公开(公告)号：CN108063145B

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN201710599298.6

申请日：2017-07-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵常玹 ,  李载昊 ,  李殷奎 ,  朴晟准 ,  李基荣 ,  许镇盛

IPC: H01L27/146 ,  H10K39/32

Abstract: 示例实施方式涉及一种配置为实现高光电转换效率和低暗电流的图像传感器。该图像传感器包括：第一电极和第二电极、提供在第一电极与第二电极之间的多个光探测层、以及提供在光探测层之间的夹层。光探测层将入射光转换成电信号并包括半导体材料。夹层包括具有电导率各向异性的金属性材料或半金属性材料。

公开(公告)号：CN109307983B

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN201810735125.7

申请日：2018-07-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑盛骏 ,  申铉振 ,  金尚元 ,  朴晟准 ,  薛珉洙 ,  李东郁 ,  李润姓 ,  A.郑

IPC: G03F7/004 ,  G03F1/56

Abstract: 提供用于光掩模的表膜组合物和表膜、形成该表膜的方法、掩模版、曝光设备和制造器件的方法，所述用于光掩模的表膜由所述表膜组合物形成。所述表膜组合物包括：选自石墨烯量子点和石墨烯量子点前体的至少一种，所述石墨烯量子点具有约50nm或更小的尺寸；和溶剂。

公开(公告)号：CN108987463B

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN201711443416.0

申请日：2017-12-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申建旭 ,  申铉振 ,  赵连柱 ,  南胜杰 ,  朴晟准 ,  李润姓

IPC: H01L29/16

Abstract: 本公开提供了包括石墨烯的半导体器件以及制造该半导体器件的方法。一种半导体器件包括基板和石墨烯层。基板包括绝缘体和半导体。石墨烯层生长在半导体的表面上。半导体包括IV族材料和III‑V族化合物中的至少一种。公开了一种制造该半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN106169502B

公开(公告)日：2021-11-09

申请号：CN201610149522.7

申请日：2016-03-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李珉贤 ,  金海龙 ,  申铉振 ,  南胜杰 ,  朴晟准

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本公开提供包括金属‑二维材料‑半导体接触的半导体器件。一种半导体器件包括半导体层、电接触半导体层的金属层、以及在半导体层与金属层之间并具有二维晶体结构的二维材料层。

公开(公告)号：CN106057880B

公开(公告)日：2021-03-02

申请号：CN201510737327.1

申请日：2015-11-03

Applicant: 三星电子株式会社 ,  成均馆大学校产学协力团

Inventor： 罗昌皓 ,  刘元钟 ,  F.阿梅德 ,  杨政 ,  刘晓迟 ,  朴晟准 ,  李载昊

IPC: H01L29/772 ,  H01L29/78 ,  H01L21/335 ,  H01L21/336 ,  H01L29/10

Abstract: 电子器件包括具有带隙的二维(2D)材料层。该2D材料层包括两个多层2D材料区域和在其间的沟道区。第一电极电接触其中一个多层2D材料层，第二电极电接触另一个多层2D材料层。

公开(公告)号：CN105280710B

公开(公告)日：2020-09-01

申请号：CN201510336766.1

申请日：2015-06-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许镇盛 ,  金泰豪 ,  李基荣 ,  朴晟准

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/15 ,  H01L29/16

Abstract: 根据示例实施方式，电子装置包括：沟道层，包括电接触包含多个量子点的量子点层的石墨烯层；第一电极和第二电极，分别电连接到沟道层；和栅电极，构造为控制在第一电极和第二电极之间经由沟道层的电流。栅绝缘层可以在栅电极和沟道层之间。

公开(公告)号：CN104617135B

公开(公告)日：2019-11-01

申请号：CN201410616370.8

申请日：2014-11-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申铉振 ,  朴晟准 ,  李载昊 ,  许镇盛

IPC: H01L29/72 ,  H01L29/772 ,  H01L29/73 ,  H01L29/861 ,  H01L31/04 ,  H01L31/08 ,  H01L31/18 ,  H01L21/335 ,  H01L21/328

Abstract: 本发明提供二维材料元件和半导体器件。根据示例实施方式，二维(2D)材料元件可以包括彼此化学地接合的第一2D材料和第二2D材料。第一2D材料可以包括第一金属硫属元素化物基材料。第二2D材料可以包括第二金属硫属元素化物基材料。第二2D材料可以接合至第一2D材料的侧面。2D材料元件可以具有PN结结构。2D材料元件可以包括具有不同带隙的多种2D材料。

公开(公告)号：CN108288625A

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201711443369.X

申请日：2017-12-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李载昊 ,  申铉振 ,  李东郁 ,  朴晟准 ,  李基荣 ,  李殷奎 ,  赵常玹 ,  许镇盛

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/0352

CPC classification number: H01L29/1606 ,  H01L27/1443 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/156 ,  H01L27/307 ,  H01L29/122 ,  H01L31/028 ,  H01L31/035218 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/09 ,  H01L31/101 ,  H01L51/0045 ,  H01L51/0579 ,  Y02E10/547 ,  H01L27/14601 ,  H01L27/14665

Abstract: 提供包括石墨烯量子点的光学传感器和图像传感器。所述光学传感器可包括石墨烯量子点层，所述石墨烯量子点层包括与第一官能团结合的多个第一石墨烯量子点且可进一步包括与不同于所述第一官能团的第二官能团结合的多个第二石墨烯量子点。可基于与相应的石墨烯量子点结合的官能团的类型和/或所述石墨烯量子点的尺寸调节所述光学传感器的吸收波长带。

公开(公告)号：CN108121153A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201711202775.7

申请日：2017-11-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申铉振 ,  宋伣在 ,  朴晟准 ,  申建旭 ,  李昌锡

IPC: G03F1/62 ,  G03F7/00 ,  G03F7/20

Abstract: 提供用于光掩模的表膜、包括其的掩模版、和用于光刻的曝光设备。所述表膜可包括表膜膜片，并且所述表膜膜片可包括纳米晶体石墨烯。所述纳米晶体石墨烯可具有缺陷。所述纳米晶体石墨烯可包括多个纳米级晶粒，并且所述纳米级晶粒可包括具有芳族环结构的二维(2D)碳结构。所述纳米晶体石墨烯的缺陷可包括如下的至少一种：sp3碳原子、氧原子、氮原子、或者碳空位。

公开(公告)号：CN103022106B

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201210344858.0

申请日：2012-09-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁喜准 ,  朴晟准 ,  郑现钟 ,  许镇盛

IPC: H01L29/47 ,  H01L29/772

CPC classification number: H01L29/456 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/45 ,  H01L29/452 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供了包括石墨烯的电极结构以及具有其的场效应晶体管。根据示例实施例，一种电极结构包括在半导体层上的石墨烯和在石墨烯上的电极金属。场效应晶体管（FET）可以包括该电极结构。