公开(公告)号：CN101060084A

公开(公告)日：2007-10-24

申请号：CN200710017537.9

申请日：2007-03-20

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 张景文 ,  张新安 ,  侯洵 ,  王东 ,  毕臻 ,  边旭明

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/203

Abstract: 本发明公开了一种利用氨气掺杂制备增强型ZnO沟道层薄膜晶体管的方法，该方法在氧气和氨气的混合气氛中沉积氮掺杂ZnO沟道层薄膜，氨气掺杂可以在较低的温度下沉积高阻ZnO沟道层薄膜，少量氮离子的掺入降低了n型载流子浓度，同时薄膜晶体管仍保持较高的电子迁移率，本发明的方法能够制备ZnO、ZnMgO、Zn－Sn－O或Zn－In－O增强型沟道层薄膜晶体管。制备过程简单、可控性好、和低温TFT工艺兼容性好，为开发高性能的平板显示阵列提供了一种新的途径。

公开(公告)号：CN101183667A

公开(公告)日：2008-05-21

申请号：CN200710188564.2

申请日：2007-12-11

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 张景文 ,  张新安 ,  侯洵 ,  张杰

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/336 ,  H01L21/477 ,  G02F1/1362

Abstract: 本发明公开了一种制备透明ZnO基薄膜晶体管阵列的方法，该方法采用四次剥离工艺的制备过程，用射频磁控溅射技术生长ZnO基薄膜并在氧气中对ZnO基薄膜进行退火处理以提高其电学性质。该薄膜晶体管阵列采用ITO、ZnO:Al或ZnO:Ga等透明导电薄膜作为栅、源、漏电极，用SiO2、Al2O3、SiNX等薄膜作为绝缘层。实验得到ZnO基薄膜晶体管阵列在可见光波段的透过率达到85％，为开发高性能的平板显示阵列提供了一种新的途径。

公开(公告)号：CN100530607C

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200710188564.2

申请日：2007-12-11

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 张景文 ,  张新安 ,  侯洵 ,  张杰

IPC: H01L21/84 ,  H01L21/336 ,  H01L21/477 ,  G02F1/1362

Abstract: 本发明公开了一种制备透明ZnO基薄膜晶体管阵列的方法，该方法采用四次剥离工艺的制备过程，用射频磁控溅射技术生长ZnO基薄膜并在氧气中对ZnO基薄膜进行退火处理以提高其电学性质。该薄膜晶体管阵列采用ITO、ZnO:Al或ZnO:Ga等透明导电薄膜作为栅、源、漏电极，用SiO2、Al2O3、SiNX等薄膜作为绝缘层。实验得到ZnO基薄膜晶体管阵列在可见光波段的透过率达到85%，为开发高性能的平板显示阵列提供了一种新的途径。

公开(公告)号：CN100485892C

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200710017537.9

申请日：2007-03-20

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 张景文 ,  张新安 ,  侯洵 ,  王东 ,  毕臻 ,  边旭明

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/203

Abstract: 本发明公开了一种利用氨气掺杂制备增强型ZnO沟道层薄膜晶体管的方法，该方法在氧气和氨气的混合气氛中沉积氮掺杂ZnO沟道层薄膜，氨气掺杂可以在较低的温度下沉积高阻ZnO沟道层薄膜，少量氮离子的掺入降低了n型载流子浓度，同时薄膜晶体管仍保持较高的电子迁移率，本发明的方法能够制备ZnO、ZnMgO、Zn-Sn-O或Zn-In-O增强型沟道层薄膜晶体管。制备过程简单、可控性好、和低温TFT工艺兼容性好，为开发高性能的平板显示阵列提供了一种新的途径。