公开(公告)号：CN104508174B

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201380039732.5

申请日：2013-07-25

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 卢多维克·葛特 ,  阿德金·沙拉积历

IPC: C23C14/34 ,  H01J37/32 ,  H01J37/34 ,  H01J37/08

CPC classification number: H01J37/32422 ,  C23C14/046 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/345 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32403 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32633 ,  H01J37/32642 ,  H01J37/3414 ,  H01J37/3417 ,  H01J37/3467 ,  H01J2237/08 ,  H01J2237/31701

Abstract: 揭示一种等离子体处理设备(200)与溅镀系统。所述等离子体处理设备包括经配置以在处理腔室(202)中产生等离子体(140)的源(206)与等离子体鞘调节器(208)，处理腔室(202)具有邻近工件(138)的前表面的等离子体鞘(242)。等离子体鞘调节器控制等离子体与等离子体鞘之间的边界(241)的形状，使得所述边界的形状的一部分不平行于由工件的朝向等离子体的前表面定义的平面(151)。金属靶材(209)附加于等离子体鞘调节器的后表面，以与等离子体鞘调节器电性地隔离，且金属靶材被电性地施加偏压，使得离开等离子体且穿过等离子体鞘调节器中的孔洞的离子(102)被吸引朝向金属靶材。这些离子造成金属靶材被溅射，从而允许工件的三维金属沉积。

公开(公告)号：CN104508174A

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：CN201380039732.5

申请日：2013-07-25

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 卢多维克·葛特 ,  阿德金·沙拉积历

IPC: C23C14/34 ,  H01J37/32 ,  H01J37/34 ,  H01J37/08

CPC classification number: H01J37/32422 ,  C23C14/046 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/345 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32403 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32633 ,  H01J37/32642 ,  H01J37/3414 ,  H01J37/3417 ,  H01J37/3467 ,  H01J2237/08 ,  H01J2237/31701

Abstract: 揭示一种等离子体处理设备(200)。所述等离子体处理设备包括经配置以在处理腔室(202)中产生等离子体(140)的源(206)与等离子体鞘调节器(208)，处理腔室(202)具有邻近工件(138)的前表面的等离子体鞘(242)。等离子体鞘调节器控制等离子体与等离子体鞘之间的边界(241)的形状，使得所述边界的形状的一部分不平行于由工件的朝向等离子体的前表面定义的平面(151)。金属靶材(209)附加于等离子体鞘调节器的后表面，以与等离子体鞘调节器电性地隔离，且金属靶材被电性地施加偏压，使得离开等离子体且穿过等离子体鞘调节器中的孔洞的离子(102)被吸引朝向金属靶材。这些离子造成金属靶材被溅射，从而允许工件的三维金属沉积。