公开(公告)号：CN109935585A

公开(公告)日：2019-06-25

申请号：CN201810833546.3

申请日：2018-07-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋在烈 ,  金完敦 ,  裴洙瀯 ,  李东洙 ,  李钟汉 ,  丁炯硕 ,  玄尚镇

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

Abstract: 提供了一种具有多阈值电压的半导体器件，所述半导体器件包括位于半导体基底上的有源区、位于单独的对应的有源区上的栅极结构以及在半导体基底中位于单独的对应的栅极结构的相对侧上的源极/漏极区。每个单独的栅极结构包括顺序堆叠的高介电层、第一逸出功金属层、具有比第一逸出功金属层低的逸出功的第二逸出功金属层和栅极金属层。栅极结构的第一逸出功金属层具有不同的厚度，从而栅极结构包括最大栅极结构，其中最大栅极结构的第一逸出功金属层具有第一逸出功金属层中的最大厚度。最大栅极结构包括位于最大栅极结构的高介电层上的覆盖层，其中，覆盖层包括一种或更多种杂质元素。

公开(公告)号：CN109935585B

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN201810833546.3

申请日：2018-07-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋在烈 ,  金完敦 ,  裴洙瀯 ,  李东洙 ,  李钟汉 ,  丁炯硕 ,  玄尚镇

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

Abstract: 提供了一种具有多阈值电压的半导体器件，所述半导体器件包括位于半导体基底上的有源区、位于单独的对应的有源区上的栅极结构以及在半导体基底中位于单独的对应的栅极结构的相对侧上的源极/漏极区。每个单独的栅极结构包括顺序堆叠的高介电层、第一逸出功金属层、具有比第一逸出功金属层低的逸出功的第二逸出功金属层和栅极金属层。栅极结构的第一逸出功金属层具有不同的厚度，从而栅极结构包括最大栅极结构，其中最大栅极结构的第一逸出功金属层具有第一逸出功金属层中的最大厚度。最大栅极结构包括位于最大栅极结构的高介电层上的覆盖层，其中，覆盖层包括一种或更多种杂质元素。