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公开(公告)号：CN101802964A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200880107478.7
申请日：2008-08-22
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 拉塞尔·J·罗 , 皮尔·R·卢比克 , 杰弗里·D·里斯查尔 , 史蒂夫·E·克劳斯 , 艾立克·D·赫尔曼森 , 约瑟·C·欧尔森 , 卡森·D·泰克雷特萨迪克
IPC: H01J37/00
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/08 , H01J37/09 , H01J37/16 , H01J37/248 , H01J2237/026 , H01J2237/038 , H01J2237/2001
Abstract: 本发明揭露了用于离子植入机的终端隔离的技术。在一个特定示范性实施例中，这些技术可被实现为离子植入机，其包括界定终端空腔的终端结构。离子植入机也可包括界定接地空腔的接地外壳且终端结构可至少部分地安置于接地空腔内。离子植入机还可包括中间终端结构，中间终端结构紧邻终端结构的外部安置且至少部分地安置于接地空腔内。
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公开(公告)号：CN111742389B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN201980013814.X
申请日：2019-01-22
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 常胜武 , 法兰克·辛克莱 , 亚历山大·利坎斯奇 , 克里斯多夫·坎贝尔 , 罗伯特·C·林德柏格 , 艾立克·D·赫尔曼森
IPC: H01J37/147 , H01J37/317
Abstract: 本文提供减少离子植入机中粒子的方法，具体而言，提供一种用于向晶片递送离子束的静电过滤器及离子植入系统。静电过滤器可包括壳体及位于壳体内的多个导电束光学器件。导电束光学器件围绕朝晶片引导的离子束线排列，且可包括靠近壳体的入口孔的入口孔电极。导电束光学器件还可包括沿着离子束线位于入口孔电极的下游的高能电极以及位于高能电极的下游的接地电极。高能电极被定位成比入口电极及接地电极更远离离子束线，从而使得高能电极在物理上被阻挡以免受从晶片返回的背溅射材料的包络撞击。静电过滤器还可包括用于独立地向导电束
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公开(公告)号：CN101802964B
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：CN200880107478.7
申请日：2008-08-22
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 拉塞尔·J·罗 , 皮尔·R·卢比克 , 杰弗里·D·里斯查尔 , 史蒂夫·E·克劳斯 , 艾立克·D·赫尔曼森 , 约瑟·C·欧尔森 , 卡森·D·泰克雷特萨迪克
IPC: H01J37/00
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/08 , H01J37/09 , H01J37/16 , H01J37/248 , H01J2237/026 , H01J2237/038 , H01J2237/2001
Abstract: 本发明揭露了用于离子植入机的终端隔离的技术。在一个特定示范性实施例中，这些技术可被实现为离子植入机，其包括界定终端空腔的终端结构。离子植入机也可包括界定接地空腔的接地外壳且终端结构可至少部分地安置于接地空腔内。离子植入机还可包括中间终端结构，中间终端结构紧邻终端结构的外部安置且至少部分地安置于接地空腔内。
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公开(公告)号：CN101438368A
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200680047932.5
申请日：2006-12-06
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 拉塞尔·J·罗 , 乔纳森·G·英格兰 , 史蒂夫·E·克劳斯 , 艾立克·D·赫尔曼森
IPC: H01J3/14
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/09 , H01J37/15 , H01J37/18 , H01J37/302 , H01J37/3023 , H01J2237/0455 , H01J2237/0458 , H01J2237/1503 , H01J2237/182 , H01J2237/188 , H01J2237/30488 , H01J2237/31705 , H01L21/266
Abstract: 本发明揭示用于防止寄生的子波束影响离子植入的技术。在一个特定的示范性实施例中，所述技术可实现为一种用于防止寄生的子波束影响离子植入的设备。所述设备可包括经配置以来回地扫描点波束进而形成横跨预定宽度的离子波束的控制器。所述设备还可包括小孔机构，其在保持固定时允许点波束穿过。所述设备可进一步包括同步机构，其耦合到控制器和小孔机构，且经配置以致使小孔机构与经扫描的点波束同步地移动，从而允许经扫描的点波束穿过，但阻挡与点波束相关联的一个或一个以上寄生的子波束。
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公开(公告)号：CN104040743B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201280062669.2
申请日：2012-11-09
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 葛列格里·西特佛 , 希马恩·范桑 , 卡森·D·泰克雷特萨迪克 , 史考特·尼柯森 , 卡尔斯·L·史坦利 , 艾立克·D·赫尔曼森
CPC classification number: H01L39/02 , H01F6/06 , H01L39/14 , H01L39/143 , H01L39/16 , Y10T428/1345
Abstract: 本发明公开了一种用于保护超导(SC)物品(202)的技术，所述技术可实现为用于保护超导(SC)物品(202)的装置。所述装置包括环绕地配合所述超导(SC)物品(202)配置的多孔套筒(204)，所述多孔套筒(204)由非导电的介电材料制成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101802963B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200880106475.1
申请日：2008-08-25
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 卡森·D·泰克雷特萨迪克 , 艾立克·D·赫尔曼森 , 道格拉斯·梅 , 史蒂夫·E·克劳斯 , 拉塞尔·J·罗
IPC: H01J37/00
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/16 , H01J2237/038 , H01J2237/08
Abstract: 一种具有含介质鳍片的绝缘导体的离子植入机终端结构。在一实施例中，离子植入机终端结构可由含一个或多个介质鳍片的绝缘导体来实现。例如，离子植入机可包括配置成提供离子束的离子源。离子植入机还包括定义空腔的终端结构，其中离子源可至少部分地设置于空腔内。离子植入机还包括具有至少一介质鳍片的绝缘导体，此介质鳍片设置于终端结构的外部附近以改变电场。
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公开(公告)号：CN101410930B
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200780010722.3
申请日：2007-03-28
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 拉塞尔·罗 , 皮尔·R·卢比克 , D·杰弗里·里斯查尔 , 史蒂夫·E·克劳斯 , 艾立克·D·赫尔曼森 , 约瑟·C·欧尔森
IPC: H01J37/16 , H01J37/317 , H01L21/265
CPC classification number: H01J37/16 , H01J37/3171 , H01J2237/026 , H01J2237/038
Abstract: 离子注入机(100)包括经组态以提供离子束(152)的离子源(102)、界定空腔(110)的终端结构(104)，所述离子源至少部分地安置于空腔内，以及包括绝缘系统(162，171)。所述绝缘系统经组态以电绝缘终端结构且经组态以在接近终端结构的至少一个外表面的区域中提供大于约72千伏/英寸的有效介电强度(dielectric strength)。本发明亦提供用来电绝缘离子注入机的气体盒(106)的气体盒绝缘系统。
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公开(公告)号：CN101903960A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200880110580.2
申请日：2008-08-20
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 卡森·D·泰克雷特萨迪克 , 史蒂夫·E·克劳斯 , 艾立克·D·赫尔曼森 , 拉塞尔·J·罗
IPC: H01B17/56 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/09 , H01J2237/2001 , H01J2237/26
Abstract: 一种绝缘导体元件及其相关方法。用于电压结构的绝缘导体元件包括导体以及多个绝缘区段。导体连接一电压，多个绝缘区段包围此导体且多个绝缘区段彼此交界。
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公开(公告)号：CN104040743A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201280062669.2
申请日：2012-11-09
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 葛列格里·西特佛 , 希马恩·范桑 , 卡森·D·泰克雷特萨迪克 , 史考特·尼柯森 , 卡尔斯·L·史坦利 , 艾立克·D·赫尔曼森
CPC classification number: H01L39/02 , H01F6/06 , H01L39/14 , H01L39/143 , H01L39/16 , Y10T428/1345
Abstract: 本发明公开了一种用于保护超导(SC)物品(202)的技术，所述技术可实现为用于保护超导(SC)物品(202)的装置。所述装置包括环绕地配合所述超导(SC)物品(202)配置的多孔套筒(204)，所述多孔套筒(204)由非导电的介电材料制成。
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公开(公告)号：CN101438368B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN200680047932.5
申请日：2006-12-06
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 拉塞尔·J·罗 , 乔纳森·G·英格兰 , 史蒂夫·E·克劳斯 , 艾立克·D·赫尔曼森
IPC: H01J3/14
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/09 , H01J37/15 , H01J37/18 , H01J37/302 , H01J37/3023 , H01J2237/0455 , H01J2237/0458 , H01J2237/1503 , H01J2237/182 , H01J2237/188 , H01J2237/30488 , H01J2237/31705 , H01L21/266
Abstract: 本发明揭示用于防止寄生的子波束影响离子植入的技术。在一个特定的示范性实施例中，所述技术可实现为一种用于防止寄生的子波束影响离子植入的设备。所述设备可包括经配置以来回地扫描点波束进而形成横跨预定宽度的离子波束的控制器。所述设备还可包括小孔机构，其在保持固定时允许点波束穿过。所述设备可进一步包括同步机构，其耦合到控制器和小孔机构，且经配置以致使小孔机构与经扫描的点波束同步地移动，从而允许经扫描的点波束穿过，但阻挡与点波束相关联的一个或一个以上寄生的子波束。
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