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公开(公告)号：CN101055881A
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN200710017791.9
申请日：2007-04-30
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L27/144 , H01L21/84 , H01L31/101 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及背照式ZnO基紫外成像固态焦平面探测阵列及制备，在双面抛光的蓝宝石(0001)基底上利用激光分子束外延生长Al重掺杂的MgxZn1－xO(BexZn1－xO)透明导电膜，然后外延生长不掺杂的对紫外光敏感的MgyZn1－yO层。接着在上面再生长一层Al重掺杂的MgzZn1－zO欧姆接触外延层。利用光刻和ICP离子刻蚀方法形成阵列式像素单元结构，在刻蚀好的图形基础上利用RF磁控溅射镀SiO2钝化层。由反应离子刻蚀形成电极的Al接触，利用蒸发镀膜的办法形成金属接触，以快速退火激活紫外敏感活性层形成欧姆接触，从而得到背照式ZnO基紫外成像固态焦平面探测阵列。本发明和匹配的Si－CMOS读出电路芯片通过铟凸点互连，放在紫外透镜的焦平面上，加上相应的图像处理、存储电路和软件就形成完整的紫外成像器件。
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公开(公告)号：CN100485892C
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200710017537.9
申请日：2007-03-20
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L21/336 , H01L21/203
Abstract: 本发明公开了一种利用氨气掺杂制备增强型ZnO沟道层薄膜晶体管的方法，该方法在氧气和氨气的混合气氛中沉积氮掺杂ZnO沟道层薄膜，氨气掺杂可以在较低的温度下沉积高阻ZnO沟道层薄膜，少量氮离子的掺入降低了n型载流子浓度，同时薄膜晶体管仍保持较高的电子迁移率，本发明的方法能够制备ZnO、ZnMgO、Zn-Sn-O或Zn-In-O增强型沟道层薄膜晶体管。制备过程简单、可控性好、和低温TFT工艺兼容性好，为开发高性能的平板显示阵列提供了一种新的途径。
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公开(公告)号：CN100561742C
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200710017791.9
申请日：2007-04-30
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L27/144 , H01L21/84 , H01L31/101 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及背照式ZnO基紫外成像固态焦平面探测阵列及制备，在双面抛光的蓝宝石(0001)基底上利用激光分子束外延生长Al重掺杂的MgxZn1-xO(BexZn1-xO)透明导电膜，然后外延生长不掺杂的对紫外光敏感的MgyZn1-yO层。接着在上面再生长一层Al重掺杂的MgzZn1-zO欧姆接触外延层。利用光刻和ICP离子刻蚀方法形成阵列式像素单元结构，在刻蚀好的图形基础上利用RF磁控溅射镀SiO2钝化层。由反应离子刻蚀形成电极的Al接触，利用蒸发镀膜的办法形成金属接触，以快速退火激活紫外敏感活性层形成欧姆接触，从而得到背照式ZnO基紫外成像固态焦平面探测阵列。本发明和匹配的Si-CMOS读出电路芯片通过铟凸点互连，放在紫外透镜的焦平面上，加上相应的图像处理、存储电路和软件就形成完整的紫外成像器件。
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公开(公告)号：CN101202315A
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200710019126.3
申请日：2007-11-20
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种制备高性能垂直结构的ZnO紫外光电导探测器的方法。该方法利用在蓝宝石或石英衬底上依次沉积ITO薄膜和ZnO薄膜；再对薄膜在氧气氛中对ZnO薄膜进行400℃热处理，改善了ZnO薄膜的光电响应特性；然后将ZnO薄膜层腐蚀后露出ITO薄膜形成ZnO台面；最后在ZnO台面上沉积金属Al作为欧姆接触电极，以此获得了垂直结构的ZnO紫外光电导探测器。整个制备过程简单，成本低廉，易于控制，有利于光电集成，且容易产业化，有很高的实用价值。
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公开(公告)号：CN101055903A
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN200710017789.1
申请日：2007-04-30
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种制备高性能ZnO MSM型紫外光电导探测器的方法。该方法利用在气压为9.0×104Pa～1.0×105Pa的纯氧气氛中对ZnO薄膜进行热处理，改善了ZnO薄膜的光电响应特性，以此获得了高灵敏度、快速响应的ZnO MSM型紫外光电导探测器。整个制备过程简单，成本低廉，易于控制；若在Si基衬底上制作，则可与常规的Si工艺兼容，有利于光电集成，且容易产业化，有很高的实用价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100517771C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200710019126.3
申请日：2007-11-20
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种制备高性能垂直结构的ZnO紫外光电导探测器的方法。该方法利用在蓝宝石或石英衬底上依次沉积ITO薄膜和ZnO薄膜；再对薄膜在氧气氛中对ZnO薄膜进行400℃热处理，改善了ZnO薄膜的光电响应特性；然后将ZnO薄膜层腐蚀后露出ITO薄膜形成ZnO台面；最后在ZnO台面上沉积金属Al作为欧姆接触电极，以此获得了垂直结构的ZnO紫外光电导探测器。整个制备过程简单，成本低廉，易于控制，有利于光电集成，且容易产业化，有很高的实用价值。
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公开(公告)号：CN100468787C
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200710017789.1
申请日：2007-04-30
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种制备高性能ZnO MSM型紫外光电导探测器的方法。该方法利用在气压为9.0×104Pa～1.0×105Pa的纯氧气氛中对ZnO薄膜进行热处理，改善了ZnO薄膜的光电响应特性，以此获得了高灵敏度、快速响应的ZnO MSM型紫外光电导探测器。整个制备过程简单，成本低廉，易于控制；若在Si基衬底上制作，则可与常规的Si工艺兼容，有利于光电集成，且容易产业化，有很高的实用价值。
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公开(公告)号：CN101060084A
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200710017537.9
申请日：2007-03-20
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L21/336 , H01L21/203
Abstract: 本发明公开了一种利用氨气掺杂制备增强型ZnO沟道层薄膜晶体管的方法，该方法在氧气和氨气的混合气氛中沉积氮掺杂ZnO沟道层薄膜，氨气掺杂可以在较低的温度下沉积高阻ZnO沟道层薄膜，少量氮离子的掺入降低了n型载流子浓度，同时薄膜晶体管仍保持较高的电子迁移率，本发明的方法能够制备ZnO、ZnMgO、Zn－Sn－O或Zn－In－O增强型沟道层薄膜晶体管。制备过程简单、可控性好、和低温TFT工艺兼容性好，为开发高性能的平板显示阵列提供了一种新的途径。
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公开(公告)号：CN201167097Y
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200720126437.5
申请日：2007-11-20
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L31/101
Abstract: 本实用新型公开了一种垂直结构的ZnO紫外光电导探测器，包括一衬底，衬底上依次沉积有ITO薄膜和ZnO薄膜层，ZnO薄膜层腐蚀后露出ITO薄膜形成ZnO台面，在ZnO台面上表面沉积有欧姆接触电极。本实用新型的垂直结构的ZnO紫外光电导探测器，其制备过程简单，成本低廉，易于控制，有利于光电集成，且容易产业化，有很高的实用价值。
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公开(公告)号：CN201060051Y
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200720031739.4
申请日：2007-04-30
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01J1/44
Abstract: 本实用新型公开了一种高性能ZnO MSM结构的紫外光电导探测器，该结构包括一衬底，该衬底上沉积有ZnO薄膜层，在ZnO薄膜层上刻有作为欧姆接触的叉指电极图形，所述的叉指电极的对数为30～50，叉指电极的间距和指宽分别为10μm和30μm，叉指电极图形上还沉积有Al层或透明导电薄膜ITO层。本实用新型的ZnO MSM结构的紫外光电导探测器，灵敏度高、响应速度快，整个制备过程简单，成本低廉，易于控制；若在Si基衬底上制作，则可与常规的Si工艺兼容，有利于光电集成，且容易产业化，有很高的实用价值。
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