公开(公告)号：CN101523546B

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN200780037763.1

申请日：2007-10-10

Applicant: 艾克塞利斯科技公司

Inventor： W·戴维斯·李 ,  奈尔·卡尔文

IPC: H01J37/244 ,  H01J37/317 ,  G01T1/29

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/244 ,  H01J2237/24405 ,  H01J2237/24507 ,  H01J2237/24535 ,  H01J2237/31703 ,  H01J2237/31705

Abstract: 一种与半导体处理工具一起使用的设备，所述半导体处理工具具有被抽空的区域，用于通过引导离子束轰击工件来处理工件，所述设备包括：源、束转移结构和工件支撑件，其限定离子束中的离子的移动路径，所述离子束撞击注入站上的一个或多个工件，和传感器，其包括导电的基部和用于把所述束的离子拦截横截面分割成区域的遮罩，所述遮罩包括延伸至所述基部的壁，用于阻止到达所述传感器的离子反弹进入到所述处理工具的被抽空的区域中，所述遮罩包括细长的贯穿通道的阵列，所述贯穿通道从前表面通过所述遮罩延伸至所述基部，并且所述贯穿通道的取向角在传感器的宽度上是不同的。本发明还提供一种用于在半导体处理组件中降低和控制所述处理组件内的污染物的方法和一种离子束电流传感器。

公开(公告)号：CN102067268A

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN200980123998.1

申请日：2009-06-23

Applicant: 艾克塞利斯科技公司

Inventor： 杰弗里·瑞丁 ,  马文·法利 ,  博·范登伯格 ,  西奥多·史密克 ,  高尾坂濑

IPC: H01J37/05 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/05 ,  H01J2237/0492 ,  H01J2237/103 ,  H01J2237/1405 ,  H01J2237/1501 ,  H01J2237/1523 ,  H01J2237/153 ,  H01J2237/21 ,  H01J2237/24528 ,  H01J2237/31705

Abstract: 本发明公开了一种用于在离子注入工件(228)期间磁性过滤离子束(210)的系统(200)及方法，其中从离子源(212)发射离子且加速离子使其远离离子源以形成离子束。离子束由质谱仪(214)进行质量分析，其中离子是选定的。一旦离子束进行质量分析，离子束接着通过减速器(242)被减速，且在减速的下游进一步磁性过滤离子束。磁性过滤由四极磁性能量过滤器(250)提供，其中形成磁场，用于截取离开减速器的离子束中的离子，以选择性地过滤不想要的离子和快速中性粒子(264)。

公开(公告)号：CN101203933B

公开(公告)日：2010-05-19

申请号：CN200680013410.3

申请日：2006-03-15

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 方子韦 ,  理查·艾波 ,  文森特·丹龙 ,  维克拉姆·辛区 ,  哈勒德·M·波辛

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32412 ,  H01J37/3171 ,  H01J37/3299 ,  H01J2237/31705

Abstract: 一种方法及装置是针对提供等离子体掺杂系统中的掺杂剂轮廓调整解决方案以符合浓度及结深度要求。可执行偏压斜线上升及偏压斜线上升率调整以达成所要的掺杂剂轮廓，使得实现对等离子体掺杂系统中的元件缩放是关键的垂直方向及横向上浅并陡的结。

公开(公告)号：CN101438368A

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200680047932.5

申请日：2006-12-06

Applicant: 瓦里安半导体设备公司

Inventor： 拉塞尔·J·罗 ,  乔纳森·G·英格兰 ,  史蒂夫·E·克劳斯 ,  艾立克·D·赫尔曼森

IPC: H01J3/14

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/09 ,  H01J37/15 ,  H01J37/18 ,  H01J37/302 ,  H01J37/3023 ,  H01J2237/0455 ,  H01J2237/0458 ,  H01J2237/1503 ,  H01J2237/182 ,  H01J2237/188 ,  H01J2237/30488 ,  H01J2237/31705 ,  H01L21/266

Abstract: 本发明揭示用于防止寄生的子波束影响离子植入的技术。在一个特定的示范性实施例中，所述技术可实现为一种用于防止寄生的子波束影响离子植入的设备。所述设备可包括经配置以来回地扫描点波束进而形成横跨预定宽度的离子波束的控制器。所述设备还可包括小孔机构，其在保持固定时允许点波束穿过。所述设备可进一步包括同步机构，其耦合到控制器和小孔机构，且经配置以致使小孔机构与经扫描的点波束同步地移动，从而允许经扫描的点波束穿过，但阻挡与点波束相关联的一个或一个以上寄生的子波束。

公开(公告)号：CN101296881A

公开(公告)日：2008-10-29

申请号：CN200680040106.8

申请日：2006-10-12

Applicant: 东洋炭素株式会社

Inventor： 齐藤清 ,  横山文昭 ,  铃木均 ,  安藤温子 ,  东城哲朗 ,  筱原诚治

IPC: C04B35/52 ,  C01B31/04 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J37/3171 ,  C04B35/522 ,  C04B35/532 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/77 ,  H01J37/16 ,  H01J2237/0213 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/31705

Abstract: 一种在高电流低能量型离子注入装置中用于离子注入装置束流线(beam line)内部部件的石墨部件，该石墨部件能够显著减少结合到晶片表面中的颗粒的数量。还提供了用于离子注入装置束流线内部部件的石墨部件，该部件具有1.80Mg/m3或更高的堆积密度和9.5μΩ·m或更低的电阻。优选地，在石墨部件的自然断裂(natural fracture)表面的拉曼光谱中用1370cm－1处的D谱带强度除以1570cm－1处的G谱带强度得到的R值为0.20或更低。

公开(公告)号：CN101233597A

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200680028442.0

申请日：2006-06-02

Applicant: 艾克塞利斯技术公司

Inventor： J·范德波特 ,  黄永灿

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/244

CPC classification number: H01J37/244 ,  H01J37/045 ,  H01J37/09 ,  H01J37/302 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/026 ,  H01J2237/028 ,  H01J2237/30433 ,  H01J2237/31705

Abstract: 本发明提供了一种用于减轻在离子注入期间的污染的系统、方法以及装置。本发明提供了离子源、终点台以及设置在离子源与终点台之间的质量分析器，其中离子束由离子源形成且经由质量分析器而行进至终点台。离子束收集组件包括：粒子收集器、粒子吸引器以及与质量分析器连接的屏蔽。其中，可操作粒子吸引器的电位，以将污染粒子吸引并限制在粒子收集器中，并且其中可操作该屏蔽，以将粒子吸引器的电位与质量分析器中离子束的电位屏蔽。

公开(公告)号：CN1473349A

公开(公告)日：2004-02-04

申请号：CN01818500.2

申请日：2001-08-17

Applicant: 艾克塞利斯技术公司

Inventor： V·M·本维尼斯特 ,  M·A·格拉夫 ,  E·R·哈林顿 ,  R·D·拉斯梅尔

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/02 ,  H01J37/30

CPC classification number: H01J37/026 ,  H01J37/3002 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/004 ,  H01J2237/022 ,  H01J2237/31705

Abstract: 一种用于禁止污染粒子与离子束(16)一起传输的系统包括一个粒子充电系统(12)，用于在离子束通过的区域中对粒子充电。在充电区域的下游处产生一个电场(50)以便促使带电粒子离开离子束(16)的行进方向(18)。

公开(公告)号：CN105900208B

公开(公告)日：2018-07-10

申请号：CN201480068636.8

申请日：2014-12-19

Applicant: 艾克塞利斯科技公司

Inventor： 谢泽仁 ,  奈尔·卡尔文

IPC: H01J37/08 ,  H01J37/317

CPC classification number: H01J37/08 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/0213 ,  H01J2237/0268 ,  H01J2237/082 ,  H01J2237/31705

Abstract: 一种针对离子注入系统的离子源室(120)包括：外壳，至少部分地界定离子化区域，高能电子会从阴极(124)移动穿过所述离子化区域，以对注入所述外壳内部的气体分子进行离子化；衬垫区段(133、135、137、139)，限定所述外壳内部的一个或更多个内壁，其中每个衬垫区段包括面向内部表面，所述面向内部表面在所述离子注入系统的操作期间暴露于所述离子化区域；阴极屏蔽(153)，布置在所述阴极周围；排斥极(180)，与所述阴极相分离；板(128)，包括用于从离子源室释放离子的源孔(126)；其中，所述排斥极、所述衬垫区段、所述阴极屏蔽、所述板或在限定源孔的板中的插入件中的至少一个包括碳化硅，其中，碳化硅具有超额碳的非化学计量烧结材料。

公开(公告)号：CN104637764B

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201410645296.2

申请日：2014-11-11

Applicant: 斯伊恩股份有限公司

Inventor： 佐藤正辉

IPC: H01J37/08 ,  H01J27/08

CPC classification number: H01J27/08 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/31705

Abstract: 本发明提供一种离子生成装置及离子生成方法，其目的在于提供一种在注入离子时减少重金属离子的污染、且生成高生产率的离子的技术。所述离子生成装置(10)具备：电弧室(12)，至少一部分由含有碳的材料构成；热电子放出部(14)，向电弧室(12)内放出热电子；及气体导入口(24)，将源气体及Cokes气体导入电弧室(12)内。导入电弧室的源气体中含有卤化物气体，导入电弧室的Cokes气体中含有具有碳原子及氢原子的化合物。

公开(公告)号：CN106611690A

公开(公告)日：2017-05-03

申请号：CN201510690522.3

申请日：2015-10-22

Applicant: 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 ,  中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

Inventor： 王亚

IPC: H01J37/317 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01J37/3171 ,  H01J37/3244 ,  H01J2237/31705

Abstract: 本发明提供一种减少或防止在离子注入机的离子源内形成沉积物的方法，通过至少在引入掺杂气体的同时引入可以阻止掺杂气体与电弧室及组件表面材料发生反应的清洗气体，可以从根本上杜绝含沉积物元素的气态化合物的生成，进而提高了离子束束流的均匀性，延长了离子注入机的寿命，减少了离子源维护的次数，从而节约了离子源维护所需的时间和成本。