公开(公告)号：CN117136632A

公开(公告)日：2023-11-28

申请号：CN202280025742.2

申请日：2022-03-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 方堂凉太 ,  柳泽悠一 ,  泽井宽美

IPC: H05B33/22

Abstract: 提供一种显示质量高的显示装置。该显示装置包括第一像素、与第一像素相邻地配置的第二像素、第一绝缘层、第一绝缘层上的第二绝缘层以及第二绝缘层上的第三绝缘层，第一像素包括第一像素电极、第一像素电极上的第一EL层及第一EL层上的公共电极，第二像素包括第二像素电极、第二像素电极上的第二EL层及第二EL层上的公共电极，第一绝缘层及第三绝缘层包含无机材料，第二绝缘层包含有机材料，第二绝缘层隔着第一绝缘层与第一EL层的侧面及第二EL层的侧面重叠，第二绝缘层隔着第三绝缘层与公共电极重叠，第三绝缘层在不与第二绝缘层重叠的区域与第一绝缘层接触。

公开(公告)号：CN110199386B

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN201880007414.3

申请日：2018-01-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 佐藤优一 ,  方堂凉太 ,  饭田裕太 ,  森若智昭

IPC: H10B12/00 ,  H10B41/20 ,  H10B41/70 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

Abstract: 提供能够实现一种微型化或高集成化的半导体装置。该半导体装置包括晶体管以及电容器。晶体管包括金属氧化物以及与金属氧化物电连接的第一导电体。电容器包括：设置在金属氧化物上的第一绝缘体，第一导电体贯通第一绝缘体；设置在第一绝缘体上的第二绝缘体，该第二绝缘体包括到达第一绝缘体及第一导电体的开口；与开口的内壁、第一绝缘体及第一导电体接触的第二导电体；设置在第二导电体上的第三绝缘体；以及设置在第三绝缘体上的第四导电体。第一绝缘体的抑制氢的透过的能力比第二绝缘体高。

公开(公告)号：CN115799342A

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202211629502.1

申请日：2017-07-13

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山根靖正 ,  仓田求 ,  方堂凉太 ,  石山贵久

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51

Abstract: 提供一种稳定的电特性的半导体装置。或者，提供一种适合于微细化或高密度化的可靠性高的半导体装置。该半导体装置，包括：第一阻挡层；第二阻挡层；第三阻挡层；具有氧化物的晶体管；绝缘体；以及导电体。绝缘体包括过剩氧区域。绝缘体及氧化物位于第一阻挡层与第二阻挡层之间。导电体隔着第三阻挡层位于第一阻挡层的开口、第二阻挡层的开口、绝缘体的开口中。

公开(公告)号：CN114424339A

公开(公告)日：2022-04-29

申请号：CN202080065554.3

申请日：2020-09-11

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 太田将志 ,  安藤善范 ,  长塚修平 ,  越田树 ,  大下智 ,  方堂凉太 ,  津田一树 ,  铃木阳夫

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/108 ,  H01L29/24 ,  H01L21/34 ,  H01L29/786 ,  H01L21/8234

Abstract: 提供一种适于高集成化的半导体装置。该半导体装置包括：衬底上的设置有包括氧化物半导体的第一晶体管的第一层；第一层上的第二层；第二层上的设置有包括氧化物半导体的第二晶体管的第三层；第一层与第二层间的第四层；以及第二层与第三层间的第五层，其中，第一层的总内部应力和第三层的总内部应力作用于第一方向上，第二层的总内部应力作用于与第一方向相反的方向上，并且，第四层及第五层包括具有阻挡性的层。

公开(公告)号：CN113491006A

公开(公告)日：2021-10-08

申请号：CN202080016065.9

申请日：2020-02-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 柳泽悠一 ,  方堂凉太 ,  冈本悟

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156 ,  H01L21/336 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L29/786

Abstract: 提供一种具有良好的电特性的半导体装置。该半导体装置包括第一绝缘体、第一绝缘体上的第一氧化物、设置于第一绝缘体与第一氧化物之间的第二绝缘体、与第一绝缘体接触且与第一氧化物的侧面接触的第二氧化物、第一绝缘体、第二氧化物及第一氧化物上的第三绝缘体，第三绝缘体包括与第一氧化物的顶面接触的区域，第二绝缘体及第三绝缘体包含与第二氧化物相比不容易透过氧的材料。

公开(公告)号：CN112368846A

公开(公告)日：2021-02-12

申请号：CN201980044262.9

申请日：2019-06-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  松崎隆德 ,  德丸亮 ,  方堂凉太

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

Abstract: 提供一种能够实现微型化或高集成化的半导体装置。本发明的半导体装置包括晶体管、电容器、电极及层间膜，晶体管包括半导体层、栅极、源极及漏极，晶体管及电容器以埋入层间膜中的方式配置，源极和漏极中的一个在半导体层的下方与电极接触，源极和漏极中的另一个在半导体层的上方与电容器的一个电极接触。

公开(公告)号：CN110199386A

公开(公告)日：2019-09-03

申请号：CN201880007414.3

申请日：2018-01-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 佐藤优一 ,  方堂凉太 ,  饭田裕太 ,  森若智昭

IPC: H01L21/8242 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L27/108 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/1156 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

Abstract: 提供能够实现一种微型化或高集成化的半导体装置。该半导体装置包括晶体管以及电容器。晶体管包括金属氧化物以及与金属氧化物电连接的第一导电体。电容器包括：设置在金属氧化物上的第一绝缘体，第一导电体贯通第一绝缘体；设置在第一绝缘体上的第二绝缘体，该第二绝缘体包括到达第一绝缘体及第一导电体的开口；与开口的内壁、第一绝缘体及第一导电体接触的第二导电体；设置在第二导电体上的第三绝缘体；以及设置在第三绝缘体上的第四导电体。第一绝缘体的抑制氢的透过的能力比第二绝缘体高。

公开(公告)号：CN119487990A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202380050789.9

申请日：2023-07-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  方堂凉太 ,  远藤俊弥

IPC: H10D30/67 ,  H10D64/01 ,  H10D84/83 ,  H10D84/01 ,  H10D64/23 ,  H10D64/27 ,  H10D64/66 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H10B12/00 ,  H10B41/70

Abstract: 提供一种能够实现微型化或高集成化的半导体装置。该半导体装置包括氧化物上的彼此隔开的第一导电体及第二导电体、与第一导电体的顶面的一部分接触的第三导电体、与第二导电体的顶面的一部分接触的第四导电体、配置于第三导电体及第四导电体上且在第三导电体于第四导电体之间具有开口的第一绝缘体、配置于第一绝缘体的开口内且与第一导电体的顶面的其他一部分、第二导电体的顶面的其他一部分、第三导电体的侧面及第四导电体的侧面接触的第二绝缘体、与氧化物的顶面、第一导电体、第二导电体及第二绝缘体的侧面接触的第三绝缘体以及配置于第三绝缘体上的第五导电体，第一导电体与第二导电体之间的距离比第三导电体与第四导电体之间的距离小，第二绝缘体包括第一层及第一层上的第二层，第一层包含氮化物绝缘体，第二层包含氧化物绝缘体。

公开(公告)号：CN111954932B

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN201980009097.3

申请日：2019-01-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 野中裕介 ,  石原典隆 ,  平松智记 ,  本田龙之介 ,  鸭川知世 ,  方堂凉太 ,  栃林克明 ,  山崎舜平

IPC: H10D30/67 ,  H10D30/01 ,  H10D30/68 ,  H10D30/69 ,  H10B12/00

Abstract: 提供一种具有高工作频率的半导体装置。本发明的一个方式是一种包括晶体管的半导体装置，其中晶体管包括第一导电层、第一导电层上的第一绝缘层、第一绝缘层上的第二绝缘层、第二绝缘层上的第一氧化物、第一氧化物上的第二氧化物、第二氧化物上的第三氧化物、第三氧化物上的第三绝缘层、第三绝缘层上的第二导电层、以及第四绝缘层，第一导电层及第二导电层具有与第二氧化物重叠的区域，第二导电层、第三绝缘层及第三氧化物的侧面大致对齐，第四绝缘层与第二导电层、第三绝缘层以及第三氧化物的侧面和第二氧化物的顶面的一部分接触，在晶体管的沟道宽度方向上，不与第二氧化物重叠的区域中的第二导电层的底面的高度为基准时的第二氧化物的底面的高度为‑5nm以上且小于0nm。

公开(公告)号：CN118943200A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202410553599.5

申请日：2024-05-07

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 仓田求 ,  方堂凉太 ,  神保安弘 ,  村川努 ,  斋藤晓 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  H10B53/30 ,  H10B12/00

Abstract: 半导体装置包括氧化物半导体层、第一至第三导电层及第一至第三绝缘层，第一导电层具有第一凹部，第一导电层上的第一绝缘层及第一绝缘层上的第二导电层具有与第一凹部重叠的第一开口部，氧化物半导体层与第二导电层的顶面、第一凹部的底面及侧面、第二导电层的侧面及第一绝缘层的侧面接触，第二绝缘层在第一开口部内位于氧化物半导体层的内侧，并且第三绝缘层在第一绝缘层上覆盖氧化物半导体层的顶面及侧面并具有与第一开口部重叠的第二开口部。