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发明公开
半导体器件审中-实审

公开(公告)号：CN115602687A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202210793148.X

申请日：2022-07-05

Applicant: 三星电子株式会社(KR)

Inventor： 李义福 , 金洛焕 , 金完敦 , 卢宣颖 , 张瀚珉

IPC: H01L27/105

Abstract: 一种半导体器件，包括：下部结构，包括衬底；第一互连层，在下部结构上沿第一方向延伸并且包括第一金属；第一通路，与第一互连层的上表面的一部分接触并且包括第二金属；第二通路，与第一通路的上表面的至少一部分接触，并且具有比第一通路的最大宽度窄的最大宽度；以及第二互连层，连接到第二通路并在第二方向上延伸。第一互连层具有倾斜侧表面，在第一互连层的倾斜侧表面中第一互连层的宽度朝向第一互连层的上部区域变窄，并且第一通路具有倾斜侧表面，在第一通路的倾斜侧表面中第一通路的宽度朝向第一通路的上部区域变窄。

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