公开(公告)号：CN103840002B

公开(公告)日：2017-09-19

申请号：CN201310591041.8

申请日：2013-11-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁贤正 ,  郑舜旭 ,  具奉珍 ,  金完敦 ,  郑炳洪 ,  卓容奭

IPC: H01L29/78 ,  H01L23/522 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L28/60 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/87 ,  H01L28/91

Abstract: 一种半导体器件，包括：在基板上的多个下电极，该下电极具有大于水平宽度的垂直长度；支撑物，设置在下电极之间；上电极，设置在下电极上；以及电容器介电层，设置在下电极与上电极之间。支撑物包括第一元素、第二元素和氧，第二元素的氧化物具有比第一元素的氧化物高的带隙能量，第二元素在支撑物中的含量为从约10at%至90at%。

公开(公告)号：CN103840002A

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201310591041.8

申请日：2013-11-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁贤正 ,  郑舜旭 ,  具奉珍 ,  金完敦 ,  郑炳洪 ,  卓容奭

IPC: H01L29/78 ,  H01L23/522 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L28/60 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/87 ,  H01L28/91

Abstract: 一种半导体器件，包括：在基板上的多个下电极，该下电极具有大于水平宽度的垂直长度；支撑物，设置在下电极之间；上电极，设置在下电极上；以及电容器介电层，设置在下电极与上电极之间。支撑物包括第一元素、第二元素和氧，第二元素的氧化物具有比第一元素的氧化物高的带隙能量，第二元素在支撑物中的含量为从约10at%至90at%。