公开(公告)号：CN107400871A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201710632848.X

申请日：2017-07-28

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 张景文 ,  王进军 ,  陈旭东 ,  李洁琼 ,  王晓亮 ,  卜忍安 ,  王宏兴 ,  侯洵

IPC: C23C16/01 ,  C23C16/02 ,  C23C16/27 ,  C23C16/511

CPC classification number: C23C16/01 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/274

Abstract: 本发明公开了一种基于硅衬底的金刚石薄膜的制备方法，通过在硅晶圆衬底表层下形成氢层，然后再在形成氢层的硅晶圆衬底表层上生成金刚石薄膜，然后通过电化学剥离方法从硅晶圆衬底氢离子层处剥离使硅晶圆衬底和金刚石薄膜分离，形成自撑金刚石薄膜，在自撑金刚石薄膜表面形成了一层便于修复平整加工余量的硅晶圆衬底层，避免造成剥离过程中金刚石薄膜受损，通过从形成氢层的硅晶圆衬底处进行剥离，节省了硅晶圆衬底的成本，避免了硅晶圆衬底材料的浪费，可对剥离后的硅晶圆衬底重复利用，本方法简单快捷，剥离效率高，对剥离后的金刚石薄膜采用CMP抛光技术进行抛光即可得到表面完整的金刚石薄膜，大大提高了金刚石薄膜表面的平整度。

公开(公告)号：CN107393858A

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：CN201710631784.1

申请日：2017-07-28

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 张景文 ,  王进军 ,  陈旭东 ,  翟文博 ,  王晓亮 ,  卜忍安 ,  王宏兴 ,  侯洵

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/335 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L23/3672 ,  H01L23/3732 ,  H01L29/66462 ,  H01L2221/68368 ,  H01L2221/68386

Abstract: 本发明公开了一种GaN HEMTs功率器件向金刚石热沉转移方法，通过在蓝宝石衬底上生长GaN HEMTs功率器件，然后采用Si晶片作为临时支撑材料生长在GaN HEMTs功率器件上，然后将蓝宝石衬底与GaN HEMTs功率器件分离，再通过热塑性粘合剂将Si晶片粘到GaN HEMTs功率器件上，最后将GaN HEMTs功率器件上的SI晶片剥离，从而得到金刚石热沉片GaN HEMTs功率器件，采用高热导率的金刚石做GaN HEMTs功率器件的热沉片，大大提高了GaN HEMTs功率器件高频、大功率应用时的散热能力，采用低温键合方法使GaN HEMTs功率器件高频、大功率应用时的散热问题和金刚石热沉片粘合，有效避免了传统的高温键合对器件性能的损伤。本方法转移工艺简单、容易实现、重复性好。

公开(公告)号：CN107389728A

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：CN201710631819.1

申请日：2017-07-28

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 张景文 ,  王进军 ,  翟文博 ,  王明海 ,  王晓亮 ,  卜忍安 ,  王宏兴 ,  侯洵

IPC: G01N25/20

CPC classification number: G01N25/20

Abstract: 本发明公开了一种金刚石薄膜热导率测量装置及测量方法，通过采用红外热像仪测量待测金刚石薄膜热传导分布图，通过分别计算热传导过程中成像的温度梯度，进而得到热辐射温度变化率，从而计算得到各待测金刚石薄膜的相对热导率，再通过已知热导率的金刚石薄膜的热导率和相对热导率计算得到比例系数，从而得到待测金刚石薄膜的热导率，本发明具有测量精度高、操作简单、对测量环境要求低，测量速度快，红外热像仪与待测金刚石薄膜样品非直接接触，测量结果准确度高，对待测金刚石薄膜样品的形状没有特殊的要求。