公开(公告)号：CN109935585B

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN201810833546.3

申请日：2018-07-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋在烈 ,  金完敦 ,  裴洙瀯 ,  李东洙 ,  李钟汉 ,  丁炯硕 ,  玄尚镇

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

Abstract: 提供了一种具有多阈值电压的半导体器件，所述半导体器件包括位于半导体基底上的有源区、位于单独的对应的有源区上的栅极结构以及在半导体基底中位于单独的对应的栅极结构的相对侧上的源极/漏极区。每个单独的栅极结构包括顺序堆叠的高介电层、第一逸出功金属层、具有比第一逸出功金属层低的逸出功的第二逸出功金属层和栅极金属层。栅极结构的第一逸出功金属层具有不同的厚度，从而栅极结构包括最大栅极结构，其中最大栅极结构的第一逸出功金属层具有第一逸出功金属层中的最大厚度。最大栅极结构包括位于最大栅极结构的高介电层上的覆盖层，其中，覆盖层包括一种或更多种杂质元素。

公开(公告)号：CN115602687A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202210793148.X

申请日：2022-07-05

Applicant: 三星电子株式会社(KR)

Inventor： 李义福 ,  金洛焕 ,  金完敦 ,  卢宣颖 ,  张瀚珉

IPC: H01L27/105

Abstract: 一种半导体器件，包括：下部结构，包括衬底；第一互连层，在下部结构上沿第一方向延伸并且包括第一金属；第一通路，与第一互连层的上表面的一部分接触并且包括第二金属；第二通路，与第一通路的上表面的至少一部分接触，并且具有比第一通路的最大宽度窄的最大宽度；以及第二互连层，连接到第二通路并在第二方向上延伸。第一互连层具有倾斜侧表面，在第一互连层的倾斜侧表面中第一互连层的宽度朝向第一互连层的上部区域变窄，并且第一通路具有倾斜侧表面，在第一通路的倾斜侧表面中第一通路的宽度朝向第一通路的上部区域变窄。

公开(公告)号：CN114121948A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202110935286.2

申请日：2021-08-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金仅祐 ,  金完敦 ,  李宪福 ,  黄允泰

IPC: H01L27/088 ,  H01L23/532 ,  H01L23/48 ,  H01L21/8234

Abstract: 公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括：鳍型有源区，在基底上沿第一方向延伸；栅极结构，沿不同于第一方向的第二方向延伸跨过鳍型有源区；源/漏区，位于栅极结构的一侧上的鳍型有源区中；以及第一接触结构和第二接触结构，分别连接到源/漏区和栅极结构，其中，第一接触结构和第二接触结构中的至少一者包括位于栅极结构和源/漏区中的至少一者上且包含第一结晶金属的种子层以及位于种子层上且包含不同于第一结晶金属的第二结晶金属的接触插塞，并且第二结晶金属在种子层与接触插塞之间的界面处与第一结晶金属基本晶格匹配。

公开(公告)号：CN112420836A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN202010409305.3

申请日：2020-05-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄允泰 ,  金完敦 ,  金仅祐

IPC: H01L29/78 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532

Abstract: 一种半导体器件包括：包括第一金属的下部接触图案；包括第二金属的上部接触图案，所述第一金属的第一电阻率大于所述第二金属的第二电阻率；以及位于所述下部接触图案与所述上部接触图案的下部之间的金属阻挡层，所述金属阻挡层包括第三金属，所述第三金属与所述第一金属和所述第二金属不同。所述上部接触图案的下部宽度可以小于所述下部接触图案的上部宽度。

公开(公告)号：CN110690199A

公开(公告)日：2020-01-14

申请号：CN201910603103.X

申请日：2019-07-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金元洪 ,  金完敦 ,  白贤俊 ,  玄尚镇

IPC: H01L23/64 ,  H01L27/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8234

Abstract: 一种半导体器件包括包含有源图案的衬底、在俯视图中交叉有源图案的栅电极、以及插置在有源图案和栅电极之间的铁电图案。栅电极包括设置在铁电图案上的功函数金属图案、以及填充形成在功函数金属图案的上部中的凹陷的电极图案。铁电图案的最上部的顶表面低于凹陷的底表面。

公开(公告)号：CN110600550A

公开(公告)日：2019-12-20

申请号：CN201910225554.4

申请日：2019-03-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李炳训 ,  金完敦 ,  朴钟昊 ,  玄尚镇

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/51

Abstract: 提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：衬底上的多沟道有源图案；在多沟道有源图案上沿多沟道有源图案形成的高介电常数绝缘层，其中高介电常数绝缘层包含金属；在高介电常数绝缘层上沿高介电常数绝缘层形成的氮化硅层；以及氮化硅层上的栅电极。

公开(公告)号：CN110504264A

公开(公告)日：2019-11-26

申请号：CN201910298285.4

申请日：2019-04-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 任廷赫 ,  金国桓 ,  金完敦 ,  朴正敏 ,  朴钟昊 ,  李炳训 ,  河龙湖 ,  玄尚镇 ,  洪慧理

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/02 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/336

Abstract: 根据本发明构思的示例实施例的半导体装置包括：衬底，其具有第一区域和与第一区域水平地分开的第二区域；第一栅线，其位于第一区域中，第一栅线包括第一下功函数层和布置在第一下功函数层上的第一上功函数层；以及，第二栅线，其位于第二区域中，并且包括第二下功函数层，第二栅线在水平的第一方向上的宽度等于或窄于第一栅线在第一方向上的宽度，其中，第一上功函数层的最上端和第二下功函数层的最上端相对于与第一方向垂直的第二方向各自位于比第一下功函数层的最上端更高的竖直水平处。

公开(公告)号：CN106257689A

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201610424289.9

申请日：2016-06-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李厚容 ,  金完敦 ,  宋在烈 ,  玄尚镇

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L21/823842 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/823821 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/165 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785 ,  H01L29/42356

Abstract: 一种半导体器件包括穿过衬底的有源图案的栅极结构。所述半导体器件可以包括所述衬底与所述栅电极之间的栅极介电图案。所述栅极结构包括栅电极、所述栅电极上的盖图案以及至少部分地覆盖所述盖图案的一个或多个侧壁的一个或多个低k介电层。所述栅极结构可以包括位于所述栅电极的相对的侧壁处的间隔件以及位于所述盖图案与所述间隔件之间的分离的低k介电层。所述盖图案的宽度可以小于所述栅电极的宽度。所述盖图案具有第一介电常数，并且所述一个或多个低k介电层具有第二介电常数。所述第二介电常数小于所述第一介电常数。所述第二介电常数可以大于或等于1。

公开(公告)号：CN103840002A

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201310591041.8

申请日：2013-11-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁贤正 ,  郑舜旭 ,  具奉珍 ,  金完敦 ,  郑炳洪 ,  卓容奭

IPC: H01L29/78 ,  H01L23/522 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L28/60 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/87 ,  H01L28/91

Abstract: 一种半导体器件，包括：在基板上的多个下电极，该下电极具有大于水平宽度的垂直长度；支撑物，设置在下电极之间；上电极，设置在下电极上；以及电容器介电层，设置在下电极与上电极之间。支撑物包括第一元素、第二元素和氧，第二元素的氧化物具有比第一元素的氧化物高的带隙能量，第二元素在支撑物中的含量为从约10at%至90at%。