公开(公告)号：CN101770951A

公开(公告)日：2010-07-07

申请号：CN201010300105.0

申请日：2010-01-07

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 张景文 ,  王建功 ,  陈雷生 ,  王东 ,  梁燕杰

IPC: H01L21/335 ,  H01L21/203

Abstract: 本发明公开了一种采用高纯ZnO、MgZnO陶瓷靶材，利用射频源等离子辅助L-MBE设备，在蓝宝石(0001)单晶衬底上外延生长ZnO/MgZnO异质结的方法。首先，设置等离子体辅助激光分子束外延系统；然后，利用设置好的等离子体辅助激光分子束外延系统处理蓝宝石衬底从而获得氧极性面衬底；最后，利用等离子体辅助激光分子束外延系统在蓝宝石氧极性面衬底上依次生长ZnO低温缓冲层、ZnO层和MgZnO层。由该方法生长得到的ZnO/MgZnO异质结，通过测试C-V，表明在其界面上形成了高浓度的二维电子气。

公开(公告)号：CN101770951B

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN201010300105.0

申请日：2010-01-07

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 张景文 ,  王建功 ,  陈雷生 ,  王东 ,  梁燕杰

IPC: H01L21/335 ,  H01L21/203

Abstract: 本发明公开了一种采用高纯ZnO、MgZnO陶瓷靶材，利用射频源等离子辅助L-MBE设备，在蓝宝石(0001)单晶衬底上外延生长ZnO/MgZnO异质结的方法。首先，设置等离子体辅助激光分子束外延系统；然后，利用设置好的等离子体辅助激光分子束外延系统处理蓝宝石衬底从而获得氧极性面衬底；最后，利用等离子体辅助激光分子束外延系统在蓝宝石氧极性面衬底上依次生长ZnO低温缓冲层、ZnO层和MgZnO层。由该方法生长得到的ZnO/MgZnO异质结，通过测试C-V，表明在其界面上形成了高浓度的二维电子气。