公开(公告)号：CN106415791A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201580005269.1

申请日：2015-01-13

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 大卫·汀布莱克 ,  马克·R·亚玛多 ,  纳岚·罗夫

IPC: H01L21/265 ,  H01J37/317 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/244 ,  H01J2237/0213 ,  H01J2237/24495 ,  H01J2237/24535

Abstract: 结合使用具有至少两个不同尺寸的孔隙的限束孔隙板件与至少两个电荷收集器。由于孔隙宽度的差异，所述两个电荷收集器接收不同量的离子，其中所述量与相关联孔隙的宽度成比例。通过监视第一电荷收集器收集的电荷与第二收集器收集的电荷的比率，而可监视且任选地补偿腐蚀量。

公开(公告)号：CN107851562B

公开(公告)日：2021-07-27

申请号：CN201680039913.1

申请日：2016-07-06

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 马克·R·亚玛多 ,  威廉·戴维斯·李 ,  吉莲·雷诺

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/324

Abstract: 本发明公开用于选择性处理工件的系统及方法。举例而言，可通过朝工件上的第一位置引导离子束来处理外部部分，其中离子束在两个第一定位处延伸超过工件的外边缘。接着使工件相对于离子束而绕工件的中心旋转，以使外部部分的某些区暴露至离子束。接着使工件相对于离子束移动至第二位置并在相反的方向上旋转，以使外部部分的所有区暴露至离子束。可将此过程重复进行多次。所述离子束可实行任意工艺，例如离子植入、蚀刻、或沉积。

公开(公告)号：CN106415791B

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：CN201580005269.1

申请日：2015-01-13

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 大卫·汀布莱克 ,  马克·R·亚玛多 ,  纳岚·罗夫

IPC: H01L21/265 ,  H01J37/317 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/244 ,  H01J2237/0213 ,  H01J2237/24495 ,  H01J2237/24535

Abstract: 本发明提供一种离子植入系统以及使用离子束处理工件的方法，该离子植入系统结合使用具有至少两个不同尺寸的孔隙的限束孔隙板件与至少两个电荷收集器。由于孔隙宽度的差异，所述两个电荷收集器接收不同量的离子，其中所述量与相关联孔隙的宽度成比例。通过监视第一电荷收集器收集的电荷与第二收集器收集的电荷的比率，而可监视且任选地补偿腐蚀量。

公开(公告)号：CN107851562A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201680039913.1

申请日：2016-07-06

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 马克·R·亚玛多 ,  威廉·戴维斯·李 ,  吉莲·雷诺

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01J37/3171 ,  C23C14/48 ,  H01J37/08 ,  H01J37/20 ,  H01J37/3026 ,  H01J2237/20214 ,  H01J2237/31761 ,  H01J2237/31766 ,  H01L21/265 ,  H01L21/425

Abstract: 本发明公开用于选择性处理工件的特定部分的系统及方法。举例而言，可通过朝工件上的第一位置引导离子束来处理外部部分，其中离子束在两个第一定位处延伸超过工件的外边缘。接着使工件相对于离子束而绕工件的中心旋转，以使外部部分的某些区暴露至离子束。接着使工件相对于离子束移动至第二位置并在相反的方向上旋转，以使外部部分的所有区暴露至离子束。可将此过程重复进行多次。所述离子束可实行任意工艺，例如离子植入、蚀刻、或沉积。