公开(公告)号：CN1616468A

公开(公告)日：2005-05-18

申请号：CN200410076698.1

申请日：2004-06-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申铉振 ,  郑铉潭 ,  宣钟白 ,  马相国 ,  林珍亨 ,  李在俊 ,  李光熙 ,  金正培

IPC: C07F7/21 ,  C08G77/14 ,  H01L21/31

CPC classification number: C07F7/21 ,  Y10T428/31663

Abstract: 本发明公开了一种多官能环状硅氧烷化合物(A)，硅氧烷基(共)聚合物，其由化合物(A)制备，或由化合物(A)和至少一种具有有机桥连(organic bridge)的硅单体(B)、无环烷氧基硅烷单体(C)和线形硅氧烷单体(D)制备；和一种用该聚合物制备介电薄膜的方法。本发明的硅氧烷化合物是高度活性的，因此由其制备的聚合物具有优良的机械性能、热稳定性和抗裂性，以及与常规成孔材料相容而得到的低介电常数。此外，低含碳量和高二氧化硅含量增强了其在半导体方法中的适用性，因此，这种膜非常适宜用作介电薄膜。

公开(公告)号：CN112442734B

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202010787644.5

申请日：2020-08-07

Applicant: 三星电子株式会社 ,  蔚山科学技术院

Inventor： 李昌锡 ,  申铉石 ,  申铉振 ,  洪锡模 ,  马庆烈

IPC: C30B25/18 ,  C30B29/40 ,  H10D62/85 ,  H10D30/60

Abstract: 本公开涉及六方氮化硼、其制造方法及电子器件和半导体器件。在此公开了一种制造六方氮化硼的方法，其中六方氮化硼被外延地生长。一种制造六方氮化硼的方法包括：将催化金属放置在腔室中，该催化金属具有六方晶体结构并与腔室中的六方氮化硼(h‑BN)具有15％或更小的晶格失配；以及在将氮源和硼源供应到腔室中的同时，在800℃或更低的温度下在催化金属上生长六方氮化硼。

公开(公告)号：CN112239860B

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202010679035.8

申请日：2020-07-15

Applicant: 三星电子株式会社 ,  成均馆大学校产学协力团

Inventor： 卞卿溵 ,  金亨燮 ,  朴台镇 ,  金会俊 ,  申铉振 ,  安元植 ,  M.林 ,  赵连柱

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/30 ,  H01L21/02

Abstract: 一种在衬底上形成过渡金属二硫族化物薄膜的方法包括用金属有机材料处理衬底以及在衬底周围提供过渡金属前体和硫族前体以在衬底上合成过渡金属二硫族化物。过渡金属前体可以包括过渡金属元素，硫族前体可以包括硫族元素。

公开(公告)号：CN109307983B

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN201810735125.7

申请日：2018-07-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑盛骏 ,  申铉振 ,  金尚元 ,  朴晟准 ,  薛珉洙 ,  李东郁 ,  李润姓 ,  A.郑

IPC: G03F7/004 ,  G03F1/56

Abstract: 提供用于光掩模的表膜组合物和表膜、形成该表膜的方法、掩模版、曝光设备和制造器件的方法，所述用于光掩模的表膜由所述表膜组合物形成。所述表膜组合物包括：选自石墨烯量子点和石墨烯量子点前体的至少一种，所述石墨烯量子点具有约50nm或更小的尺寸；和溶剂。

公开(公告)号：CN108987463B

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN201711443416.0

申请日：2017-12-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申建旭 ,  申铉振 ,  赵连柱 ,  南胜杰 ,  朴晟准 ,  李润姓

IPC: H01L29/16

Abstract: 本公开提供了包括石墨烯的半导体器件以及制造该半导体器件的方法。一种半导体器件包括基板和石墨烯层。基板包括绝缘体和半导体。石墨烯层生长在半导体的表面上。半导体包括IV族材料和III‑V族化合物中的至少一种。公开了一种制造该半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN108241262B

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN201711135559.5

申请日：2017-11-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金尚元 ,  薛珉洙 ,  申铉振 ,  李东郁 ,  郑盛骏

IPC: G03F7/11

Abstract: 提供硬掩模组合物、使用硬掩模组合物形成图案的方法、和由硬掩模组合物形成的硬掩模，所述硬掩模组合物包括溶剂、2D碳纳米结构(和/或其衍生物)、和0D碳纳米结构(和/或其衍生物)。

公开(公告)号：CN115196622A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202210207355.2

申请日：2022-03-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金尚元 ,  卞卿溵 ,  赵连柱 ,  申建旭 ,  李殷奎 ,  李昌锡 ,  宋伣在 ,  申铉振 ,  尹祯秀 ,  李昭荣 ,  林炫锡

IPC: C01B32/186

Abstract: 提供纳米晶石墨烯和形成纳米晶石墨烯的方法。所述纳米晶石墨烯可包括通过堆叠多个石墨烯片而形成的多个晶粒并且具有约500ea/μm2或更高的晶粒密度和在约0.1或更大至约1.0或更小的范围内的均方根(RMS)粗糙度。当所述纳米晶石墨烯具有在这些范围内的晶粒密度和RMS粗糙度时，可提供能够作为薄层覆盖基底上的整个大面积的纳米晶石墨烯。

公开(公告)号：CN114141863A

公开(公告)日：2022-03-04

申请号：CN202111038495.3

申请日：2021-09-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 薛珉洙 ,  李珉贤 ,  权俊荣 ,  申铉振 ,  俞敏硕

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336

Abstract: 公开了一种场效应晶体管和制造其的方法。该场效应晶体管包括在衬底上的源电极、与源电极分隔开的漏电极、连接在源电极和漏电极之间的沟道、栅绝缘层、以及栅电极。当在第一截面中看时，沟道可以具有中空闭合的截面结构，第一截面由在垂直于衬底的方向上跨过源电极和漏电极的平面形成。栅绝缘层可以在沟道中。栅电极可以通过栅绝缘层与源电极和漏电极绝缘。

公开(公告)号：CN114121782A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202110582170.5

申请日：2021-05-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申建旭 ,  安商熏 ,  李禹镇 ,  卞卿溵 ,  申定候 ,  申铉振 ,  李润姓

IPC: H01L21/768

Abstract: 提供形成互连结构的方法。所述方法包括：制备包括第一金属层和第一绝缘层的基板，在所述第一金属层上选择性地形成具有sp2键合结构的碳层，在所述第一绝缘层上选择性地形成第二绝缘层，形成第三绝缘层以覆盖所述第二绝缘层，和形成电连接至所述第一金属层的第二金属层。

公开(公告)号：CN106169502B

公开(公告)日：2021-11-09

申请号：CN201610149522.7

申请日：2016-03-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李珉贤 ,  金海龙 ,  申铉振 ,  南胜杰 ,  朴晟准

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本公开提供包括金属‑二维材料‑半导体接触的半导体器件。一种半导体器件包括半导体层、电接触半导体层的金属层、以及在半导体层与金属层之间并具有二维晶体结构的二维材料层。