H01L29/10 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7848 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在结晶半导体衬底上形成交替材料区域的方法，以及由此形成的结构。这种交替材料区域适合于用作MOSFET或者其他电子或光电子器件中的有源区。

公开(公告)号：CN101268547B

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN200680032320.9

申请日：2006-07-26

Applicant: 琥珀波系统公司

Inventor： 安东尼·J·洛赫特费尔德 ,  马修·T·柯里 ,  程志渊 ,  詹姆斯·菲奥里扎

IPC: H01L21/8238 ,  H01L29/10 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7848 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在结晶半导体衬底上形成交替材料区域的方法，以及由此形成的结构。这种交替材料区域适合于用作MOSFET或者其他电子或光电子器件中的有源区。

公开(公告)号：CN101300663A

公开(公告)日：2008-11-05

申请号：CN200680023212.5

申请日：2006-05-17

Applicant: 琥珀波系统公司

Inventor： 安东尼·J·洛赫特费尔德 ,  马修·T·柯里 ,  程志渊 ,  詹姆斯·菲奥里扎 ,  格林·布雷恩维特 ,  托马斯·A·郎杜

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02647 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/7624 ,  H01L21/8258 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明提供一种利用具有基本上耗尽了的线位错的上部的有限面积区域制造单片晶格失配的半导体异质结构的方法，以及基于这种晶格失配异质结构制造半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN1774799A

公开(公告)日：2006-05-17

申请号：CN200480010167.0

申请日：2004-03-05

Applicant: 琥珀波系统公司

Inventor： M·T·柯里 ,  A·J·洛赫特费尔德

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/00 ,  H01L29/772

CPC classification number: H01L29/66628 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823878 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明涉及一种包括晶体管和沟槽结构的结构，其中，沟槽结构只引起晶体管的槽道区域的一部分应变。