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公开(公告)号：CN106981512B
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201710188701.6
申请日：2017-03-27
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/10 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种金刚石基常关型场效应晶体管，包括金刚石衬底，上设置有单晶金刚石外延薄膜，单晶金刚石外延薄膜的表面设置有源区以及包围有源区的器件隔离区，有源区为二维空穴气，有源区的上方依次间隔设置有源极、栅极和漏极，有源区的表面设置有导电沟道；导电沟道包括氢终端与氧终端、或氢终端与氟终端交替设置的沟道，通过表面处理技术调节所述导电沟道的氧化或氟化程度的强弱，进而调节对氧终端或氟终端临近的氢终端部分的耗尽程度，实现栅偏压零时器件的关断特性，以提供一种可以在高压、高频电子领域广泛应用的常关型器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104911702A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201510212841.3
申请日：2015-04-29
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种基于自组装工艺的高质量单晶金刚石生长方法，按照以下步骤实施：步骤一、将纳米二氧化硅颗粒分散到酒精、异丙醇或者丙酮溶液中，制备得到纳米二氧化硅分散液；步骤二、将分散液滴到单晶金刚石衬底表面，通过旋涂使其在单晶金刚石衬底表面均匀分散；步骤三、通过反应离子刻蚀技术，刻蚀单晶金刚石衬底表面的纳米二氧化硅，形成自断裂的二氧化硅掩膜，使单晶金刚石衬底表面部分裸露；步骤四、通过在裸露的单晶金刚石衬底表面进行金刚石同质外延生长，并在二氧化硅掩膜上进行金刚石横向生长，即在衬底上生长出单晶金刚石薄膜，解决了现有采用同质外延生长法制备金刚石薄膜质量偏低的问题。
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公开(公告)号：CN104992974B
公开(公告)日：2018-03-02
申请号：CN201510250214.9
申请日：2015-05-15
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/66 , H01L21/04
Abstract: 本发明公开了一种金刚石基双层绝缘栅介质场效应晶体管及其制备方法，该场效应晶体管包含金刚石衬底、单晶金刚石外延薄膜、导电沟道、源极、漏极、第一层绝缘栅介质层、第二层绝缘栅介质层和栅电极；金刚石衬底上设有一层单晶金刚石外延薄膜；单晶金刚石外延薄膜上设置有源极和漏极；源极和漏极之间的单晶金刚石外延薄膜上形成有导电沟道；第一层绝缘栅介质层覆盖源极与漏极之间的导电沟道，以及部分源极与漏极；第一层绝缘栅介质层上设置有第二层绝缘栅介质层；第二层绝缘栅介质层上设置有栅电极。本发明采用双层绝缘栅介质的结构有效提高了场效应晶体管的直流、微波特性。
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公开(公告)号：CN106981512A
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：CN201710188701.6
申请日：2017-03-27
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L29/778 , H01L29/10 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种金刚石基常关型场效应晶体管，包括金刚石衬底，上设置有单晶金刚石外延薄膜，单晶金刚石外延薄膜的表面设置有源区以及包围有源区的器件隔离区，有源区为二维空穴气，有源区的上方依次间隔设置有源极、栅极和漏极，有源区的表面设置有导电沟道；导电沟道包括氢终端与氧终端、或氢终端与氟终端交替设置的沟道，通过表面处理技术调节所述导电沟道的氧化或氟化程度的强弱，进而调节对氧终端或氟终端临近的氢终端部分的耗尽程度，实现栅偏压零时器件的关断特性，以提供一种可以在高压、高频电子领域广泛应用的常关型器件。
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公开(公告)号：CN104992974A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510250214.9
申请日：2015-05-15
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/66 , H01L21/04
CPC classification number: H01L29/78 , H01L21/044 , H01L29/42364 , H01L29/66969
Abstract: 本发明公开了一种金刚石基双层绝缘栅介质场效应晶体管及其制备方法，该场效应晶体管包含金刚石衬底、单晶金刚石外延薄膜、导电沟道、源极、漏极、第一层绝缘栅介质层、第二层绝缘栅介质层和栅电极；金刚石衬底上设有一层单晶金刚石外延薄膜；单晶金刚石外延薄膜上设置有源极和漏极；源极和漏极之间的单晶金刚石外延薄膜上形成有导电沟道；第一层绝缘栅介质层覆盖源极与漏极之间的导电沟道，以及部分源极与漏极；第一层绝缘栅介质层上设置有第二层绝缘栅介质层；第二层绝缘栅介质层上设置有栅电极。本发明采用双层绝缘栅介质的结构有效提高了场效应晶体管的直流、微波特性。
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公开(公告)号：CN104911702B
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201510212841.3
申请日：2015-04-29
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种基于自组装工艺的高质量单晶金刚石生长方法，按照以下步骤实施：步骤一、将纳米二氧化硅颗粒分散到酒精、异丙醇或者丙酮溶液中，制备得到纳米二氧化硅分散液；步骤二、将分散液滴到单晶金刚石衬底表面，通过旋涂使其在单晶金刚石衬底表面均匀分散；步骤三、通过反应离子刻蚀技术，刻蚀单晶金刚石衬底表面的纳米二氧化硅，形成自断裂的二氧化硅掩膜，使单晶金刚石衬底表面部分裸露；步骤四、通过在裸露的单晶金刚石衬底表面进行金刚石同质外延生长，并在二氧化硅掩膜上进行金刚石横向生长，即在衬底上生长出单晶金刚石薄膜，解决了现有采用同质外延生长法制备金刚石薄膜质量偏低的问题。
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