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公开(公告)号：CN104969340B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201380072416.8
申请日：2013-12-11
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 亚隆·P·威波 , 查理斯·T·卡尔森 , 威廉·T·维弗 , 克里斯多夫·N·葛兰特
IPC: H01L21/68
CPC classification number: H01L21/266 , H01L21/682
Abstract: 本发明提供一种掩模对准系统及掩膜对准方法。所述系统包含掩模框架，掩模框架具有松散地连接到掩模框架的多个离子注入掩模。掩模框架设有多个框架对准空腔，且每一掩模设有多个掩模对准空腔。所述系统还包含用于固持工件的压板。压板可设有多个掩模对准销和框架对准销，多个掩模对准销和多个框架对准销经配置以分别啮合掩模对准空腔和框架对准空腔。掩模框架可降低到压板上，其中框架对准空腔移动成与框架对准销对齐以在掩模与工件之间提供粗略对准。掩模对准空腔可接着移动成与掩模对准销对齐，进而将每一个别掩模移位成与相应工件精确对准。所述掩模对准系统及掩模对准方法用于在离子注入掩模与工件之间提供精确且可重复的对准。
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公开(公告)号：CN104823263B
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201380061200.1
申请日：2013-10-22
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 常胜武
IPC: H01J37/12 , H01J37/147 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/12 , H01J37/1474 , H01J37/3171 , H01J2237/121 , H01J2237/151
Abstract: 本发明提供一种处理离子束的装置，其为离子束扫描总成。离子束扫描总成(202，300)包括扫描电极组(314a，314b，316a，316b，318)，扫描电极组界定一间隙(330)以接收离子束或在第一平面(xz‑平面)扫描离子束；以及静电多极透镜系统，包括多个电极(304，306，310，312)，沿部分藉由一对扫描电极所界定的离子束前进路径排列。静电多极透镜系统配置为在垂直于第一平面的方向(y)上改变离子束的形状。本发明的处理离子束的装置能在离子植入系统中形成更均匀的离子束。
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公开(公告)号：CN104508174B
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201380039732.5
申请日：2013-07-25
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
CPC classification number: H01J37/32422 , C23C14/046 , C23C14/3407 , C23C14/345 , H01J37/32357 , H01J37/32403 , H01J37/32623 , H01J37/32633 , H01J37/32642 , H01J37/3414 , H01J37/3417 , H01J37/3467 , H01J2237/08 , H01J2237/31701
Abstract: 揭示一种等离子体处理设备(200)与溅镀系统。所述等离子体处理设备包括经配置以在处理腔室(202)中产生等离子体(140)的源(206)与等离子体鞘调节器(208)，处理腔室(202)具有邻近工件(138)的前表面的等离子体鞘(242)。等离子体鞘调节器控制等离子体与等离子体鞘之间的边界(241)的形状，使得所述边界的形状的一部分不平行于由工件的朝向等离子体的前表面定义的平面(151)。金属靶材(209)附加于等离子体鞘调节器的后表面，以与等离子体鞘调节器电性地隔离，且金属靶材被电性地施加偏压，使得离开等离子体且穿过等离子体鞘调节器中的孔洞的离子(102)被吸引朝向金属靶材。这些离子造成金属靶材被溅射，从而允许工件的三维金属沉积。
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公开(公告)号：CN103858299B
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201280029013.0
申请日：2012-04-12
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 卡森·D·泰克雷特萨迪克
IPC: H02H9/02
Abstract: 一种故障电流限制器系统包括故障电流限制器和可变分流电流分流装置(Variable Shunt Current Splitting Device)。电流分流装置包括第一和第二导电线圈，其中第一导电线圈与故障电流限制器并联用以传送电流于第一方向。第二导电线圈与故障电流限制器串联用来传送电流于相对于第一方向的第二方向，如此一来在故障电流限制器稳定状态下，第一线圈的电抗被第二线圈的电抗抵销。因此稳态电流的第一部份传递通过故障电流限制器，而稳态电流的第二部份传递通过电流分流装置。故障电流限制器的稳态电流负载因而减少。
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公开(公告)号：CN104885186B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201380049073.3
申请日：2013-08-08
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/08 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/08 , H01J27/16 , H01J37/321 , H01J37/3211 , H01J37/32165 , H01J37/32422 , H01J2237/0817 , H01J2237/31706
Abstract: 一种宽离子束源(10)包括多个射频窗(26，18，30)，以预设关系布置；单一等离子体腔体线(20，22，24)，每一多个射频天线配置在各别的每一多个射频窗的第二侧，而且第二侧相对于第一侧；以及多个射频源(14，16，18)，每一多个射频源耦接于各别的每一多个射频天线，其中藉由耦接于第一射频天线的第一射频源产生的第一射频信号及藉由耦接于与第一射频天线相邻的一射频天线的第二射频源产生的第二射频信号之间的频率差异大于10千赫兹。本发明提供的射频离子源，能促进多重、空间重叠等离子体的运(12)，配置在多个射频窗的第一侧；多个射频天
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104380492B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201380033033.X
申请日：2013-04-29
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 艾立克斯恩德·C·刚特司 , 丝特芬·舍曼 , 约翰·J·哈塔拉 , 赛门·罗芙尔
CPC classification number: H01L43/02 , G11C11/161 , H01L27/222 , H01L43/12
Abstract: 本发明提供一种磁性存储器以及制造方法。形成磁性存储器的方法包含：在衬底的基底部分上提供包括多个磁性层和多个导电层的层堆叠；在第一保护区域上方的层堆叠的外表面上形成第一掩模特征且在第二保护区域上方的层堆叠的外表面上形成第二掩模特征，所述第一掩模特征和第二掩模特征在其间界定层堆叠的部分中的层堆叠的暴露区域；以及在离子暴露中朝向层堆叠的暴露区域引导离子，所述离子暴露有效地在不移除层堆叠的暴露区域的情况下使第一保护区域与第二保护区域磁隔离并且使第一保护区域与第二保护区域电隔离。
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公开(公告)号：CN106415791A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201580005269.1
申请日：2015-01-13
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01L21/265 , H01J37/317 , H01L21/66
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/244 , H01J2237/0213 , H01J2237/24495 , H01J2237/24535
Abstract: 结合使用具有至少两个不同尺寸的孔隙的限束孔隙板件与至少两个电荷收集器。由于孔隙宽度的差异，所述两个电荷收集器接收不同量的离子，其中所述量与相关联孔隙的宽度成比例。通过监视第一电荷收集器收集的电荷与第二收集器收集的电荷的比率，而可监视且任选地补偿腐蚀量。
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公开(公告)号：CN103069537B
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201180040721.X
申请日：2011-08-11
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 奎格·R·钱尼
IPC: H01J37/317 , H01J37/20 , H01J37/08 , H01J27/08
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/08 , H01J2237/024 , H01J2237/081 , H01J2237/0827
Abstract: 一种装置，包括电弧室外壳(203)及馈入系统(210)。电弧室外壳定义电弧室(204)。馈入系统经组态以馈入溅镀标靶(212)至电弧室。一种方法，包括馈入溅镀标靶至电弧室以及离子化溅镀标靶的一部分，其中电弧室藉由电弧室外壳定义。
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公开(公告)号：CN106133208A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201580014648.7
申请日：2015-03-17
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 彼德·L·凯勒曼 , 菲德梨克·M·卡尔森 , 大卫·莫雷尔 , 阿拉·莫瑞迪亚 , 南帝斯·德塞
Abstract: 一种用于控制熔体内的热流的装置。装置可包括坩埚，用以容纳熔体，而熔体具有暴露面。装置也可包括加热器与散热屏障总成。加热器配置于坩埚的第一侧的下方，用以提供热以穿过熔体而至暴露面。散热屏障总成包括至少一散热屏障，配置于坩埚内，并在熔体中定义隔离区与外围区。
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公开(公告)号：CN104737267B
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201380054224.4
申请日：2013-09-10
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/3211 , H01J37/32477 , H05H1/46 , H05H2001/4667
Abstract: 揭示一种射频天线与其形成方法以及离子源。射频天线包括具有内径及外径的低阻值的金属管，也具有内径及外径的低摩擦的高分子管包围低阻值的金属管，高分子管的内径略为大于低阻值的金属管的外径。预成形石英玻璃管套住低摩擦的高分子管及低阻值的金属管。石英玻璃管以所要形状预成形。在低阻值的空心金属管的一末端内附着一导引线。将包含低阻值的空心金属管的弹性、低摩擦的高分子管接着穿入石英玻璃管。
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