公开(公告)号：CN101691651B

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN200910024216.0

申请日：2009-10-10

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 张景文 ,  王东 ,  王建功 ,  种景 ,  侯洵

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/22

Abstract: 本发明公开了一种采用InGaZnO陶瓷靶材(In∶Ga∶Zn原子比为1∶1∶1)，利用等离子辅助L-MBE设备，在高真空条件下(本底真空度为10-6Pa，生长时O2分压为10-3Pa，射频功率为100-400W)，在石英玻璃衬底上外延生长非晶态InGaZnO透明导电薄膜的工艺。其中射频功率300W时所得到的InGaZnO薄膜可见光范围透过率超过80％，电阻率为5.24×10-3Ωcm，电子迁移率为16.14cm2v-1s-1，电子浓度为8.31×1019cm-3。该方法利用等离子辅助L-MBE设备，在高真空条件下在石英玻璃衬底上外延生长非晶态InGaZnO透明导电薄膜，在100-400W射频功率得到光学和电学性能优良的非晶态InGaZnO透明导电薄膜。

公开(公告)号：CN101770951B

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN201010300105.0

申请日：2010-01-07

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 张景文 ,  王建功 ,  陈雷生 ,  王东 ,  梁燕杰

IPC: H01L21/335 ,  H01L21/203

Abstract: 本发明公开了一种采用高纯ZnO、MgZnO陶瓷靶材，利用射频源等离子辅助L-MBE设备，在蓝宝石(0001)单晶衬底上外延生长ZnO/MgZnO异质结的方法。首先，设置等离子体辅助激光分子束外延系统；然后，利用设置好的等离子体辅助激光分子束外延系统处理蓝宝石衬底从而获得氧极性面衬底；最后，利用等离子体辅助激光分子束外延系统在蓝宝石氧极性面衬底上依次生长ZnO低温缓冲层、ZnO层和MgZnO层。由该方法生长得到的ZnO/MgZnO异质结，通过测试C-V，表明在其界面上形成了高浓度的二维电子气。

公开(公告)号：CN101770951A

公开(公告)日：2010-07-07

申请号：CN201010300105.0

申请日：2010-01-07

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 张景文 ,  王建功 ,  陈雷生 ,  王东 ,  梁燕杰

IPC: H01L21/335 ,  H01L21/203

Abstract: 本发明公开了一种采用高纯ZnO、MgZnO陶瓷靶材，利用射频源等离子辅助L-MBE设备，在蓝宝石(0001)单晶衬底上外延生长ZnO/MgZnO异质结的方法。首先，设置等离子体辅助激光分子束外延系统；然后，利用设置好的等离子体辅助激光分子束外延系统处理蓝宝石衬底从而获得氧极性面衬底；最后，利用等离子体辅助激光分子束外延系统在蓝宝石氧极性面衬底上依次生长ZnO低温缓冲层、ZnO层和MgZnO层。由该方法生长得到的ZnO/MgZnO异质结，通过测试C-V，表明在其界面上形成了高浓度的二维电子气。

公开(公告)号：CN101691651A

公开(公告)日：2010-04-07

申请号：CN200910024216.0

申请日：2009-10-10

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 张景文 ,  王东 ,  王建功 ,  种景 ,  侯洵

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/22

Abstract: 本发明公开了一种采用InGaZnO陶瓷靶材(In∶Ga∶Zn原子比为1∶1∶1)，利用等离子辅助L-MBE设备，在高真空条件下(本底真空度为10-6Pa，生长时O2分压为10-3Pa，射频功率为100-400W)，在石英玻璃衬底上外延生长非晶态InGaZnO透明导电薄膜的工艺。其中射频功率300W时所得到的InGaZnO薄膜可见光范围透过率超过80％，电阻率为5.24×10-3Ωcm，电子迁移率为16.14cm2v-1s-1，电子浓度为8.31×1019cm-3。该方法利用等离子辅助L-MBE设备，在高真空条件下在石英玻璃衬底上外延生长非晶态InGaZnO透明导电薄膜，在100-400W射频功率得到光学和电学性能优良的非晶态InGaZnO透明导电薄膜。