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公开(公告)号：CN102903938A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201210396874.4
申请日：2012-10-18
Applicant: 西安交通大学
CPC classification number: Y02P70/56
Abstract: 本发明公开了一种阴极采用非贵金属催化剂的高分子纤维膜甲醇燃料电池及其制备方法，单电池主要由双极板、密封框、阴极、高分子纤维膜、阳极组成，阴极包括：防水透气膜及载有催化剂的阴极集流体；阳极包括：载有阳极催化剂的阳极集流体；高分子纤维膜为聚酰胺纤维、聚丙烯纤维、聚乙烯醇纤维等为主要原料制成的纤维膜。这种纤维膜取代了传统燃料电池中Nafion膜，它允许离子自由通过，能够有效的降低电池的内阻，从而降低了成本且提高了电池的性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100468787C
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200710017789.1
申请日：2007-04-30
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种制备高性能ZnO MSM型紫外光电导探测器的方法。该方法利用在气压为9.0×104Pa～1.0×105Pa的纯氧气氛中对ZnO薄膜进行热处理，改善了ZnO薄膜的光电响应特性，以此获得了高灵敏度、快速响应的ZnO MSM型紫外光电导探测器。整个制备过程简单，成本低廉，易于控制；若在Si基衬底上制作，则可与常规的Si工艺兼容，有利于光电集成，且容易产业化，有很高的实用价值。
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公开(公告)号：CN101055903A
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN200710017789.1
申请日：2007-04-30
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种制备高性能ZnO MSM型紫外光电导探测器的方法。该方法利用在气压为9.0×104Pa～1.0×105Pa的纯氧气氛中对ZnO薄膜进行热处理，改善了ZnO薄膜的光电响应特性，以此获得了高灵敏度、快速响应的ZnO MSM型紫外光电导探测器。整个制备过程简单，成本低廉，易于控制；若在Si基衬底上制作，则可与常规的Si工艺兼容，有利于光电集成，且容易产业化，有很高的实用价值。
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公开(公告)号：CN101055881A
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN200710017791.9
申请日：2007-04-30
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L27/144 , H01L21/84 , H01L31/101 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及背照式ZnO基紫外成像固态焦平面探测阵列及制备，在双面抛光的蓝宝石(0001)基底上利用激光分子束外延生长Al重掺杂的MgxZn1－xO(BexZn1－xO)透明导电膜，然后外延生长不掺杂的对紫外光敏感的MgyZn1－yO层。接着在上面再生长一层Al重掺杂的MgzZn1－zO欧姆接触外延层。利用光刻和ICP离子刻蚀方法形成阵列式像素单元结构，在刻蚀好的图形基础上利用RF磁控溅射镀SiO2钝化层。由反应离子刻蚀形成电极的Al接触，利用蒸发镀膜的办法形成金属接触，以快速退火激活紫外敏感活性层形成欧姆接触，从而得到背照式ZnO基紫外成像固态焦平面探测阵列。本发明和匹配的Si－CMOS读出电路芯片通过铟凸点互连，放在紫外透镜的焦平面上，加上相应的图像处理、存储电路和软件就形成完整的紫外成像器件。
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公开(公告)号：CN100561742C
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200710017791.9
申请日：2007-04-30
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L27/144 , H01L21/84 , H01L31/101 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及背照式ZnO基紫外成像固态焦平面探测阵列及制备，在双面抛光的蓝宝石(0001)基底上利用激光分子束外延生长Al重掺杂的MgxZn1-xO(BexZn1-xO)透明导电膜，然后外延生长不掺杂的对紫外光敏感的MgyZn1-yO层。接着在上面再生长一层Al重掺杂的MgzZn1-zO欧姆接触外延层。利用光刻和ICP离子刻蚀方法形成阵列式像素单元结构，在刻蚀好的图形基础上利用RF磁控溅射镀SiO2钝化层。由反应离子刻蚀形成电极的Al接触，利用蒸发镀膜的办法形成金属接触，以快速退火激活紫外敏感活性层形成欧姆接触，从而得到背照式ZnO基紫外成像固态焦平面探测阵列。本发明和匹配的Si-CMOS读出电路芯片通过铟凸点互连，放在紫外透镜的焦平面上，加上相应的图像处理、存储电路和软件就形成完整的紫外成像器件。
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公开(公告)号：CN201060051Y
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200720031739.4
申请日：2007-04-30
Applicant: 西安交通大学
IPC: G01J1/44
Abstract: 本实用新型公开了一种高性能ZnO MSM结构的紫外光电导探测器，该结构包括一衬底，该衬底上沉积有ZnO薄膜层，在ZnO薄膜层上刻有作为欧姆接触的叉指电极图形，所述的叉指电极的对数为30～50，叉指电极的间距和指宽分别为10μm和30μm，叉指电极图形上还沉积有Al层或透明导电薄膜ITO层。本实用新型的ZnO MSM结构的紫外光电导探测器，灵敏度高、响应速度快，整个制备过程简单，成本低廉，易于控制；若在Si基衬底上制作，则可与常规的Si工艺兼容，有利于光电集成，且容易产业化，有很高的实用价值。
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