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公开(公告)号：CN111261611A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201911205694.1
申请日：2019-11-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L49/02
Abstract: 本申请的各个实施例涉及具有导电帽结构的沟槽电容器。在一些实施例中，沟槽电容器包括下部电容器电极、位于下部电容器电极上面的电容器介电层以及位于电容器介电层上面的上部电容器电极。电容器介电层和上部电容器电极凹入衬底中并且限定凹陷到衬底中的间隙。导电帽结构位于上部电容器电极上并且密封上部电容器电极上的间隙。在一些实施例中，导电帽结构包括通过物理气相沉积(PVD)形成的金属层，并且还包括通过化学气相沉积(CVD)形成在金属层上面的金属氮化物层。在其他实施例中，导电帽结构是或包括其他合适的材料和/或通过其他沉积工艺形成。本发明的实施例还涉及半导体结构、集成芯片和形成沟槽电容器的方法。
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公开(公告)号：CN107204347B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201611248438.7
申请日：2016-12-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L27/148
Abstract: 本发明实施例公开一种图像传感器件。图像传感器件包括：具有正面和背面的衬底；形成于衬底内的辐射感测区；从衬底的背面延伸至衬底的开口；包含第一金属的第一金属氧化物膜，第一金属氧化物膜形成于衬底的内表面上；及包含第二金属的第二金属氧化物膜，第二金属氧化物膜形成于第一金属氧化物膜的上方；其中，第一金属的电负性高于第二金属的电负性。本发明还公开了一种相关的制造方法。本发明实施例涉及图像传感器件及其制造方法。
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公开(公告)号：CN110660778A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201910520717.1
申请日：2019-06-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/538 , H01L21/768 , B81C1/00 , B81B7/00
Abstract: 本发明实施例涉及半导体结构及其形成方法。根据本发明的一些实施例，一种半导体结构包含：第一衬底；金属垫，其放置于所述第一衬底上方；介电结构，其放置于所述第一衬底上方且暴露所述金属垫的一部分；接合结构，其放置于所述金属垫上方且电连接到所述金属垫；阻障环，其环绕所述接合结构；及通孔，其穿透所述第一衬底及所述介电结构。所述接合结构包含底部及侧壁，所述接合结构的所述底部与所述金属垫接触，所述接合结构的所述侧壁的第一部分与所述介电结构接触，且所述接合结构的所述侧壁的第二部分与所述阻障环接触。
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公开(公告)号：CN106206449B
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201510310463.2
申请日：2015-06-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/115 , G11C11/56
Abstract: 本发明涉及一种形成具有良好的良率的电阻式随机存取存储器(RRAM)单元的方法和相关的装置。在一些实施例中，通过在下部金属互连层上方形成底电极，以及在底电极上形成具有第一厚度的可变电阻的介电数据存储层来实施该方法。在介电数据存储层上形成覆盖层。覆盖层具有第二厚度，第二厚度比第一厚度厚约2倍至约3倍的范围内。在覆盖层上方形成顶电极，以及在顶电极上方形成上部金属互连层。本发明涉及具有优化的膜方案的高良率RRAM单元。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104979470B
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201510069809.4
申请日：2015-02-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/1616 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/146 , H01L45/16 , H01L45/1675
Abstract: 本发明涉及形成具有减小的泄漏电流的电阻式随机存取存储器(RRAM)单元的方法和相关的装置。在一些实施例中，该方法通过以下步骤实施：使用至少形成底电极的顶部的原子层沉积(ALD)工艺在下金属互连层上方形成底电极；随着底电极的顶部的形成，在底电极的顶部上原位形成介电数据存储层；在介电数据存储层上方形成顶电极，并且在顶电极上方形成上金属互连层。通过随着上面的介电数据存储层的形成而使用ALD工艺原位形成底电极的顶部，改进了RRAM单元的泄漏电流、泄漏电流分布和器件良率。本发明还涉及RRAM单元的底电极的形成。
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公开(公告)号：CN107204347A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201611248438.7
申请日：2016-12-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L27/148
Abstract: 本发明实施例公开一种图像传感器件。图像传感器件包括：具有正面和背面的衬底；形成于衬底内的辐射感测区；从衬底的背面延伸至衬底的开口；包含第一金属的第一金属氧化物膜，第一金属氧化物膜形成于衬底的内表面上；及包含第二金属的第二金属氧化物膜，第二金属氧化物膜形成于第一金属氧化物膜的上方；其中，第一金属的电负性高于第二金属的电负性。本发明还公开了一种相关的制造方法。本发明实施例涉及图像传感器件及其制造方法。
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公开(公告)号：CN106711327A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201610995885.2
申请日：2016-11-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/08 , H01L27/2436 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/146 , H01L45/16 , H01L45/1608 , H01L45/1675
Abstract: 本发明的实施例提供了RRAM器件的金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器结构，包括第一电极和第二电极以及置于第一电极和第二电极之间的绝缘层。可以在绝缘层内形成提供RRAM器件的切换功能的导电丝线。此外，富含氮的金属层置于第二电极和绝缘层之间。富含氮的金属层包括比邻近的第二电极更大的氮浓度。本发明的实施例还提供了金属‑绝缘体‑金属电容器结构的制造方法。
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公开(公告)号：CN106159083A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201510148817.8
申请日：2015-03-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种形成具有介电数据层的RRAM单元的方法和相关的装置，介电数据层配置为提供良好的性能、器件良率、和数据保持。在一些实施例中，通过形成具有底电极层、顶电极层和设置在底电极层和顶电极层之间的介电数据存储层的RRAM膜堆叠件来实施该方法，其中底电极层设置在半导体衬底上方。介电数据存储层包括具有氢掺杂的氧化物的性能增强层和具有氧化铝的数据保持层。然后，根据一个或多个掩蔽层图案化RRAM膜堆叠件以形成顶电极和底电极；以及在电接触顶电极的位置处形成上部金属互连层。本发明涉及用于RRAM结构的氧化物膜方案。
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