公开(公告)号：CN110660416A

公开(公告)日：2020-01-07

申请号：CN201910293180.X

申请日：2019-04-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴尚锜 ,  李政宏 ,  苏建国 ,  郑基廷 ,  许育豪 ,  林洋绪

IPC: G11C7/10

Abstract: 本发明的实施例描述了各个示例性存储装置。各个示例性存储装置可以选择各个控制线以将来自一个或多个存储单元的电子数据读取到数据线上和/或将来自这些数据线的电子数据写入一个或多个存储单元中。在一些情况下，在各个示例性存储装置将电子数据写入一个或多个存储单元之前，将这些数据线充电(也称为预充电)至第一逻辑值，诸如逻辑1。在这些数据线的预充电期间，各个示例性存储装置将这些数据线与这些示例性存储装置内的专用电路电隔离。该专用电路(也称为写入驱动器)在写入操作模式期间将电子数据写入这些数据线，以存储到一个或多个存储单元中。本发明的实施例还描述了存储装置的写入驱动器及其操作方法。

公开(公告)号：CN108932957A

公开(公告)日：2018-12-04

申请号：CN201810196020.9

申请日：2018-03-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴福安 ,  李政宏 ,  杨振麟 ,  杨皓义 ,  黄宗贤

IPC: G11C7/06 ,  G11C11/419

CPC classification number: G11C11/419 ,  G11C5/14 ,  G11C7/08 ,  G11C11/418 ,  G11C7/062

Abstract: 本发明公开了一种在感测放大使能线上产生感测放大使能信号的方法。所述方法包括：在耦合到第一域电源的第一电路部分及耦合到第二域电源的第二电路部分处接收触发信号。所述第二域电源是与所述第一域电源分开且不同的。所述第一电路部分及所述第二电路部分各自进一步耦合到用于载送所述感测放大使能信号的所述感测放大使能线。对于第一时间周期，使用所述第一电路部分基于所述第一域电源产生所述感测放大使能信号的第一部分。并且，对于第二时间周期，使用所述第二电路部分基于所述第二域电源产生所述感测放大使能信号的第二部分。

公开(公告)号：CN104050994B

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201310241750.3

申请日：2013-06-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨荣平 ,  黄家恩 ,  吴福安 ,  邱志杰 ,  李政宏

IPC: G11C7/06

CPC classification number: G11C7/065 ,  G06F17/5063 ,  G06F17/5081 ,  G11C7/1048 ,  G11C7/12 ,  G11C11/419

Abstract: 用于存储器件的读出放大器包括：第一节点和第二节点、输入器件和输出器件。存储器件包括第一位线和第二位线以及连接至位线的至少一个存储单元。第一节点和第二节点分别连接至第一位线和第二位线。输入器件连接至第一节点和第二节点，响应于从存储单元读出的第一数据，生成朝向预定电压拉动第一节点的第一电流，并且响应于从存储单元读出的第二数据，生成朝向预定电压拉动第二节点的第二电流。输出器件连接至第一节点，以输出从存储单元读出的第一数据或第二数据。第一电流大于第二电流。本发明还提供了非对称读出放大器、存储器件及设计方法。

公开(公告)号：CN103247332B

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201210384824.4

申请日：2012-10-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨荣平 ,  郑宏正 ,  邱志杰 ,  黄家恩 ,  李政宏

IPC: G11C11/4063 ,  G11C11/413

CPC classification number: G11C11/4094 ,  G11C11/419

Abstract: 一种存储器包括第一位线、耦合至第一位线的存储单元和耦合至第一位线的读辅助器件。读辅助器件被配置成响应于从存储单元读出的第一数据将第一位线上的第一电压拉向预定电压。读辅助器件包括配置成在第一阶段期间在第一位线与预定电压的节点之间建立第一电流路径的第一电路。读辅助器件还包括配置成在第二后续阶段期间在第一位线与预定电压的节点之间建立第二电流路径的第二电路。本发明还提供了具有读辅助器件的存储器及其操作方法。

公开(公告)号：CN104637529A

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201410033720.8

申请日：2014-01-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢维哲 ,  郑基廷 ,  苏建国 ,  李政宏 ,  张琮永

IPC: G11C11/413

CPC classification number: G11C11/418 ,  G11C8/16 ,  G11C8/18

Abstract: 除了其他方面，提供了用于便于对单端口存储器件进行存取操作的一种或多种技术或者系统。在系统时钟的单时钟周期期间对单端口存储器件（诸如SPSRAM的6晶体管位单元阵列）进行多次存取操作。在一个实施例中，封装控制器基于系统时钟的上升沿在系统时钟的第一时钟周期期间启动第一存取操作。响应于在第一时钟操作期间接收操作完成信号，封装控制器在第一时钟周期期间启动对单端口存储器件的第二存取操作。采用这种方式，对于比用于改进的存储密度的多端口存储器件占用相对较小面积的单端口存储器件，实现了多端口存取功能，诸如以串行方式减轻操作干扰。本发明还提供了SPSRAM封装器。

公开(公告)号：CN102646440B

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201210033496.3

申请日：2012-02-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴经纬 ,  陈冠廷 ,  李政宏

IPC: G11C7/06

CPC classification number: G11C7/08 ,  G11C7/065

Abstract: 一种电路，包括：第一反相器，包括第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管；第二反相器，包括第二PMOS晶体管和第二NMOS晶体管；第一节点，连接至第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管的栅极以及第二PMOS晶体管和第二NMOS晶体管的漏极；第二节点，连接至第二PMOS晶体管的栅极和第二NMOS晶体管的栅极以及第一PMOS晶体管的漏极和第一NMOS晶体管的漏极；第一电容器，具有第一电容，连接至第一节点；以及第二电容器，具有第二电容，连接至第二节点，其中，第二电容大于第一电容。本发明还提出了一种非对称读出放大器设计。

公开(公告)号：CN102340285B

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN201110068092.3

申请日：2011-03-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陆崇基 ,  廖宏仁 ,  李政宏 ,  陶昌雄 ,  蓝丽娇 ,  郑宏正

IPC: H03F3/45

CPC classification number: G11C7/067 ,  G11C7/065

Abstract: 本发明公开了一种用以产生与放大差动信号的电路与方法。关于电路的一些实施例包含：第一左晶体管，其具有第一左汲极、第一左闸极和第一左源极；第二左晶体管，其具有第二左汲极、第二左闸极、和第二左源极；第三左晶体管，其具有第三左汲极、第三左闸极和第三左源极；第一右晶体管，其具有第一右汲极、第一右闸极和第一右源极；第二右晶体管，其具有第二右汲极、第二右闸极和第二右源极；第三右晶体管，其具有第三右汲极、第三右闸极和第三右源极；左节点，其是电性耦接第一左汲极、第二左汲极、第二左闸极、第三右闸极和第三左汲极；以及右节点，其是电性耦接第一右汲极、第二右汲极、第二右闸极、第三左闸极和第三右汲极。

公开(公告)号：CN102148052B

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN201010243661.9

申请日：2010-07-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陆崇基 ,  李政宏 ,  廖宏仁 ,  陈旭顺 ,  郑宏正 ,  吴重毅 ,  乌普·夏拉斯·钱德拉

IPC: G11C7/12

CPC classification number: G11C8/08 ,  G11C8/10

Abstract: 本发明提供一种电路装置，包括一区域控制电路，具有一电平偏移器，其中该电平偏移器将该第一地址信号由一第一电压电平偏移至一第二电压电平，以回应所接受的一第一地址信号，该区域控制电路可提供一准偏移过的第一地址信号；以及一字线驱动器，具有至少一输入以及一输出，该至少一输入用以接收多个地址信号，其中该至少一输入包括一第一输入，用以耦接至该区域控制电路以接收该准偏移过的第一地址信号，而该输出电性耦接至一存储器单元阵列的一字线。本发明透过在区域控制电路上使用电平偏移器，可减少双电源存储器装置中使用电平偏移器的数量。

公开(公告)号：CN102157194B

公开(公告)日：2013-05-15

申请号：CN201010227887.X

申请日：2010-07-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李政宏

IPC: G11C11/41 ,  G11C11/413

CPC classification number: G11C11/417

Abstract: 本发明揭露一种静态随机存取内存(SRAM)及适用于其的方法，所述静态随机存取内存包含一数据线、一反数据线以及一电流路径区域。电流路径区域包含至少二晶体管，用以在自一第一逻辑电压转移至一第二逻辑电压的期间，提供一电流路径至数据线，其中电流路径区域连接至数据线与反数据线。

公开(公告)号：CN102148056B

公开(公告)日：2013-05-15

申请号：CN201010228343.5

申请日：2010-07-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李政宏 ,  郑宏正 ,  陆崇基

IPC: G11C11/413

CPC classification number: G11C7/00 ,  G11C8/08

Abstract: 本发明揭露一种静态随机存取内存(static random access memory，SRAM)宏及用以操作其的方法，静态随机存取内存宏包含：一第一电源电压；和一第二电源电压，其不同于该第一电源电压。一预充电控制器，其连接至该第二电源电压。该预充电控制器通过一位线预充电器耦接至一位线。至少一位准位移器接收一位准位移输入。该位准位移器将该位准位移器输入转换成一位准位移器输出，其中该位准位移器输入有一输入电压位准，其相较于该第二电源电压，该输入电压位准较接近该第一电源电压；及该位准位移器输出有一输出电压位准，其相较于该第一电源电压，该输出电压位准较接近该第二电源电压。该位准位移器输出被提供至该预充电控制器。