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公开(公告)号：CN103109342B
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201180028561.7
申请日：2011-06-13
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32146 , H01J37/32412 , H01J37/3244
Abstract: 揭示等离子体处理衬底的方法、处理衬底的方法及在设备中等离子体处理衬底的方法。在一个特定示范性实施例中，等离子体处理衬底的方法可用包括以下操作的方法来实现：在接近等离子体源处引入馈送气体，其中所述馈送气体可包括第一和第二物质，所述第一和第二物质具有不同的电离能量；向所述等离子体源提供多电平RF功率波形，所述多电平RF功率波形至少具有在第一脉冲持续时间期间的第一功率电平和在第二脉冲持续时间期间的第二功率电平，所述第二功率电平可不同于所述第一功率电平；在所述第一脉冲持续时间期间电离所述馈送气体的所述第一物质；在所述第二脉冲持续时间期间电离所述第二物质；以及在所述第一脉冲持续时间期间向所述衬底提供偏压。
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公开(公告)号：CN105849869A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201480071087.X
申请日：2014-11-06
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 彼得·F·库鲁尼西 , 具本雄 , 约翰·A·弗龙梯柔 , 威廉·T·理葳 , 克里斯多夫·J·里维特 , 提摩西·J·米勒 , 维克拉姆·M·博斯尔 , 约翰·W·奎夫 , 尼可拉斯·P·T·贝特曼
IPC: H01L21/265
Abstract: 揭示一种处理工件的方法，其中首先用所要掺杂剂物质和另一物质来涂布离子室。在此调节过程之后，将原料气体引入到所述室中并使其离子化，所述原料气体包括氟和所要掺杂剂。接着从所述室提取离子并且使所述离子朝所述工件加速，其中所述离子未先经质量分析便植入。在调节过程期间使用的其他物质可为3族、4族或5族元素。所要掺杂剂物质可为硼。
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公开(公告)号：CN103688334B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201180063161.X
申请日：2011-12-12
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 史费特那·瑞都凡诺 , 彼德·L·凯勒曼 , 法兰克·辛克莱 , 罗伯特·C·林德柏格
IPC: H01J37/12 , H01J37/15 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/12 , H01J37/15 , H01J37/3171 , H01J2237/121 , H01J2237/151
Abstract: 一种在静电透镜(700)中控制带电粒子束偏向的方法，包括建立对称静电透镜组态，所述组态包括在对称于中央射线轨迹(702)的未调整位置(L1)上配置多个电极(714,716)，所述多个电极被施加一组未调整电压，以产生相对对称于中央射线轨迹的场。对应于未调整电压的对称电场被计算。多个下部电极(716)被安排至不对称于中央射线轨迹的调整位置(L2)上。一组调整电压由下部电极得到。其中，所述的一组调整电压在对称电场的各自调整位置上具有一组各自相应的电位。当带电粒子通过时，此组调整电压被施加被于不对称的透镜组态。
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公开(公告)号：CN103280415B
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201310210087.0
申请日：2009-06-19
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 大卫·苏若恩 , 岱尔·K·史东 , 茂雄·S·大城 , 亚瑟·P·瑞福 , 爱德华·D·梅克英特许
IPC: H01L21/67 , H01J37/317 , H01J37/32 , H01L21/687
CPC classification number: H01L21/67109 , H01J37/20 , H01J37/3171 , H01J2237/022 , H01J2237/2001 , H01J2237/2007 , H01L21/6875
Abstract: 本发明揭示一种用以将基材连接于地面的接地引脚。接地引脚包括引脚主体以及套管。套管支撑引脚主体。套管包括一流体通道，以传输流体，并使流体通道的两侧的压力处于压力平衡。
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公开(公告)号：CN105793954A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201480064880.7
申请日：2014-10-15
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 肯尼士·H·波什 , 克里斯多夫·坎贝尔 , 法兰克·辛克莱 , 罗伯特·C·林德柏格 , 约瑟·C·欧尔森
IPC: H01J37/317
CPC classification number: H01J37/1475 , H01J37/317 , H01J37/3171 , H01J2237/30472
Abstract: 用来控制离子束的装置包括：扫描器，经配置于第一状态以扫描离子束，其中扫描器输出作为发散离子束的离子束；准直器，经配置以沿着准直器的一侧接收发散离子束及输出作为准直离子束的发散离子束；束调整构件，延伸接近准直器的所述侧；以及控制器，在扫描器处于第一状态时经配置以传送第一信号到束调整构件，以将发散离子束的离子轨迹从第一组轨迹调整成第二组轨迹。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103493172B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201280012665.3
申请日：2012-02-28
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 克里斯多夫·J·里维特 , 卢多维克·葛特 , 提摩太·J·米勒
IPC: H01J37/317 , H01J37/302 , H01J37/32
CPC classification number: H01J37/3172 , H01J37/3023 , H01J37/32009 , H01J37/32137 , H01J37/32376 , H01J37/32412 , H01J37/32623 , H01J2237/31711
Abstract: 一种于离子植入系统(400)中植入工件(100)的方法。此方法可包括提供邻近含有等离子(140)的等离子腔室(402)的萃取平板(101)，使萃取平板透过至少一个孔洞(407)由所述等离子中萃取离子(102)，所述孔洞提供具有分布于入射至工件的角度范围的离子的离子束。此方法可包括相对于所述萃取平板以扫瞄工件，以及于扫瞄期间改变等离子的功率位准从第一功率位准改变到第二功率位准；其中在所述工件的表面，在第一功率位准的第一束流宽(W1，W3)大于在第二功率位准的第二束流宽(W2)。
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公开(公告)号：CN105684130A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201480058775.2
申请日：2014-10-09
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 克里斯多夫·J·里维特 , 彼得·F·库鲁尼西
IPC: H01L21/265 , H01J37/317 , H01L21/302
CPC classification number: H01J27/022 , H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J37/32862 , H01J2237/022
Abstract: 揭示用于改进离子源的性能且延长其使用寿命的系统和方法。所述离子源包含离子源腔室、抑制电极和接地电极。在处理模式中，所述离子源腔室可被偏压到第一正电压，而所述抑制电极被偏压到负电压以经由孔径且朝向工件从所述腔室内吸引正离子。在清洗模式中，离子束散焦以使得其撞击所述抑制电极和所述接地电极。施加到所述离子源腔室和所述电极的电压被脉冲化以将这清洗模式期间的故障的可能性减到最小。
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公开(公告)号：CN103650098B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201280032889.0
申请日：2012-07-12
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 维克多·M·本夫尼斯特 , 史费特那·瑞都凡诺 , 科斯特尔·拜洛
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32807 , H01J37/321 , H01J37/3211 , H01J37/32119 , H01J37/32651 , H01J37/32669 , H01J37/32688 , H01J2237/332 , H01J2237/334 , H01L21/3065
Abstract: 本揭示是一种提供磁局限以减少等离子体流失和法拉第屏蔽以抑止寄生电容成份的感应耦合射频等离子体源。感应耦合射频等离子体系统包括一射频电源、一等离子体室、一永久磁铁数组以及一天线数组。等离子体室包括多面墙以及具有一内表面和一外表面的介电窗，其中内表面形成等离子体室的一墙。平行的导电永久磁铁的数组电性相互连接，并内嵌于接近内表面的介电窗墙且在一端耦接至接地面。永久磁铁数组组件于等离子体室内交替地朝向等离子体和远离等离子体被磁化，以形成一多尖点磁场。天线数组包括射频电流可通过且相互平行的长导管。天线数组与永久磁铁数组系相互垂直排列。
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公开(公告)号：CN103080388B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201180040439.1
申请日：2011-07-18
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
CPC classification number: C30B11/00 , B22D11/1206 , B22D11/143 , C30B15/00 , C30B29/06 , C30B29/08 , C30B29/36 , C30B29/406 , C30B29/64 , C30B35/00 , G01B7/105 , G01B7/107 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008 , Y10T117/1032 , Y10T117/1044 , Y10T117/1048 , Y10T117/1068 , Y10T117/1088
Abstract: 一种材质的薄板配置在相同材质的熔融物中。在一实例中，此薄板是利用冷却板来形成。激发线圈和感测线圈配置在冷却板的下游。此激发线圈和感测线圈使用涡电流来测定位于熔融物顶部的固体薄板的厚度。
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公开(公告)号：CN105594083A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201480053863.3
申请日：2014-08-19
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 可赛格·D·特拉斯狄克 , 卡尔斯·L·史坦利 , 希马恩·飞三 , 皮尔·卢比克
IPC: H02H9/02
CPC classification number: H02H9/021 , H02H9/005 , H02H9/02 , H02H9/023 , H02H9/041 , H03K3/38 , H03K19/20 , Y02E40/69
Abstract: 一种固态故障电流限制器，固态故障电流限制器包含电流分离电抗器，电流分离电抗器包括系统电流输入端、无源电流输出端以及控制电流输出端。电压控制电抗器包含第一端部以及第二端部，第一端部耦合到控制电流输出端上并且第二端部耦合到无源电流输出端上。故障电流触发电路与电压控制电抗器并联耦合，并且经配置以在由系统电流输入端接收的故障电流超出预定触发电流时断开。瞬态电压控制电路与电压控制电抗器并联耦合以接收故障电流。
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