公开(公告)号：CN101770951B

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN201010300105.0

申请日：2010-01-07

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 张景文 ,  王建功 ,  陈雷生 ,  王东 ,  梁燕杰

IPC: H01L21/335 ,  H01L21/203

Abstract: 本发明公开了一种采用高纯ZnO、MgZnO陶瓷靶材，利用射频源等离子辅助L-MBE设备，在蓝宝石(0001)单晶衬底上外延生长ZnO/MgZnO异质结的方法。首先，设置等离子体辅助激光分子束外延系统；然后，利用设置好的等离子体辅助激光分子束外延系统处理蓝宝石衬底从而获得氧极性面衬底；最后，利用等离子体辅助激光分子束外延系统在蓝宝石氧极性面衬底上依次生长ZnO低温缓冲层、ZnO层和MgZnO层。由该方法生长得到的ZnO/MgZnO异质结，通过测试C-V，表明在其界面上形成了高浓度的二维电子气。

公开(公告)号：CN101671815A

公开(公告)日：2010-03-17

申请号：CN200910024217.5

申请日：2009-10-10

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 张景文 ,  王东 ,  胡亚楠 ,  李高明 ,  侯洵

IPC: C23C16/40 ,  C30B29/16 ,  C30B28/14

Abstract: 本发明公开了一种基于CVD法制备长矛状ZnO纳米/微米结构的方法，(1)设置程控扩散炉工作参数；(2)制备蒸发源：将高纯ZnO粉末和高纯C粉按摩尔比1∶2混合均匀得到混合物，以此混合物作为程控扩散炉的蒸发源；(3)制备ZnO纳米/微米结构：将步骤(2)所述蒸发源置于程控扩散炉中，启动程控扩散炉加热蒸发源获得ZnO纳米/微米结构。采用本发明的方法，能制备纯度＞99.999％具有长矛状形貌的ZnO纳米/微米结构；同时，此结构与其它ZnO纳米结构相比，具有优良的光学性能，该方法具有工艺简单，可控性和可重复性高，适用于大面积ZnO纳米结构制备等优点。

公开(公告)号：CN101183667A

公开(公告)日：2008-05-21

申请号：CN200710188564.2

申请日：2007-12-11

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 张景文 ,  张新安 ,  侯洵 ,  张杰

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/336 ,  H01L21/477 ,  G02F1/1362

Abstract: 本发明公开了一种制备透明ZnO基薄膜晶体管阵列的方法，该方法采用四次剥离工艺的制备过程，用射频磁控溅射技术生长ZnO基薄膜并在氧气中对ZnO基薄膜进行退火处理以提高其电学性质。该薄膜晶体管阵列采用ITO、ZnO:Al或ZnO:Ga等透明导电薄膜作为栅、源、漏电极，用SiO2、Al2O3、SiNX等薄膜作为绝缘层。实验得到ZnO基薄膜晶体管阵列在可见光波段的透过率达到85％，为开发高性能的平板显示阵列提供了一种新的途径。

公开(公告)号：CN101055881A

公开(公告)日：2007-10-17

申请号：CN200710017791.9

申请日：2007-04-30

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 张景文 ,  毕臻 ,  边旭明 ,  侯洵 ,  杨晓东 ,  韩峰

IPC: H01L27/144 ,  H01L21/84 ,  H01L31/101 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及背照式ZnO基紫外成像固态焦平面探测阵列及制备，在双面抛光的蓝宝石(0001)基底上利用激光分子束外延生长Al重掺杂的MgxZn1－xO(BexZn1－xO)透明导电膜，然后外延生长不掺杂的对紫外光敏感的MgyZn1－yO层。接着在上面再生长一层Al重掺杂的MgzZn1－zO欧姆接触外延层。利用光刻和ICP离子刻蚀方法形成阵列式像素单元结构，在刻蚀好的图形基础上利用RF磁控溅射镀SiO2钝化层。由反应离子刻蚀形成电极的Al接触，利用蒸发镀膜的办法形成金属接触，以快速退火激活紫外敏感活性层形成欧姆接触，从而得到背照式ZnO基紫外成像固态焦平面探测阵列。本发明和匹配的Si－CMOS读出电路芯片通过铟凸点互连，放在紫外透镜的焦平面上，加上相应的图像处理、存储电路和软件就形成完整的紫外成像器件。

公开(公告)号：CN113380874A

公开(公告)日：2021-09-10

申请号：CN202110579210.0

申请日：2021-05-26

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 张景文 ,  刘静楠 ,  时明月 ,  王燕 ,  张恒清 ,  侯洵

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/16 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明公开了一种皮秒碳化硅漂移阶跃恢复二极管，包括原胞结构，原胞结构自下而上依次包括N型欧姆接触电极、N型掺杂阴极区、N型掺杂Buffer层、P型基区、P型掺杂区、P型掺杂阳极区和P型欧姆接触电极，P型基区掺杂浓度为1*1015‑5*1016cm‑3、厚度为0.25μm‑1μm，通过采用高浓度掺杂P型基区，能够有效减小DSRD器件的开关时间和正向导通压降，厚度为0.25μm‑1μm，有效提高了二极管的击穿特性，P型基区与P型重掺杂阳极区之间为P型掺杂区，可以增加P型基区电离受主的数量以补偿其中的非平衡空穴，从而使少子在基区中积累，减小输出脉冲的“预脉冲”电压，进而减小器件的功率损耗。本发明使用的DSRD器件结构只需改变外延时的掺杂参数，无需开发新的工艺方法。

公开(公告)号：CN111613497A

公开(公告)日：2020-09-01

申请号：CN202010504428.5

申请日：2020-06-05

Applicant: 陕西理工大学 ,  西安交通大学

Inventor： 蔡志鹏 ,  张景文

IPC: H01J1/34 ,  H01J40/06 ,  H01J9/12

Abstract: 本发明公开了一种分光谱响应增强的透射式光电阴极及其制备方法。该透射式光电阴极沿信号光入射方向依次包括：光学选通膜、光学玻璃、光学增透膜、缓冲层、发射层和激活层；所述光学选通膜、所述光学增透膜、所述缓冲层和所述发射层分别分为若干区域，且所述光学选通膜的各区域、所述光学增透膜的各区域、所述缓冲层的各区域和所述发射层的各区域分别一一对应，各所述区域的材料、厚度和层数根据各所述区域响应的波段进行设定。本发明提供的光电阴极能够使各波段均具有较高的量子效率，能够实现宽、窄光谱并行工作，消除宽、窄光谱光电阴极之间的应用界限。

公开(公告)号：CN107369617B

公开(公告)日：2019-12-24

申请号：CN201710547437.0

申请日：2017-07-06

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 张景文 ,  谢倩 ,  陈旭东 ,  王明海 ,  卜忍安 ,  王宏兴 ,  侯洵

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/285

Abstract: 本发明公开了一种SiC高温欧姆接触电极及其制作方法，首先对SiC衬底表面进行抛光处理，然后在SiC衬底表面进行光刻得到电极图像层，然后采用磁控溅射在SiC衬底电极图像层表面上依次沉积Ti层和W层，在W层上利用真空蒸发镀膜依次蒸镀NiCr层和Au层，然后通过退火处理得到欧姆接触电极，采用多层难熔金属Ti/W/NiCr/Au来制作光导开关的多层难熔金属电极，采用的金属熔点高，能够耐受更高的工作温度，金属电极退火后会和SiC基底形成Ti3SiC2合金化合物，提高金属接触电极的电导率，能够大大降低金属电极的接触电阻，因此该方法制作的欧姆接触电极能耐高温、接触电阻小。

公开(公告)号：CN108711549A

公开(公告)日：2018-10-26

申请号：CN201810398935.8

申请日：2018-04-28

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 王宏兴 ,  王艳丰 ,  王玮 ,  常晓慧 ,  张景文 ,  卜忍安 ,  侯洵

IPC: H01L21/04 ,  H01L21/336 ,  H01L29/16 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66045 ,  H01L21/044 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开了一种超薄氧化铝介质层金刚石场效应晶体管的制备方法，去除金刚石衬底表面非金刚石相后，再对金刚石衬底进行氢化处理；在氢化后的金刚石衬底表面形成源极和漏极；然后在源极和漏极之间形成超薄氧化铝介质层；最后在超薄氧化铝介质层上形成栅极。解决了现有场效应晶体管的制备成本高，制备工艺复杂的问题。

公开(公告)号：CN104992974B

公开(公告)日：2018-03-02

申请号：CN201510250214.9

申请日：2015-05-15

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 王玮 ,  王宏兴 ,  胡超 ,  李奉南 ,  李硕业 ,  刘璋成 ,  张景文 ,  卜忍安 ,  侯洵

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/66 ,  H01L21/04

Abstract: 本发明公开了一种金刚石基双层绝缘栅介质场效应晶体管及其制备方法，该场效应晶体管包含金刚石衬底、单晶金刚石外延薄膜、导电沟道、源极、漏极、第一层绝缘栅介质层、第二层绝缘栅介质层和栅电极；金刚石衬底上设有一层单晶金刚石外延薄膜；单晶金刚石外延薄膜上设置有源极和漏极；源极和漏极之间的单晶金刚石外延薄膜上形成有导电沟道；第一层绝缘栅介质层覆盖源极与漏极之间的导电沟道，以及部分源极与漏极；第一层绝缘栅介质层上设置有第二层绝缘栅介质层；第二层绝缘栅介质层上设置有栅电极。本发明采用双层绝缘栅介质的结构有效提高了场效应晶体管的直流、微波特性。

公开(公告)号：CN107389728A

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：CN201710631819.1

申请日：2017-07-28

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 张景文 ,  王进军 ,  翟文博 ,  王明海 ,  王晓亮 ,  卜忍安 ,  王宏兴 ,  侯洵

IPC: G01N25/20

CPC classification number: G01N25/20

Abstract: 本发明公开了一种金刚石薄膜热导率测量装置及测量方法，通过采用红外热像仪测量待测金刚石薄膜热传导分布图，通过分别计算热传导过程中成像的温度梯度，进而得到热辐射温度变化率，从而计算得到各待测金刚石薄膜的相对热导率，再通过已知热导率的金刚石薄膜的热导率和相对热导率计算得到比例系数，从而得到待测金刚石薄膜的热导率，本发明具有测量精度高、操作简单、对测量环境要求低，测量速度快，红外热像仪与待测金刚石薄膜样品非直接接触，测量结果准确度高，对待测金刚石薄膜样品的形状没有特殊的要求。