公开(公告)号：CN107369617B

公开(公告)日：2019-12-24

申请号：CN201710547437.0

申请日：2017-07-06

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 张景文 ,  谢倩 ,  陈旭东 ,  王明海 ,  卜忍安 ,  王宏兴 ,  侯洵

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/285

Abstract: 本发明公开了一种SiC高温欧姆接触电极及其制作方法，首先对SiC衬底表面进行抛光处理，然后在SiC衬底表面进行光刻得到电极图像层，然后采用磁控溅射在SiC衬底电极图像层表面上依次沉积Ti层和W层，在W层上利用真空蒸发镀膜依次蒸镀NiCr层和Au层，然后通过退火处理得到欧姆接触电极，采用多层难熔金属Ti/W/NiCr/Au来制作光导开关的多层难熔金属电极，采用的金属熔点高，能够耐受更高的工作温度，金属电极退火后会和SiC基底形成Ti3SiC2合金化合物，提高金属接触电极的电导率，能够大大降低金属电极的接触电阻，因此该方法制作的欧姆接触电极能耐高温、接触电阻小。

公开(公告)号：CN107389728A

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：CN201710631819.1

申请日：2017-07-28

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 张景文 ,  王进军 ,  翟文博 ,  王明海 ,  王晓亮 ,  卜忍安 ,  王宏兴 ,  侯洵

IPC: G01N25/20

CPC classification number: G01N25/20

Abstract: 本发明公开了一种金刚石薄膜热导率测量装置及测量方法，通过采用红外热像仪测量待测金刚石薄膜热传导分布图，通过分别计算热传导过程中成像的温度梯度，进而得到热辐射温度变化率，从而计算得到各待测金刚石薄膜的相对热导率，再通过已知热导率的金刚石薄膜的热导率和相对热导率计算得到比例系数，从而得到待测金刚石薄膜的热导率，本发明具有测量精度高、操作简单、对测量环境要求低，测量速度快，红外热像仪与待测金刚石薄膜样品非直接接触，测量结果准确度高，对待测金刚石薄膜样品的形状没有特殊的要求。

公开(公告)号：CN107369617A

公开(公告)日：2017-11-21

申请号：CN201710547437.0

申请日：2017-07-06

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 张景文 ,  谢倩 ,  陈旭东 ,  王明海 ,  卜忍安 ,  王宏兴 ,  侯洵

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/285

Abstract: 本发明公开了一种SiC高温欧姆接触电极及其制作方法，首先对SiC衬底表面进行抛光处理，然后在SiC衬底表面进行光刻得到电极图像层，然后采用磁控溅射在SiC衬底电极图像层表面上依次沉积Ti层和W层，在W层上利用真空蒸发镀膜依次蒸镀NiCr层和Au层，然后通过退火处理得到欧姆接触电极，采用多层难熔金属Ti/W/NiCr/Au来制作光导开关的多层难熔金属电极，采用的金属熔点高，能够耐受更高的工作温度，金属电极退火后会和SiC基底形成Ti3SiC2合金化合物，提高金属接触电极的电导率，能够大大降低金属电极的接触电阻，因此该方法制作的欧姆接触电极能耐高温、接触电阻小。

公开(公告)号：CN107331732B

公开(公告)日：2020-03-17

申请号：CN201710547436.6

申请日：2017-07-06

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 张景文 ,  谢倩 ,  陈旭东 ,  翟文博 ,  王明海 ,  卜忍安 ,  王宏兴 ,  侯洵

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0312 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/09

Abstract: 本发明公开了一种垂直型多电流通道SiC光导开关及其制作方法，首先采用lift‑off工艺将所需电极图形转移到SiC衬底一侧表面，利用磁控溅射工艺在SiC衬底电极图形上依次制作Ti层和W层，然后在W层上利用真空蒸发镀膜工艺依次制作Au层和NiCr层，从而完成接触电极的制作，对制作完接触电极的SiC衬底进行去胶，使衬底形成多电流通道的，采用多电流通道的方法来减小现有开关中出现的电流丝效应，电流丝效应是电流集中在局部区域，会使得该区域温度升高很多，从而导致开关热损坏，降低器件寿命；多电流通道将电流分散在开关中，减少了热集中，增加了光导开光的寿命；通过在SiC光导开关上设置多电流通道，减小电流密度，从而提高开关耐压能力及可靠性。

公开(公告)号：CN107331732A

公开(公告)日：2017-11-07

申请号：CN201710547436.6

申请日：2017-07-06

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 张景文 ,  谢倩 ,  陈旭东 ,  翟文博 ,  王明海 ,  卜忍安 ,  王宏兴 ,  侯洵

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0312 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/09

Abstract: 本发明公开了一种垂直型多电流通道SiC光导开关及其制作方法，首先采用lift-off工艺将所需电极图形转移到SiC衬底一侧表面，利用磁控溅射工艺在SiC衬底电极图形上依次制作Ti层和W层，然后在W层上利用真空蒸发镀膜工艺依次制作Au层和NiCr层，从而完成接触电极的制作，对制作完接触电极的SiC衬底进行去胶，使衬底形成多电流通道的，采用多电流通道的方法来减小现有开关中出现的电流丝效应，电流丝效应是电流集中在局部区域，会使得该区域温度升高很多，从而导致开关热损坏，降低器件寿命；多电流通道将电流分散在开关中，减少了热集中，增加了光导开光的寿命；通过在SiC光导开关上设置多电流通道，减小电流密度，从而提高开关耐压能力及可靠性。