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公开(公告)号：CN107393858A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201710631784.1
申请日：2017-07-28
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L21/683 , H01L21/335 , H01L23/367 , H01L23/373
CPC classification number: H01L21/6835 , H01L23/3672 , H01L23/3732 , H01L29/66462 , H01L2221/68368 , H01L2221/68386
Abstract: 本发明公开了一种GaN HEMTs功率器件向金刚石热沉转移方法，通过在蓝宝石衬底上生长GaN HEMTs功率器件，然后采用Si晶片作为临时支撑材料生长在GaN HEMTs功率器件上，然后将蓝宝石衬底与GaN HEMTs功率器件分离，再通过热塑性粘合剂将Si晶片粘到GaN HEMTs功率器件上，最后将GaN HEMTs功率器件上的SI晶片剥离，从而得到金刚石热沉片GaN HEMTs功率器件，采用高热导率的金刚石做GaN HEMTs功率器件的热沉片，大大提高了GaN HEMTs功率器件高频、大功率应用时的散热能力，采用低温键合方法使GaN HEMTs功率器件高频、大功率应用时的散热问题和金刚石热沉片粘合，有效避免了传统的高温键合对器件性能的损伤。本方法转移工艺简单、容易实现、重复性好。
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公开(公告)号：CN107331732A
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201710547436.6
申请日：2017-07-06
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0312 , H01L31/0352 , H01L31/0224 , H01L31/09
Abstract: 本发明公开了一种垂直型多电流通道SiC光导开关及其制作方法，首先采用lift-off工艺将所需电极图形转移到SiC衬底一侧表面，利用磁控溅射工艺在SiC衬底电极图形上依次制作Ti层和W层，然后在W层上利用真空蒸发镀膜工艺依次制作Au层和NiCr层，从而完成接触电极的制作，对制作完接触电极的SiC衬底进行去胶，使衬底形成多电流通道的，采用多电流通道的方法来减小现有开关中出现的电流丝效应，电流丝效应是电流集中在局部区域，会使得该区域温度升高很多，从而导致开关热损坏，降低器件寿命；多电流通道将电流分散在开关中，减少了热集中，增加了光导开光的寿命；通过在SiC光导开关上设置多电流通道，减小电流密度，从而提高开关耐压能力及可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107369705A
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201710547365.X
申请日：2017-07-06
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L29/45
Abstract: 本发明公开了一种GaAs半导体表面欧姆接触电极及其制作方法，首先通过在GaAs半导体表面做接触电极，然后再在石英衬底上依次生成Cu层和Au层，将石英衬底上的Au层与GaAs上接触电极的接触层通过退火粘合封装在一起，然后抛光去除石英衬底，即可得到GaAs欧姆接触电极，通过在石英衬底上以铜层为过渡层，进行金层的制作，克服了金层与石英衬底难键和的问题，完成加厚金层的单独支座，克服了金层通过磁控溅射、真空蒸发方法很难制备出易于键合的微米级厚度的金层的问题，因此将加厚金层单独用电镀的方法来制作，通过本方法制作的GaAs接触电极使得器件可以非常容易地键合到电路中测试使用，器件可以工作在更高的温度，得到更好的器件性能表现。
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公开(公告)号：CN107389728A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201710631819.1
申请日：2017-07-28
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01N25/20
CPC classification number: G01N25/20
Abstract: 本发明公开了一种金刚石薄膜热导率测量装置及测量方法，通过采用红外热像仪测量待测金刚石薄膜热传导分布图，通过分别计算热传导过程中成像的温度梯度，进而得到热辐射温度变化率，从而计算得到各待测金刚石薄膜的相对热导率，再通过已知热导率的金刚石薄膜的热导率和相对热导率计算得到比例系数，从而得到待测金刚石薄膜的热导率，本发明具有测量精度高、操作简单、对测量环境要求低，测量速度快，红外热像仪与待测金刚石薄膜样品非直接接触，测量结果准确度高，对待测金刚石薄膜样品的形状没有特殊的要求。
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公开(公告)号：CN107369705B
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201710547365.X
申请日：2017-07-06
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L29/45
Abstract: 本发明公开了一种GaAs半导体表面欧姆接触电极及其制作方法，首先通过在GaAs半导体表面做接触电极，然后再在石英衬底上依次生成Cu层和Au层，将石英衬底上的Au层与GaAs上接触电极的接触层通过退火粘合封装在一起，然后抛光去除石英衬底，即可得到GaAs欧姆接触电极，通过在石英衬底上以铜层为过渡层，进行金层的制作，克服了金层与石英衬底难键和的问题，完成加厚金层的单独支座，克服了金层通过磁控溅射、真空蒸发方法很难制备出易于键合的微米级厚度的金层的问题，因此将加厚金层单独用电镀的方法来制作，通过本方法制作的GaAs接触电极使得器件可以非常容易地键合到电路中测试使用，器件可以工作在更高的温度，得到更好的器件性能表现。
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公开(公告)号：CN107331732B
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201710547436.6
申请日：2017-07-06
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0312 , H01L31/0352 , H01L31/0224 , H01L31/09
Abstract: 本发明公开了一种垂直型多电流通道SiC光导开关及其制作方法，首先采用lift‑off工艺将所需电极图形转移到SiC衬底一侧表面，利用磁控溅射工艺在SiC衬底电极图形上依次制作Ti层和W层，然后在W层上利用真空蒸发镀膜工艺依次制作Au层和NiCr层，从而完成接触电极的制作，对制作完接触电极的SiC衬底进行去胶，使衬底形成多电流通道的，采用多电流通道的方法来减小现有开关中出现的电流丝效应，电流丝效应是电流集中在局部区域，会使得该区域温度升高很多，从而导致开关热损坏，降低器件寿命；多电流通道将电流分散在开关中，减少了热集中，增加了光导开光的寿命；通过在SiC光导开关上设置多电流通道，减小电流密度，从而提高开关耐压能力及可靠性。
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公开(公告)号：CN107326435A
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201710633558.7
申请日：2017-07-28
Applicant: 西安交通大学
CPC classification number: C30B25/186 , C30B25/183 , C30B29/406
Abstract: 本发明公开了一种生长GaN的SiC衬底的剥离方法，通过在SiC衬底表层下形成氢层，然后再在形成氢层的SiC衬底表层上生成GaN单晶，由于在生长GaN的过程中，SiC衬底经历了一千多度的热氛围，注入到SiC衬底中氢层会在SiC衬底中横向连成一层气泡，最后采用激光沿SiC衬底形成的氢层切割将GaN和SiC衬底剥离出来，即可完成生长GaN单晶的SiC衬底的剥离，避免造成剥离过程中GaN单晶受损，本方法简单快捷，避免了直接通过激光切割将生长GaN和SiC衬底剥离，避免了SiC衬底材料的浪费，通过在SiC衬底表层下注入氢离子形成氢离子层，使得SiC衬底表层下的氢离子层处于富氢状态从而形成氢层，方法简单且形成氢层稳定。
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